专利名称：主动元件基板及有机电激发光显示器的制作方法
技术领域：
本发明是有关于主动元件基板，特别是有关于具有保护层的主动元件基板及搭载其上的有机电激发光显示器的制作方法。
背景技术：
一般传统在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板是属于大基板制程，在数组(array)段制程完成后便直接送入面板组立(cell)制程。然而，就有机电激发光显示器制作流程而言，通常在基板完成数组(array)段制程之后，必需切割、外送及入库储存，才进行后段的有机电激发光元件制程。然而，在切割及外送过程中，会造成微粒、刮伤或污损等问题而降低良率。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有保护层的主动元件基板，是在具有薄膜晶体管数组的基板完成数组(array)段制程之后，在基板上形成一保护层，待完成切割、外送及入库储存等动作之后才去除此保护层，以避免微粒、刮伤或污损等问题，故可提升有机电激发光显示器的良率。
根据上述目的，本发明提供一种具有保护层的主动元件基板，上述基板包括主动元件、画素电极与保护层，主动元件与画素电极电性连接，保护层设置于主动元件与画素电极之上。
上述主动元件包括薄膜晶体管(TFT)、薄膜二极管(TFD)、PIN二极管、MIM二极管或场效晶体管(FET)。
在一较佳实施例中，保护层是水性材料，例如聚乙烯醇(PVA)。在另一实施例中，保护层是有机材料，例如压克力系正型光阻材料。在又一实施例中，其中保护层是以滚压方式贴合的干膜，例如聚乙酰胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚碳酸酯(PC)。此外，保护层亦可为无机材料，例如氧化硅或氮化硅。
图1是显示根据本发明的有机电激发光显示器的制作流程图；以及图2是显示本发明具有保护层的主动元件基板的剖面图。
符号说明10～基板；20～主动元件；30～隔离层；40～画素电极；100～主动元件基板；200～保护层；310-350～有机电激发光显示器的制作步骤。
具体实施例方式
以下配合图式以及较佳实施例，以更详细地说明本发明。
以下利用图1来说明本发明的具有保护层的主动元件基板及有机电激发光显示器的制作流程图。
请参阅图1，首先请参考步骤310，于一基板(例如是玻璃基板)上制作主动元件，上述主动元件包括薄膜晶体管(TFT)、薄膜二极管(TFD)、PIN二极管、MIM二极管或场效晶体管(FET)。接着，请参考步骤320，形成一保护层于具有主动元件的基板上。请参考步骤330a，在进行后段的有机电激发光元件制程之前，必需将上述具有主动元件的基板切割成适合有机电激发光元件制程的尺寸。之后如步骤340所示，去除此保护层。根据本发明的另一较佳实施方式，在完成步骤320之后，可直接进行步骤330b，将具有保护层的主动元件基板运送至客户端或入库储存。之后如步骤340所示，再去除保护层。最后，请参考步骤350，形成有机电激发光元件于具有主动元件的基板上。
图2是显示具有保护层200的主动元件基板100的剖面图。该主动元件基板100包括一基板10，例如玻璃基板。在基板10的上设置有主动元件20。上述主动元件20包括薄膜晶体管(TFT)、薄膜二极管(TFD)、PIN二极管、MIM二极管或场效晶体管(FET)。于主动元件20之间具有隔离层30。在隔离层30上设置有一画素电极40，该画素电极40与主动元件20电性连接。
在进行后段的有机电激发光元件制程之前，必需将上述主动元件基板切割成适合有机电激发光元件制程的尺寸。然而目前所使用的切割设备大部分为刀轮式刀头，切割后易有玻璃碎屑附着于主动元件基板，在后续清洗制程中，易产生刮伤与微粒等问题。因此，本发明在基板完成数组(array)段制程后，增加保护层200全面覆盖于其上。
在一较佳实施例中，保护层200是由水性材料所制成，例如聚乙烯醇(PVA)。利用旋转涂布(spin coating)的方式将聚乙烯醇(PVA)溶液旋布于具主动元件基板100上，成膜后的软烤温度约为80～120℃，在软烤步骤后即完成保护层200的制作，保护层200的去除方法以水洗方式即可去除。
在另一较佳实施例中，保护层200亦可由有机材料所制成，例如压克力是正型光阻材料。利用旋转涂布(spin coating)的方式将正型光阻材料的溶液覆盖于具主动元件基板100上，成膜后软烤温度约为80～90℃，2～3分钟。接着，全面曝光(紫外光I-线(I-line)曝光能量250mJ以上)，曝光后不需烘烤(baking)，即完成保护层200的制作。去除保护层200方法可用浓度0.1％～1.0％的有机碱溶液去除，例如浓度0.4％氢氧化四甲基铵(TMAH)的显影液。
在又一较佳实施例中，保护层200是以滚压方式贴合的干膜材料，例如以聚乙酰胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚碳酸酯(PC)等干膜贴合于具主动元件基板100上。去除方法以有机溶液浸泡即可去除。
此外，保护层200亦可为无机材料，例如氧化硅或氮化硅。其形成方式可利用物理气相沉积法(PVD)或化学气相沉积法(CVD)沉积于具主动元件基板100上。去除方法以湿蚀刻或干蚀刻法移除。
在进行后段的有机电激发光元件制程之前，去除保护层200，以确保具有主动元件的基板100在进入后段制程的洁净程度，才进行有机电激发光元件制程，其中有机电激发光元件包括电洞传输层、有机电激发光层、电子传输层与导电层。由于保护层200的保护，得以避免切割或外送时所造成的微粒与刮伤等问题，大幅提高有机电激发光显示器的良率。
权利要求
1.一种具有保护层的主动元件基板，包括一具有主动元件的基板；以及一保护层，全面性覆盖于该具有主动元件的基板上。
2.根据权利要求1所述的具有保护层的主动元件基板，其中该具有主动元件的基板包括一基板，在基板的上设置有一主动元件数组；一隔离层，设置于该基板上且位于该主动元件之间；一画素电极，设置于该隔离层上，其中该画素电极与主动元件电性连接。
3.根据权利要求2所述的具有保护层的主动元件基板，其中该基板的材质是玻璃、硅或塑料。
4.根据权利要求2所述的具有保护层的主动元件基板，其中该主动元件包括薄膜晶体管、薄膜二极管、PIN二极管、MIM二极管、或场效晶体管。
5.根据权利要求1所述的具有保护层的主动元件基板，其中该保护层的材质是水性材料。
6.根据权利要求5所述的具有保护层的主动元件基板，其中该保护层的材质是聚乙烯醇。
7.根据权利要求1所述的具有保护层的主动元件基板，其中该保护层的材质是有机材料。
8.根据权利要求7所述的具有保护层的主动元件基板，其中该有机材料是压克力系正型光阻材料。
9.根据权利要求1所述的具有保护层的主动元件基板，其中该保护层是以滚压方式贴合的干膜。
10.根据权利要求9所述的具有保护层的主动元件基板，其中该干膜的材质是聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯。
全文摘要
本发明提供具有保护层的主动元件基板。上述基板包括主动元件、画素电极与保护层，画素电极与主动元件电性连接，保护层全面性覆盖于主动元件与画素电极之上。在基板完成数组(array)段制程之后，于其上形成保护层，再进行切割、外送及入库储存等动作，于有机电激发光元件制程之前才去除此保护层，以避免后续有机电激发光元件制程有微粒、刮伤或污损等问题。
文档编号H05B33/10GK1662108SQ20041000317
公开日2005年8月31日 申请日期2004年2月24日 优先权日2004年2月24日
发明者陈光荣 申请人:统宝光电股份有限公司