专利名称：有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明要求2002年7月8日申请的第P2002-039259号韩国专利申请的权益，该申请在本申请中以引用的形式加以结合。
由于有机电致发光显示(OELD)装置能够自发光，所以具有宽视角和极佳的对比度。此外，由于OELD装置不需要背光光源等外加光源，因此，与LCD装置相比，OELD装置具有较小的尺寸、较轻的重量和低能耗。此外，OELD装置可以用低电压直流电(DC)驱动并且具有短到微秒的响应时间。由于OELD装置是固相装置，所以OELD装置足以抵抗外部冲击并且具有较大的工作温度范围。此外，由于仅需要用沉积和封装设备来制造OELD装置，由此简化了制造工艺，所以可用低成本来制造OELD装置。
根据装置的驱动方法，可以将OELD装置分成无源矩阵型OELD装置和有源矩阵型OELD装置。无源矩阵型OELD装置因其简单和易于制造而获得广泛使用。然而，无源矩阵型OELD装置的扫描线和信号线在矩阵结构中彼此垂直交叉。由于为了控制每个像素需将扫描电压连续施加到扫描线上，所以在选择的周期内每个像素的瞬间亮度应达到由平均亮度乘以扫描线的数量所得出的值，从而获得所需的平均亮度。所以，随着扫描线数量的增加，施加的电压和电流也增加。而且，由于装置在使用期间容易老化，所以无源矩阵型OELD装置不能够进行高分辨率显示和做成大面积尺寸，并且能耗高。
由于无源矩阵型OELD装置在图像分辨率、能耗和工作寿命方面有很多缺点，所以，开发了在大显示面积的显示器中产生高分辨率图像的有源矩阵型OELD装置。在有源矩阵型OELD装置中，将薄膜晶体管(TFT)设置在每个分像素上，以便作为开关元件接通(ON)和断开(OFF)每个分像素。通过分像素接通/断开与TFT相连的第一电极，面对第一电极的第二电极起公用电极的作用。此外，施加到像素上的电压存储在存储电容器中，因此，不管扫描线的数量是多少，均可以在施加下一帧的电压之前保持原电压并驱动所述装置。因此，由于可以用低供电电流获得同样的亮度，所以有源矩阵型OELD装置具有低能耗和大面积高图像分辨率。
图1是按照现有技术的有源矩阵型OELD装置中像素结构的示意性电路图。在图1中，扫描线1沿第一方向布置，而彼此相隔一定距离的信号线2和电源线3沿垂直于第一方向的第二方向布置。信号线2和电源线3与扫描线1交叉，从而构成像素区。开关薄膜晶体管(TFT)Ts(即，寻址元件)与扫描线1和信号线2相连，而存储电容器CST与开关TFT Ts和电源线3相连。驱动薄膜晶体管(TFT)TD(即，电流源元件)与存储电容器CST和电源线3相连，而有机电致发光(EL)二极管DEL与驱动TFT TD相连。当向有机EL二极管DEL施加正向电流时，电子和空穴通过提供空穴的阳极和提供电子的阴极之间的P(正)-N(负)结再度结合产生电子空穴对。由于电子-空穴对的能量低于独立的电子和空穴，所以在重新结合的和独立的电子-空穴对之间存在能差，该能差的存在可导致发光。
在图1中，当扫描信号发送到相应的扫描线1上时，开关TFT Ts将接通(ON)，并把来自信号线2的数据信号发送到驱动TFT TD上。然后驱动TFT TD接通(ON)，使得来自电源线3的电流穿过驱动TFT TD后，流向有机EL二极管DEL。由此，使有机EL二极管DEL发光。
由于驱动TFT TDON的比率取决于数据信号的值，所以通过控制流过驱动TFT TD的电流可以显示灰度级。此外，尽管未发送数据信号，但是由于在发送下一个数据信号之前存储电容器CST中存有数据，所以有机EL二极管DEL仍会发光。
图2是现有技术中有源矩阵型OELD装置的剖面图。在图2中，在基板10上形成缓冲层12，所述基板包含形成图像的光发射区E。在缓冲层12上形成薄膜晶体管T(可以是驱动薄膜晶体管)。在光发射区E内形成有机EL二极管DEL，该二极管与薄膜晶体管T相连，并且形成与薄膜晶体管T相连的存储电容器CST。
按照图2，在缓冲层12上形成彼此相隔一定距离的半导体层14和第一电容器电极16。而在半导体层14的中部依次形成栅极绝缘层18和栅极20。然后，在基板10的整个表面上形成第一隔层22和第一电容器电极16。接着，在第一隔层22上形成相应于第一电容器电极16的第二电容器电极24，其中第二电容器电极24是从电源线(未示出)上分出的分支。然后，在包含第二电容器电极24的基板10的整个表面上形成第二隔层26。
半导体层14由有源区A、源区S和漏区D构成，有源区A对应于栅极绝缘层18和栅极20，源区S和漏区D分别设置在有源区A的两侧。形成贯穿第一隔层22和第二隔层26的第一接触孔28和第二接触孔30以分别暴露半导体层14的源区S和漏区D。此外，形成仅贯穿第二隔层26的第三接触孔32以暴露第二电容器电极24。
在第二隔层26上形成彼此相隔一定距离的源极34和漏极36。由此，源极34通过第一接触孔28与半导体层14上的源区S相连接，并通过第三接触孔32与第二电容器电极24相连接，而漏极36通过第二接触孔30与半导体层14的漏区D相连。
在包含源极34和漏极36的基板10的整个表面上形成第一钝化层40，其中第一钝化层40具有用于暴露漏极36的第四接触孔38。在光发射区E内的第一钝化层40上形成第一电极42，该第一电极通过第四接触孔38与漏极36相连。尽管图中未示出，但是在形成图像最小单元的每个分像素区内都有第一电极42的图形。
在第一电极42上形成第二钝化层46，第二钝化层46上带有用于暴露第一电极42的开口44。所以，由于第一电极42下面各层的阶梯状覆盖特性，很难形成具有均匀厚度的第一电极42。因此，电场集中在第一电极42的边缘上，并在此产生漏电流。为了防止漏电流，要用第二钝化层46盖住第一电极42的边缘。然后，在光发射区E内的第二钝化层46上形成有机电致发光层48，并在包含有机电致发光层48的基板10的整个表面上形成第二电极50。
由于第一钝化层40是用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等无机材料或是丙烯酸树脂等有机材料制成的，所以第一钝化层40能使第一电极42与第一电极42下面的各层绝缘，并防止下面各层受损害。此外，第二钝化层46可以是堤形以便防止因第一电极42周边的梯形覆盖而导致的漏电流和电短路，和降低第二电极50与栅极线(未示出)，即图1中的扫描线之间，以及第二电极50与数据线(未示出)，即图1中的信号线之间的寄生电容。
此外，如果用氧化硅和氮化硅等无机材料制作第一钝化层40，则应沿着第二隔层26的形状沉积第一钝化层40，这样将增加第一钝化层40的表面粗糙度。因此，将使第一钝化层40上第一电极42的性能降低。此外，在此是用等离子体增强的化学蒸镀沉积法(PECVD)或溅射法来形成第一电极42，所述化学蒸镀沉积法是通过与等离子体中具有高能的电子碰撞时分解反应的气体分子和使分解的气体原子粘附到基板的表面上来沉积薄膜，所述溅射法是通过高能离子与固相靶的碰撞和从靶上分离解原子和分子来沉积薄膜。因此，第一电极42的表面平整度很差。所以，在表面上很容易形成隆起或尖峰，有机电致发光装置会因隆起或尖峰产生的漏电流而不能正常工作。因此，不发光的像素数量将随着使用时间的流逝而增加，而且使装置的寿命缩短。
此外，如果用无机材料制作形成开口44的第二钝化层46，则需要用SF6和O2或CF4和O2的气体混合物通过干法蚀刻工艺对第二钝化层46进行蚀刻。这时，如果用透明导电材料氧化铟锡(ITO)来制作第一电极42的话，由于气体混合物的缘故，很难把第一电极42的费米级(Ferm level)控制到期望值。
本发明的目的是，提供一种提高了耐久性和可靠性的有源矩阵型有机电致发光显示装置。
本发明的另一个目的是，提供一种制造具有高耐久性和可靠性的有源矩阵型有机电致发光显示装置的方法。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出，其中一部分特征和优点可以从说明中明显得出或是通过对本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的这些和其它优点。
为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的，作为概括和广义的描述，本发明的有源矩阵型有机电致发光显示装置包括含有光发射区的基板，光发射区中带有分像素区；设在基板上分像素区内的多个开关元件；覆盖多个开关元件并且带有多个第一接触孔以暴露多个开关元件的第一钝化层；设在第一钝化层上的多个第一电极，每个第一电极通过每个第一接触孔与每个开关元件连接；设在多个第一电极上的第二钝化层，第二钝化层上具有多个用于暴露多个第一电极的开口，而且第二钝化层覆盖多个第一电极的边缘部分；设在第二钝化层上的多个有机电致发光层，每个有机电致发光层通过每个开口与每个第一电极接触；和设在多个有机电致发光层上的第二电极，其中用具有平整上表面的第一有机材料制作第一钝化层，用第二有机材料制作第二钝化层，所述第二有机材料的形成温度低于无机材料的形成温度。
按照本发明的另一方面，所述制造有源矩阵型有机电致发光显示装置的方法包括的步骤有在具有分像素区的基板上形成开关元件；在开关元件上形成第一有机材料的第一钝化层；在第一钝化层上的分像素区内形成第一电极，所述第一电极通过第一接触孔与开关元件接触；在第一电极上形成第二有机材料的第二钝化层，第二钝化层具有用于暴露第一电极的开口，且第二钝化层覆盖第一电极的边缘部分；在第二钝化层上的分像素区内形成有机电致发光层，有机电致发光层通过开口与第一电极接触；和在有机电致发光层上形成第二电极，其中第一钝化层包括具有平整上表面的第一有机材料，而第二钝化层包括第二有机材料，所述第二有机材料的形成温度低于无机材料的形成温度。
很显然，上面的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其意在对本发明的权利要求作进一步解释。
图1是表示现有技术中有源矩阵型OELD装置像素结构的等效电路图；图2是现有技术中有源矩阵型OELD装置的剖面图；图3是本发明所述示例性有源矩阵型OELD装置的剖面图；图4是本发明所述另一种有源矩阵型OELD装置的剖面图；图5是制造本发明所述有源矩阵型OELD装置示例性方法的流程图。
图3是本发明所述示例性有源矩阵型OELD装置的剖面图。在图3中，在包含形成图像的光发射区E的基板110上形成缓冲层112，和在缓冲层112上形成薄膜晶体管T。此外，在光发射区E上形成有机电致发光(EL)二极管DEL，所述二极管与薄膜晶体管T的第一部分相连，和形成与薄膜晶体管T第二部分相连的存储电容器CST。
按照图3，在缓冲层112上形成半导体层114和第一电容器电极116，和在半导体层114的中间部分依次形成栅极绝缘层118和栅极120。此外，在基板110的整个表面上形成覆盖栅极120和第一电容器电极116的第一隔层122。而且，在第一隔层122上形成与第一电容器电极116相对应的第二电容器电极124，其中第二电容器电极124可以是从电源线(未示出)上分出的分支，和在包含第二电容器电极124的基板110的整个表面上形成第二隔层126。
尽管图中未示出，但是沿着第一方向形成与栅极相连且被称之为扫描线的栅极线，和沿着与栅极线交叉的第二方向形成与第二电容器电极124相连的电源线。而且，栅极120与有源矩阵型OELD装置的开关薄膜晶体管(未示出)上的漏极相连。
按照图3，半导体层114包括有源区A、源区S和漏区D，所述有源区A对应于栅极绝缘层118和栅极120，源区S和漏区D分别设置在有源区A的两侧。半导体层114的第一电容器电极116由晶体硅，例如多晶硅构成。半导体层114的有源区A对应于无杂质半导体区，而半导体层114的源区S和漏区D以及第一电容器电极116对应于离子掺杂的半导体区。
栅极绝缘层118、第一隔层122、和第二隔层126由绝缘材料制成。例如，栅极绝缘层118可以用氮化硅(SiNx)制成，第一和第二隔层122和126可以用氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机材料制成。此外，第一隔层122和第二隔层126可以包括用于暴露半导体层114中源区S的第一接触孔128，和用于暴露半导体层114中漏区D的第二接触孔130。第二隔层126也可以包括用于暴露第二电容器电极124的第三接触孔132，其中可以将第一和第二电容器电极115和124以及第一隔层122设置成存储电容器CST。
按照图3，可以在第二隔层126上形成源极134和漏极136，其中源极134可以通过第一接触孔128与半导体层114上的源区S相连并可以通过第三接触孔132与第二电容器电极124相连，而漏极136可以通过第二接触孔130与半导体层114上的漏区D相连。源极134和漏极136可以包括具有抗强化学腐蚀性的金属材料，例如钼(Mo)、镍(Ni)、钨(W)和铬(Cr)。
在包含源极134和漏极136的基板110的整个表面上形成第一钝化层140，其中第一钝化层140上具有用于暴露漏极136的第四接触孔138。此外，在光发射区E内的第一钝化层140上形成第一电极142，该第一电极通过第四接触孔138与漏极136相连。尽管图中未示出，但是在每个分像素区内都有第一电极142的图形。
因此，可以用具有平整表面的有机材料制作第一钝化层140以改善第一电极142的表面特性。例如，可以用苯并环丁烯(BCB)、聚丙烯酸酯和聚酰亚胺之一制作第一钝化层140。由于可以通过旋涂法形成这些有机层，所以有机层不会受到下面各层布图的明显影响。所以容易使有机材料的上表面平整。例如，第一钝化层140的厚度可以大于1μm，并且可以在约1μm到约10μm的范围内。
按照图3，可以在第一电极142上形成第二钝化层146，其中第二钝化层146上带有用于暴露第一电极142的开口144。为了防止在第一电极142的边缘部分产生漏电流，要使形成的第二钝化层146盖住第一电极142的边缘。可以用能在较低温度下形成的有机材料制作第二钝化层，这些材料例如可以是光致抗蚀材料、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺和苯并环丁烯(BCB)等。
按照图3，可以在光发射区E内的第二钝化层146上形成有机电致发光层148，该发光层通过开口44与第一电极142接触。接着，在包含有机电致发光层148的基板110的整个表面上形成第二电极150。而且，第一电极142和第二电极150以及设置在第一电极142和第二电极150之间的有机电致发光层148形成有机EL二极管DEL。
按照本发明，用有机材料制作处于有机EL二极管DEL下层并与有机EL二极管DEL接触的第一钝化层140和覆盖第一电极142的边缘部分并设置在第一电极142和第二电极150之间的第二钝化层146。如果用相同的有机材料制作第一和第二钝化层140和146，则在形成第二钝化层146时，第二钝化层146的蚀刻剂会腐蚀第一钝化层，并损害第一和第二钝化层140和146之间的第一电极142。因此，要用不同的有机材料制作第一和第二钝化层140和146。
由于与其他有机材料相比，聚酰亚胺材料对例如氧化铟锡等透明导电材料的粘合性很好，所以有利的是使聚酰亚胺材料的酰亚胺比率，即聚酰亚胺中具有亚氨基(NH)的化合物比率大于约95％。由于聚酰亚胺的酰亚胺比例具有高粘附性，所以聚酰亚胺最大限度地减小了形成其他有机材料时的工艺影响。因此，由于当用相同的材料制作第一和第二钝化层140和146时会损害第一电极142，所以有利的是仅用聚酰亚胺材料作为第一钝化层104或是第二钝化层146。此外，可以用聚酰亚胺材料作为第一钝化层140，这样在形成第二钝化层146的过程中，可以最大限度地减小第二钝化层146的溶剂对第一钝化层140的影响。
尽管可以用无机材料制作包含开口144的第二钝化层146，但是这将减缓第一电极142表面特性的变化，所述第一电极由氧化铟锡制成并且由开口暴露。如果第一电极142和第二电极146分别起正电极和负电极的作用，而且来自有机电致发光层148的光射过第二电极150，则可以认为OELD装置是上部发射型OELD装置，而且可以用透明导电材料制作第二电极150。
图4是本发明所述另一种有源矩阵型OELD装置的剖面图。在图4中，通过在基板210上形成的分像素区Psub和包含半导体层212、栅极214、源极216及漏极218的薄膜晶体管T可以确定基板210上的光发射区E。此外，在包含薄膜晶体管T的基板210的整个表面上形成用第一有机材料制成的第一钝化层222，其中第一钝化层可以包括用于暴露漏极218的漏极接触孔220。而且，可以在第一钝化层222上形成第一电极224，该电极通过漏极接触孔220与漏极218接触。
在第一电极224上形成覆盖第一电极224边缘部分的第二钝化层228，第二钝化层可以由第二有机材料制成，而且第二钝化层上设有用于暴露第一电极224的开口226。此外，在第二钝化层228上形成有机电致发光层230，该发光层通过开口226与第一电极224接触。而且，可以在包含有机电致发光层230的基板210的整个表面上形成第二电极232。
第一有机材料可以选自具有良好平整性的有机材料，例如，苯并环丁烯、聚丙烯酸酯和聚酰亚胺等，而第二有机材料可以是光致抗蚀材料、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺和苯并环丁烯(BCB)之一。由于有机材料可以在比无机材料硬化温度低的温度下硬化，所以第二有机材料可以选自形成温度低于第一有机材料形成温度的有机材料，其中形成温度可以包括涂敷有机材料后的烘烤和固化温度。如果第二有机材料的形成温度比较高，那么第一有机材料可能会硬化的太快并且由于有机材料层变性而容易形成瑕疵。因此，可以用不同的材料制成第一有机材料和第二有机材料，其中第一有机材料可以包括聚酰亚胺材料，从而使聚酰亚胺的酰亚胺比率超过95％。
图5是制造本发明所述有源矩阵型OELD装置示例性方法的流程图。在图5中，步骤ST1可以包括在包含分像素区的基板上形成薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括与有机电致发光二极管相连的驱动薄膜晶体管和与栅极线及数据线相连的开关薄膜晶体管。
步骤ST2可以包括在包含薄膜晶体管的基板的整个表面上形成第一钝化层。第一钝化层可以用第一有机材料制成，并且可以包括用于暴露薄膜晶体管一部分的第一接触孔。
步骤ST3可以包括在第一钝化层上形成第一电极，其中第一电极可以通过第一接触孔与薄膜晶体管相连。
步骤ST4可以包括在第一电极上形成第二钝化层，其中第二钝化层可以用第二有机材料制成。此外，第二钝化层可以包括用于暴露第一电极的开口，而且第二钝化层覆盖第一电极的边缘部分。
步骤ST5可以包括在第二钝化层上形成有机电致发光层，并在包含有机电致发光层的基板整个表面上形成第二电极。而且，有机电致发光层通过开口与第一电极相连。
例如，第一有机材料和第二有机材料可以选自不同的有机材料。如果第一有机材料或第二有机材料选自聚酰亚胺材料，则聚酰亚胺材料的酰亚胺比率便会大于95％。例如，可以用聚酰亚胺材料作为第一有机材料。
按照本发明，由于可以用旋涂法来形成钝化层，所以对有源矩阵型OELD装置非常有利，钝化层的厚度比用化学蒸镀沉积法得到的无机层要厚一些。此外，由于下面各层的布图对钝化层的上表面影响极小，所以钝化层可以具有很平整的表面。所以可以防止有机电致发光装置电极之间产生电短路。
而且，由于可以在低于有机材料层形成温度的温度下形成有机层，所以可以减少下面各层的损坏。此外，由于所用的有机材料具有很平整的上表面，所以可以增加装置的整体厚度，因此提高了装置的耐久性和可靠性。
对于熟悉本领域的技术人员来说，很显然，在不脱离本发明构思或范围的情况下，可以对本发明所述有机电致发光装置和制造有机电致发光装置的方法做出各种改进和变型。因此，本发明意在覆盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的改进和变型。
权利要求
1.一种有源矩阵型有机电致发光显示装置，包括含有光发射区的基板，所述光发射区上带有分像素区；设在基板上分像素区内的多个开关元件；覆盖多个开关元件并且带有多个第一接触孔以暴露多个开关元件的第一钝化层；设在第一钝化层上的多个第一电极，每个第一电极通过每个第一接触孔与每个开关元件连接；设在多个第一电极上的第二钝化层，第二钝化层上具有多个用于暴露多个第一电极的开口，而且第二钝化层覆盖多个第一电极的边缘部分；设在第二钝化层上的多个有机电致发光层，每个有机电致发光层通过每个开口与每个第一电极接触；和设在多个有机电致发光层上的第二电极，其中用具有平整上表面的第一有机材料制作第一钝化层，用第二有机材料制作第二钝化层，所述第二有机材料的形成温度低于无机材料的形成温度。
2.根据权利要求1所述的装置，其中第一有机材料包括苯并环丁烯、聚丙烯酸酯和聚酰亚胺中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的装置，其中聚酰亚胺的酰亚胺比率大于约95％。
4.根据权利要求1所述的装置，其中第二有机材料包括光致抗蚀剂、苯并环丁烯、聚丙烯酸酯和聚酰亚胺中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的装置，其中聚酰亚胺的酰亚胺比率大于约95％。
6.根据权利要求1所述的装置，其中多个第一电极作为正极，而第二电极作为负极。
7.根据权利要求6所述的装置，其中有机电致发光层产生的光透过第二电极。
8.根据权利要求7所述的装置，其中第二电极包含透明导电材料。
9.根据权利要求1所述的装置，其中每个开关元件包括带有有源区、源区和漏区的半导体层，设在有源区上方的栅极，与源区相连的源极，和与漏区相连的漏极。
10.根据权利要求9所述的装置，其中进一步包括与多个开关元件电性连接的多个存储电容器。
11.根据权利要求10所述的装置，其中每个存储电容器包括用与半导体层相同材料制成的第一电容器电极和与源极相连的第二电容器电极。
12.根据权利要求1所述的装置，其中第一和第二钝化层用旋涂法形成。
13.根据权利要求1所述的装置，其中第一钝化层的厚度在约1μm至约10μm的范围内。
14.根据权利要求1所述的装置，其中第一和第二钝化层用不同的有机材料制成。
15.制造有源矩阵型有机电致发光显示装置的方法，包括以下步骤在具有分像素区的基板上形成开关元件；在开关元件上形成第一有机材料的第一钝化层，第一钝化层包括用于暴露开关元件的第一接触孔；在分像素区内的第一钝化层上形成第一电极，所述第一电极通过第一接触孔与开关元件相连；在第一电极上形成第二有机材料的第二钝化层，第二钝化层具有用于暴露第一电极的开口，且第二钝化层覆盖第一电极的边缘部分；在分像素区内的第二钝化层上形成有机电致发光层，有机电致发光层通过开口与第一电极接触；和在有机电致发光层上形成第二电极，其中第一钝化层包括具有平整上表面的第一有机材料，而第二钝化层包括第二有机材料，所述第二有机材料的形成温度低于无机材料的形成温度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中第一和第二钝化层是通过旋涂法形成的。
17.根据权利要求15所述的方法，其中第一和第二有机材料之一包括聚酰亚胺。
18.根据权利要求17所述的方法，其中聚酰亚胺的酰亚胺比率大于约95％。
19.根据权利要求15所述的方法，其中开关元件包括带有有源区、源区和漏区的半导体层，设在有源区上方的栅极，与源区相连的源极，和与漏区相连的漏极。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括形成与开关元件电性连接的存储电容器。
21.根据权利要求20所述的方法，其中存储电容器包括用与半导体层相同材料制成的第一电容器电极和与源极相连的第二电容器电极。
22.根据权利要求15所述的方法，其中第一钝化层的厚度在约1μm至约10μm的范围内。
23.根据权利要求15所述的方法，其中第一和第二钝化层用不同的有机材料制成。
全文摘要
有源矩阵型有机电致发光显示装置包括含有光发射区的基板，光发射区中带有分像素区；设在基板上分像素区内的多个开关元件；覆盖多个开关元件并且带有多个第一接触孔以暴露多个开关元件的第一钝化层；设在第一钝化层上的多个第一电极，每个第一电极通过每个第一接触孔与每个开关元件连接；设在多个第一电极上的第二钝化层，第二钝化层上具有多个用于暴露多个第一电极的开口，而且第二钝化层覆盖多个第一电极的边缘部分；设在第二钝化层上的多个有机电致发光层，每个有机电致发光层通过每个开口与每个第一电极接触；和设在多个有机电致发光层上的第二电极，其中用具有平整上表面的第一有机材料制作第一钝化层，用第二有机材料制作第二钝化层，所述第二有机材料的形成温度低于无机材料的形成温度。
文档编号H05B33/14GK1476281SQ0314822
公开日2004年2月18日 申请日期2003年7月3日 优先权日2002年7月8日
发明者朴宰用, 俞冲根, 金玉姬, 安泰濬 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社