一种射频通信收发电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种射频通信收发电路，包括射频天线、单刀双掷开关、第一带通滤波电路、第二带通滤波电路、低噪声放大电路、功率放大电路和基带单元，单刀双掷开关的不动端与射频天线连接，单刀双掷开关的第一动端与第一带通滤波电路的输入端连接，第一带通滤波电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与基带单元的输入端连接，单刀双掷开关的第二动端与功率放大电路的输出端连接，功率放大电路的输入端与第二带通滤波电路的输出端连接，第二带通滤波电路的输入端与基带单元的输出端连接。本实用新型能够方便的切换射频通信的收发状态。
【专利说明】
_种射频通信收发电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及射频通信技术领域，特别是涉及一种射频通信收发电路。
【背景技术】
[0002]随着人们生活水平的不断提高和现代通信技术的深入发展，射频通信技术的运用越来越广泛和普及。射频通信电路由天线、信号处理单元及控制器组成。现有的射频通信收发选择是由控制器的控制实现的，发射状态时，对基带信号进行编码，经过功率放大后通过天线发射出去;接收状态时，天线接收到信号，经过低噪声放大器放大后进入接收处理单元进行解码及后续处理在发射与接收的过程中，功率放大器和低噪声放大器都是同时导通的，在通信过程中会造成彼此干扰，最终影响通信信号的品质。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种射频通信收发电路，能够方便的切换射频通信的收发状态。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种射频通信收发电路，包括射频天线、单刀双掷开关、第一带通滤波电路、第二带通滤波电路、低噪声放大电路、功率放大电路和基带单元，所述单刀双掷开关包括不动端、第一动端、第二动端、第一开关、第二开关、逻辑电路和单刀双掷开关的控制端，不动端分别与第一开关和第二开关的输入端连接，第一开关的输出端与第一动端连接，第二开关的输出端与第二动端连接，第一开关的控制端与逻辑电路的负极连接，第二开关的控制端与逻辑电路的正极连接，逻辑电路的正极与单刀双掷开关的控制端连接;单刀双掷开关的不动端与射频天线连接，单刀双掷开关的第一动端与第一带通滤波电路的输入端连接，第一带通滤波电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与基带单元的输入端连接，单刀双掷开关的第二动端与功率放大电路的输出端连接，功率放大电路的输入端与第二带通滤波电路的输出端连接，第二带通滤波电路的输入端与基带单元的输出端连接。
[0005]所述低噪声滤波器采用共源共栅结构，低噪声放大器包括一个跟随电容，该跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。
[0006]所述低噪声放大器包括共源结构MOS管、共栅结构MOS管、隔直电容、接地电容、输出电容、跟随电容、第一电感、第二电感、第一电阻和第二电阻。
[0007]所述共源结构MOS管的栅极同时与隔直电容、第一电阻以及跟随电容的一端相连
[0008]接，隔直电容的另一端连接信号输入端口，第一电阻的另一端连接于第一偏置电压输入端口，跟随电容的另一端与所述第一电感的一端相连接，然后二者共同接地，第一电感的另一端连接于共源结构MOS管的源极;共源结构MOS管的漏极和共栅结构MOS管的源极相连接;共栅结构MOS管的栅极同时与第二电阻和接地电容的一端相连接，第二电阻的另一端与第二偏置电压输入端口连接，接地电容的另一端接地;共栅结构MOS管的漏极通过所述输出电容连接于信号的输出端，同时通过第二电感连接于外部电源。
[0009]所述功率放大器包括依次连接的输入耦合电容、二级以上的功放管和输出耦合电容，输入耦合电容与第一级功放管之间设有输入匹配电路，两级功放管之间设有级间匹配电路，最后一级功放管与输出耦合电容之间设有输出匹配电路;输出匹配电路包括微带线、第一电容、第二电容和第三电容，第一电容、第二电容和第三电容的第一端均与微带线连接，第一电容、第二电容和第三电容的第二端均接地，微带线分别与最后一级功放管的输出端和输出親合电容的一端连接。
[0010]所述输入匹配电路包括第三电感和第四电容;第三电感的一端与输入耦合电容连接，第三电感的另一端与第一级功放管的输入端连接;第四电容的一端与输入耦合电容和第一电感之间的节点连接，第四电容的另一端接地。
[0011]所述级间匹配电路包括第四电感、第三电阻及第五电容；第四电感的一端与两级功放管中的前一级功放管的输出端连接，第四电感的另一端与所述两级功放管中的后一级功放管的输入端连接;第三电阻的一端与两级功放管中的前一级功放管和第四电感之间的节点连接，第三电阻的另一端与第五电容的一端连接;第五电容的另一端接地。
[0012]本实用新型的有益效果是:
[0013](I)在需要发射信号时，闭合第二开关，实现功率放大器与射频天线接通，在需要接收信号时，闭合第一开关，实现低噪声放大器与射频天线接通，操作简单，且有效降低了干扰，提高了通信质量；
[0014](2)本实用新型中的单刀双掷开关结构简单，开关速度快、体积小、可靠性高、发热量小、易于自造。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型一种射频通信收发电路的结构框图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0017]如图1所示，一种射频通信收发电路，包括射频天线、单刀双掷开关、第一带通滤波电路、第二带通滤波电路、低噪声放大电路、功率放大电路和基带单元，所述单刀双掷开关包括不动端、第一动端、第二动端、第一开关、第二开关、逻辑电路和单刀双掷开关的控制端，不动端分别与第一开关和第二开关的输入端连接，第一开关的输出端与第一动端连接，第二开关的输出端与第二动端连接，第一开关的控制端与逻辑电路的负极连接，第二开关的控制端与逻辑电路的正极连接，逻辑电路的正极与单刀双掷开关的控制端连接;单刀双掷开关的不动端与射频天线连接，单刀双掷开关的第一动端与第一带通滤波电路的输入端连接，第一带通滤波电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与基带单元的输入端连接，单刀双掷开关的第二动端与功率放大电路的输出端连接，功率放大电路的输入端与第二带通滤波电路的输出端连接，第二带通滤波电路的输入端与基带单元的输出端连接。
[0018]本实用新型的工作原理为:在需要发射信号时，闭合第二开关，实现功率放大器与射频天线接通，在需要接收信号时，闭合第一开关，实现低噪声放大器与射频天线接通，操作简单，且有效降低了干扰，提高了通信质量。
[0019]所述低噪声滤波器采用共源共栅结构，低噪声放大器包括一个跟随电容，该跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。
[0020]所述低噪声放大器包括共源结构MOS管、共栅结构MOS管、隔直电容、接地电容、输出电容、跟随电容、第一电感、第二电感、第一电阻和第二电阻。
[0021]所述共源结构MOS管的栅极同时与隔直电容、第一电阻以及跟随电容的一端相连
[0022]接，隔直电容的另一端连接信号输入端口，第一电阻的另一端连接于第一偏置电压输入端口，所述跟随电容的另一端与所述第一电感的一端相连接，然后二者共同接地，第一电感的另一端连接于共源结构MOS管的源极;共源结构MOS管的漏极和共栅结构MOS管的源极相连接;共栅结构MOS管的栅极同时与第二电阻和接地电容的一端相连接，第二电阻的另一端与第二偏置电压输入端口连接，接地电容的另一端接地;共栅结构MOS管的漏极通过输出电容连接于信号的输出端，同时通过所述第二电感连接于外部电源。
[0023]所述低噪声放大器通过在共源的场效应管栅极和参考地之间设置一个电容，并折中优化其电容值，电路结构简单、功耗低、集成度高，能够有效提高输入三阶交调点IIP3，提高低噪声放大器的增益，也对接收系统中后级的噪声系数不产生影响进而改善了线性度，从整体上优化了低噪声放大器的性能。
[0024]所述功率放大器包括依次连接的输入耦合电容、二级以上的功放管和输出耦合电容，输入耦合电容与第一级功放管之间设有输入匹配电路，两级功放管之间设有级间匹配电路，最后一级功放管与输出耦合电容之间设有输出匹配电路;输出匹配电路包括微带线、第一电容、第二电容和第三电容，第一电容、第二电容和第三电容的第一端均与微带线连接，第一电容、第二电容和第三电容的第二端均接地，微带线分别与最后一级功放管的输出端和输出親合电容的一端连接。
[0025]所述输入匹配电路包括第三电感和第四电容;第三电感的一端与输入耦合电容连接，第三电感的另一端与第一级功放管的输入端连接;第四电容的一端与输入耦合电容和第一电感之间的节点连接，第四电容的另一端接地。
[0026]所述级间匹配电路包括第四电感、第三电阻及第五电容；第四电感的一端与两级功放管中的前一级功放管的输出端连接，第四电感的另一端与所述两级功放管中的后一级功放管的输入端连接;第三电阻的一端与两级功放管中的前一级功放管和第四电感之间的节点连接，第三电阻的另一端与第五电容的一端连接;第五电容的另一端接地。
[0027]所述功率放大电路采用电路简单的输入、级间以及输出匹配电路，减小了功率放大电路的体积。
[0028]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种射频通信收发电路，其特征在于:包括射频天线、单刀双掷开关、第一带通滤波电路、第二带通滤波电路、低噪声放大电路、功率放大电路和基带单元，所述单刀双掷开关包括不动端、第一动端、第二动端、第一开关、第二开关、逻辑电路和单刀双掷开关的控制端，不动端分别与第一开关和第二开关的输入端连接，第一开关的输出端与第一动端连接，第二开关的输出端与第二动端连接，第一开关的控制端与逻辑电路的负极连接，第二开关的控制端与逻辑电路的正极连接，逻辑电路的正极与单刀双掷开关的控制端连接;单刀双掷开关的不动端与射频天线连接，单刀双掷开关的第一动端与第一带通滤波电路的输入端连接，第一带通滤波电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与基带单元的输入端连接，单刀双掷开关的第二动端与功率放大电路的输出端连接，功率放大电路的输入端与第二带通滤波电路的输出端连接，第二带通滤波电路的输入端与基带单元的输出端连接。2.根据权利要求1所述的一种射频通信收发电路，其特征在于:所述低噪声滤波器采用共源共栅结构，低噪声放大器包括一个跟随电容，该跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。3.根据权利要求2所述的一种射频通信收发电路，其特征在于:所述低噪声放大器包括共源结构MOS管、共栅结构MOS管、隔直电容、接地电容、输出电容、跟随电容、第一电感、第二电感、第一电阻和第二电阻； 所述共源结构MOS管的栅极同时与隔直电容、第一电阻以及跟随电容的一端相连 接，隔直电容的另一端连接信号输入端口，第一电阻的另一端连接于第一偏置电压输入端口，跟随电容的另一端与所述第一电感的一端相连接，然后二者共同接地，第一电感的另一端连接于共源结构MOS管的源极;共源结构MOS管的漏极和共栅结构MOS管的源极相连接;共栅结构MOS管的栅极同时与第二电阻和接地电容的一端相连接，第二电阻的另一端与第二偏置电压输入端口连接，接地电容的另一端接地;共栅结构MOS管的漏极通过所述输出电容连接于信号的输出端，同时通过第二电感连接于外部电源。4.根据权利要求1所述的一种射频通信收发电路，其特征在于:所述功率放大器包括依次连接的输入耦合电容、二级以上的功放管和输出耦合电容，输入耦合电容与第一级功放管之间设有输入匹配电路，两级功放管之间设有级间匹配电路，最后一级功放管与输出耦合电容之间设有输出匹配电路;输出匹配电路包括微带线、第一电容、第二电容和第三电容，第一电容、第二电容和第三电容的第一端均与微带线连接，第一电容、第二电容和第三电容的第二端均接地，微带线分别与最后一级功放管的输出端和输出耦合电容的一端连接。5.根据权利要求4所述的一种射频通信收发电路，其特征在于:所述输入匹配电路包括第三电感和第四电容;第三电感的一端与输入耦合电容连接，第三电感的另一端与第一级功放管的输入端连接;第四电容的一端与输入耦合电容和第一电感之间的节点连接，第四电容的另一端接地。6.根据权利要求4所述的一种射频通信收发电路，其特征在于:所述级间匹配电路包括第四电感、第三电阻及第五电容;第四电感的一端与两级功放管中的前一级功放管的输出端连接，第四电感的另一端与所述两级功放管中的后一级功放管的输入端连接;第三电阻的一端与两级功放管中的前一级功放管和第四电感之间的节点连接，第三电阻的另一端与第五电容的一端连接;第五电容的另一端接地。
【文档编号】H04B1/40GK205490525SQ201620003153
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月5日
【发明人】燕标
【申请人】成都泰格微波技术股份有限公司