一种应用于制作数码影像器材的感光cmos元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于相机领域，具体涉及一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件。
【背景技术】
[0002]目前，我国感光CMOS元件行业发展迅速，用于制作数码影像器材也多种多样，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。申请号:201010273834.1的中国专利文献报道了一种自动机快速换装压脚，具体内容为:本发明提出一种高性能CMOS器件，包括:体Si衬底，所述体Si衬底包括NM0S区和PM0S区，所述NM0S器件结构包括形成于所述体Si衬底之上的第一栅堆叠结构，形成于所述第一栅堆叠结构两侧的第一源漏极，覆盖所述第一栅堆叠结构和所述第一源漏极的具有张应力的氮化物覆盖层。PM0S器件结构包括形成于衬底凹槽中的第一应变SiGe层，形成于第一应变SiGe层之上的Si帽层，形成于Si帽层之上的第二栅堆叠结构，和形成于第二栅堆叠结构两侧的第二源漏极。本发明实施例的PM0S器件结构采用S1-SiGe-Si结构，而NM0S器件结构采用应变Si结构，从而可以极大地改善器件的性能，提高CMOS器件的运算速度。本新型结构含有上述专利有的优点，但是上述专利未能有效的利用NM0S核心器件使得难以在相机领域使用。综上所述，所以我设计了一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件。
【发明内容】
[0003]为了解决上述存在的问题，本实用新型提供一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现:
[0005]一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，包括增益放大器、非晶硅热敏电阻、差分结构前置放大器，所述增益放大器末端安装有非晶硅热敏电阻；所述非晶硅热敏电阻上端设置着差分结构前置放大器；所述差分结构前置放大器通过导线与串行FLASH芯片相连；所述串行FLASH芯片左端设有场效应晶体管；所述场效应晶体管通过导线连接着金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体下端设置着传感器；所述传感器右侧安装有主控制器；所述主控制器通过导线与电压基准元件相连接；所述电压基准元件内部设置着时基发生器；所述时基发生器安装在晶体管硅片上；所述晶体管硅片上端安装有NM0S核心器件。
[0006]作为本实用新型的进一步优化方案，所述主控制器设置在所述晶体管硅片中心部分；所述串行FLASH芯片表面安装有所述增益放大器；所述增益放大器通过导线连接着所述主控制器。
[0007]作为本实用新型的进一步优化方案，所述增益放大器通过导线与所述金属氧化物半导体相连接；所述金属氧化物半导体连接着所述主控制器；所述主控制器端面设置着所述非晶硅热敏电阻。
[0008]作为本实用新型的进一步优化方案，所述晶体管硅片上端设置着所述串行FLASH芯片；所述串行FLASH芯片端面连接着所述金属氧化物半导体；所述电压基准元件安装在所述传感器下端。
[0009]与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理、运算速度快，有效的将影像讯号转变为数字信号输出，而且耗能更低，适合运用推广。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的结构主视图；
[0011]图2是本实用新型的结构左视图。
[0012]图中:1、增益放大器；2、非晶硅热敏电阻；3、差分结构前置放大器；4、串行FLASH芯片；5、场效应晶体管；6、金属氧化物半导体；7、传感器；8、主控制器；9、电压基准元件；10、时基发生器；11、晶体管硅片；12、NM0S核心器件。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述:
[0014]如图1、图2所示，一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，包括增益放大器1、非晶硅热敏电阻2、差分结构前置放大器3，所述增益放大器1末端安装有非晶硅热敏电阻2 ;所述非晶硅热敏电阻2上端设置着差分结构前置放大器3 ;所述差分结构前置放大器3通过导线与串行FLASH芯片4相连；所述串行FLASH芯片4左端设有场效应晶体管5 ;所述场效应晶体管5通过导线连接着金属氧化物半导体6 ;所述金属氧化物半导体6下端设置着传感器7 ;所述传感器7右侧安装有主控制器8 ;所述主控制器8通过导线与电压基准元件9相连接；所述电压基准元件9内部设置着时基发生器10 ;所述时基发生器10安装在晶体管硅片11上；所述晶体管硅片11上端安装有NM0S核心器件12。
[0015]所述主控制器8设置在所述晶体管硅片11中心部分；所述串行FLASH芯片4表面安装有所述增益放大器1 ;所述增益放大器1通过导线连接着所述主控制器8 ;所述增益放大器1通过导线与所述金属氧化物半导体6相连接；所述金属氧化物半导体6连接着所述主控制器8 ;所述主控制器8端面设置着所述非晶硅热敏电阻2 ;所述晶体管硅片11上端设置着所述串行FLASH芯片4 ;所述串行FLASH芯片4端面连接着所述金属氧化物半导体6 ;所述电压基准元件9安装在所述传感器7下端。
[0016]所述本新型结构安装有增益放大器、差分结构前置放大器、场效应晶体管，所述增益放大器是一种通用性很强的放大器，其放大倍数可以根据需要用程序进行控制，其作用是放大电路；所述差分结构前置放大器是能把两个输入电压的差值加以放大的电路，是一种零点漂移很小的直接耦合放大器，用来实现平衡与不平衡电路的相互转换；所述场效应晶体管是漏极和源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。
[0017]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，其特征在于:包括增益放大器、非晶硅热敏电阻、差分结构前置放大器，所述增益放大器末端安装有非晶硅热敏电阻；所述非晶硅热敏电阻上端设置着差分结构前置放大器；所述差分结构前置放大器通过导线与串行FLASH芯片相连；所述串行FLASH芯片左端设有场效应晶体管；所述场效应晶体管通过导线连接着金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体下端设置着传感器；所述传感器右侧安装有主控制器；所述主控制器通过导线与电压基准元件相连接；所述电压基准元件内部设置着时基发生器；所述时基发生器安装在晶体管硅片上；所述晶体管硅片上端安装有NM0S核心器件。2.根据权利要求1所述的一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，其特征在于:所述主控制器设置在所述晶体管硅片中心部分；所述串行FLASH芯片表面安装有所述增益放大器；所述增益放大器通过导线连接着所述主控制器。3.根据权利要求1所述的一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，其特征在于:所述增益放大器通过导线与所述金属氧化物半导体相连接；所述金属氧化物半导体连接着所述主控制器；所述主控制器端面设置着所述非晶硅热敏电阻。4.根据权利要求1所述的一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，其特征在于:所述晶体管硅片上端设置着所述串行FLASH芯片；所述串行FLASH芯片端面连接着所述金属氧化物半导体；所述电压基准元件安装在所述传感器下端。
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，包括增益放大器、非晶硅热敏电阻、差分结构前置放大器，所述增益放大器末端安装有非晶硅热敏电阻；所述非晶硅热敏电阻上端设置着差分结构前置放大器；所述差分结构前置放大器通过导线与串行FLASH芯片相连；所述串行FLASH芯片左端设有场效应晶体管；所述场效应晶体管通过导线连接着金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体下端设置着传感器。本实用新型结构简单、设计合理、运算速度快，有效的将影像讯号转变为数字信号输出，而且耗能更低，适合运用推广。
【IPC分类】H01L27/146, H04N5/374
【公开号】CN205039912
【申请号】CN201520459106
【发明人】陈惠
【申请人】陈惠
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年7月1日