电容C2的值。载波频率f取值为4MHz或8MHz，感应线圈10的电感值L取值为5uH，代入公式f= 1/2JT入LC计算可得到第一电容Cl和第二电容C2的值，且Cl =C2，该计算值为第一电容Cl和第二电容C2的理想值，在实际电路设计中还需要不断微调第一电容Cl和第二电容C2的值，直至用示波器测得第一电容Cl和第二电容C2的信号频率与载波频率f 一致；
[0032](3)低通滤波电路30的设计:根据数据的码率和载波频率设置低通滤波器的截止频率fp，当码率和载波频率差异较大时候，可选择码率的5倍到10倍作为截止频率，例如对2K码率，2M载波而言，可选择1KHz作为低通滤波器的截止频率fP，根据设置的低通滤波器的截止频率fP计算出所需的时间常数，利用公式fP = l/23iRC，第一电阻Rl与第二电阻R2为耗能元器件，故取值范围为5Ω <R1 < 100Ω，5Ω < R2 < 100 Ω，优选值为R1 = R2 = 50 Ω，例如，当截止频率fP取值为15ΚΗζ时，计算得到第三电容C3和第四电容C4的值为C3 = C4 = 2.08nF，在选定截止频率4后，可以得到多组第一电阻R1、第三电容C3和第二电阻R2、第四电容C4的值，由于该低通滤波电路30介于匹配电路20和信号放大电路40之间，该低通滤波电路30的与输入端与匹配电路20的输出端相连，此时该低通滤波电路30可等效为匹配电路20的负载，要求其内阻值越大越好，该低通滤波电路30的与输出端与信号放大电路40的输入端相连，此时该低通滤波电路30可等效为信号放大电路40的输入源，要求其内阻值越小越好，故第一电阻Rl、第三电容C3和第二电阻R2、第四电容C4的选值存在最优值的选择过程；
[0033](4)信号放大电路40的设计:根据信号放大电路40的原理可知第一输出电流1utl和第二输出电流Icmt2满足关系式Icmt2= (R4/R3) Icmt1，因此只需调整第三电阻R3与第四电阻R4的比值，即可调整控制放大倍数。
[0034]本实用新型提供一种用于射频SIM卡的低频信号检测电路，包括:感应线圈10、匹配电路20、低通滤波电路30和信号放大电路40，其中，感应线圈10可耦合低频磁场发出的信号，将信号转化成电流；匹配电路20连接感应线圈10两端，包括第一电容Cl和第二电容C2，用于降低耦合进入线圈中的电流在传输时的损耗;低通滤波电路30，包括第一电阻R1、第三电容C3、第二电阻R2、第四电容C4，用于过滤高频信号留下低频信号；信号放大电路40包括第三电阻R3、第四电阻R4和信号放大器A，用于将传输造成衰减的电流放大。该低频信号检测电路具有较高的抗干扰能力，可接收低频信号并将SM卡的通信距离控制在1cm范围之内。
[0035]实施例2
[0036]如图2所示，为本实用新型实施例2—种用于射频SIM卡的低频信号检测电路的检测结构示意图，该低频信号检测电路的检测结构包括低频信号发射端I和一带有低频信号检测电路的S頂卡2，低频信号发射端I可发射IMHz，2MHz，4MHz和8MHz的载波磁场，S頂卡2中的低频信号检测电路首先通过感应线圈10将低频载波磁场耦合形成电流，再进过匹配电路20降低耦合进入线圈中的电流在传输时的损耗，低通滤波电路30用于过滤高频信号留下低频信号，最后经过信号放大电路40将传输造成衰减的电流放大。
[0037]该低频信号检测电路的检测结构设计合理，每个部分相互配合使得射频SM卡具有较高的抗干扰能力，能将射频S頂卡的通信距离控制在合理的范围之内。
[0038]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述检测电路包括: 感应线圈，用于耦合低频磁场发出的信号，将所述信号转化成电流； 匹配电路，用于降低耦合进入线圈中的电流在传输时的损耗，所述匹配电路连接感应线圈两端，包括第一电容和第二电容，所述第一电容与感应线圈的一端相连后接地，所述第二电容与感应线圈的另一端相连后接地； 低通滤波电路，用于过滤高频信号留下低频信号，包括第一电阻、第三电容、第二电阻、第四电容，所述第一电阻一端与第一电容的非接地端相连，另一端与第三电容的非接地端相连，所述第二电阻一端与第二电容的非接地端相连，另一端与第四电容的非接地端相连，所述第三电容一端与第一电阻相连，另一端接地，所述第四电容一端与第二电阻相连，另一端接地； 信号放大电路，用于将传输造成衰减的电流放大，包括第三电阻、第四电阻和信号放大器，所述第三电阻一端与第三电容的非接地端相连，另一端与信号放大器的正输入端相连，所述第四电阻一端与信号放大器的正输入端相连，另一端与信号放大器的输出端相连，所述信号放大器的负输入端与第四电容的非接地端相连。2.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述感应线圈的形状与S頂卡的形状和大小匹配，为圆形、矩形、弧形、W形、S形或棍状。3.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述感应线圈用陶瓷、磁性材料或铜质材料制成。4.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述感应线圈电感值L的取值范围为IuHS LS 10uH。5.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述感应线圈品质因数Q的取值范围为10 < Qg 30。6.根据权利要求5所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述感应线圈品质因数Q为20。7.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述第一电阻Rl的取值范围为5 Ω <R1 < 100Ω。8.根据权利要求7所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述第一电阻Rl为10 Ω。9.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述第二电阻R2的取值范围为5 Ω <R2<100Q。10.根据权利要求9所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述第二电阻R2为10Ω。
【专利摘要】本实用新型涉及检测电路领域，提供了一种用于射频SIM卡的低频信号检测电路。该检测电路包括：感应线圈、匹配电路、低通滤波电路和信号放大电路。其中，感应线圈可耦合低频磁场发出的信号，将信号转化成电流；匹配电路连接感应线圈两端，包括第一电容和第二电容，用于降低耦合进入线圈中的电流在传输时的损耗；低通滤波电路包括第一电阻、第三电容、第二电阻、第四电容，用于过滤高频信号留下低频信号；信号放大电路包括第三电阻、第四电阻和信号放大器，用于将传输造成衰减的电流放大。本实用新型电路具有较高的抗干扰能力，可接收低频信号并将SIM卡的通信距离控制在10cm范围之内。
【IPC分类】H04B17/21, G06K19/077
【公开号】CN205249240
【申请号】CN201521134528
【发明人】江建文, 陈毅成, 张明宇
【申请人】深圳中科讯联科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月30日