专利名称：有机平面发光显示器及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机平面发光显示器及其制作方法，特别是涉及一种可视画素定义减少阻抗矩阵(Visual Pixel Definition Reduce ResistanceMatrix；简称VPDRRM)在有机平面发光显示器的应用的有机平面发光显示器及其制作方法。
背景技术：
随着可携式电子产品如手机、数字相机或是个人数字助理等的不断普及，平面显示器(FPD)的性能也日益重要。平面显示器主要包括液晶显示器(LCD)、电浆显示器及有机电激显示器等，目前较为普及的液晶显示器因为其液晶本身不会发光，需要加装背光板，从而对于重量、体积及成本上有不利的影响。
1987年美国柯达公司首先发表有机发光二极管(简称OLED)，在两片电极间注入有机小分子材料；其后1990年英国剑桥大学发表高分子发光二极管(简称PLED)，在近十几年来，由于各厂商的积极研发，因此有机发光层的材料、特性及相关技术均有大幅的突破。由于有机电激显示器具有自发光、较大操作温度范围及广视角的优点，因此可望成为主流的平面显示器。
请参阅图1所示，为一现有习知的有机发光二极管组件10的结构剖视图，该有机发光二极管组件10，主要包括一玻璃基板100、在玻璃基板100上成预定图案的阳极图案层120、主要位在阳极图案层120上的OLED发光多层结构140、位在OLED发光层140上的阴极层122、以及位在阳极图案层120之间作为隔绝用的绝缘区160。其中，该OLED发光多层结构140，其包括由下而上的电洞传输层(HTL)142、发光材料层(EML)144以及电子传输层(ETL)146。在经由阳极图案层120及阴极层122通入电流后，电子电洞分别经由电子传输层(ETL)146及电洞传输层(HTL)142在发光材料层(EML)144结合发光。为了定义画素面积与避免各个画素(由阳极图案层120界定)之间的短路问题，在阳极图案层120之间形成绝缘区160。
请参阅图2所示，图2A是是另一种现有习知的有机发光二极管组件10的结构剖视图，图2B是图2A中有机发光二极管组件的上视图。该有机发光二极管组件10与图1所示有相近的组件，因此使用类似的组件标号，在阳极图案层120的一侧上方具有一金属导线180，以降低阳极图案层120的阻抗。如图2B所示，该金属导线180是在有机发光二极管组件10的上方呈条状分布。由于阳极图案层120通常使用功函数(work function)较高的材料以提高电洞产生效率，如可以使用氧化铟锡(ITO)材料，因此会具有较大的阻抗，影响发光效率。金属导线180可使用功函数较阳极图案层120小的材料，以降低阳极的整体阻抗，提升发光效率。
请参阅图3所示，是另一种现有习知的有机发光二极管组件10的结构剖视图，该有机发光二极管组件10与图1所示有相近的组件，因此使用类似的组件标号，为了防止的因载子注入而影响画素面积的开口率大小，如此图所示，在阳极图案层120的两个侧面形成设有金属导线180，以防止因载子注入而影响画素面积的开口率，并可更进一步提高发光效率。
然而在上述的各现有习知技术的有机平面发光显示器及其制作方法中，均无法达成同时兼具有效降低阻抗及界定画素的发光区域，并可以减少不同颜色的发光材料层(EML)之间的互相干扰的效果。
由此可见，上述现有的有机平面发光显示器及其制作方法在实际制造与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决有机平面发光显示器及其制作方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的有机平面发光显示器及其制作方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的有机平面发光显示器及其制作方法，能够改进一般现有的有机平面发光显示器及其制作方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服上述现有的有机平面发光显示器存在的缺陷，而提供一种新型结构的有机平面发光显示器，所要解决的技术问题是使其提供一种使用可视画素定义减少阻抗矩阵(Visual Pixel DefinitionReduce Resistance Matrix；VPDRRM)的有机平面发光显示器，其中金属矩阵图案可以有效的降低阻抗及界定可视画素的发光区域，并可以减少不同颜色的发光材料层(EML)之间的互相干扰，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种制作上述有机平面发光显示器的方法，可利用微影蚀刻制程制作出金属矩阵图案，并使金属矩阵图案围绕阳极图案层的边缘上方及/或侧面，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种有机平面发光显示器，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器，其包括一玻璃基板；在玻璃基板上呈预定图案的阳极图案层；位在阳极图案层上的OLED发光多层结构；位在阳极图案层之间作为隔绝用的绝缘区；以及在阳极图案层四周的金属矩阵图案。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘上方。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘，并覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘部份为渐窄(tapered)形状。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的阳极为氧化铟锡(ITO)材质。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的OLED发光多层结构包括由下而上的电洞传输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的金属矩阵图案是用金、银、铝、铜与铬等材质。
前述的有机平面发光显示器，其中所述的OLED发光多层结构可为单色或是多色。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种有机平面发光显示器的制作方法，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器的制作方法，其包括以下步骤置备一玻璃基板并成长一阳极层薄膜；在所得结构上成长一金属薄膜；利用微影蚀刻制程，在金属薄膜制作出金属矩阵图案；利用微影蚀刻制程，制作阳极图案，并使金属矩阵图案成为围绕阳极图案层四周的图案；利用微影制程，制作绝缘区；以及制作OLED发光多层结构。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘上方。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘，并覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘部份为渐窄(tapered)形状。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的阳极为氧化铟锡(ITO)材质。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的OLED发光多层结构包括由下而上的电洞传输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是用金、银、铝、铜与铬等材质。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的OLED发光多层结构可为单色或是多色。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种有机平面发光显示器的制作方法，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器的制作方法，其包括以下步骤置备一玻璃基板并成长一阳极层薄膜；利用微影蚀刻制程，制作阳极图案；在所得结构上成长一金属薄膜；利用微影蚀刻制程，在金属薄膜制作出金属矩阵图案，并使金属矩阵图案成为围绕阳极图案层四周的图案；利用微影制程，制作绝缘区；以及制作OLED发光多层结构。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘上方。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘，并覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘部份为渐窄(tapered)形状。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的阳极为氧化铟锡(ITO)材质。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的OLED发光多层结构包括由下而上的电洞传输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的金属矩阵图案是用金、银、铝、铜与铬等材质。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其中所述的OLED发光多层结构可为单色或是多色。
前述的有机平面发光显示器的制作方法，其更包括设立一不透明及高反射率阴极的步骤，该不透明及高反射率阴极可与该金属矩阵图案构成一立体遮蔽区域以使光线仅由阳极射出。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下本发明提供一种有机平面发光显示器，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器。该VPDRRM有机平面发光显示器，主要是在有机平面发光显示器的阳极图案层的四周提供金属矩阵图案，该金属矩阵图案可位在阳极图案层的边缘上方、位在阳极图案层的侧缘或是同时覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。再者，该金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作，如可用金、银、铝、铜与铬等材质。
本发明还提供一种有机平面发光显示器的制作方法，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器的制作方法，其可利用微影蚀刻制程制作出金属矩阵图案，并使金属矩阵图案围绕阳极图案层的边缘上方及/或侧面。
借由上述技术方案，本发明有机平面发光显示器及其制作方法至少具有下列结构特点及优点1、金属矩阵图案可接触其ITO等透明电极的面上侧边或两侧，并呈矩阵状排列，因此可以降低电极导线的阻抗，并用来定义可视画素的发光区域。
2、金属矩阵图案可以避免有机光源向四周非显示区域溢射及降低外在光源对OLED组件的反射干扰。
3、金属矩阵图案可以避免不同EL颜色的发光相互干扰，例如使用在全彩RGB Side by Side制程时，能够阻绝其不同颜色的相互干扰。
4、利用该不透光性金属矩阵图案，可以增加光源色彩纯化与灰阶效率，并可增加视角的清晰程度。
综上所述，本发明提供了一种特殊的有机平面发光显示器及其制作方法。该使用可视画素定义减少阻抗矩阵(Visual Pixel Definition ReduceResistance Matrix；VPDRRM)的有机平面发光显示器，具有金属矩阵图案，可以有效降低阻抗及界定可视画素的发光区域，并可减少不同颜色的发光材料层(EML)之间的互相干扰，确实具有产业上的进步性。该制作上述有机平面发光显示器的方法，可利用微影蚀刻制程制作出金属矩阵图案，并使金属矩阵图案围绕阳极图案层的边缘上方及/或侧面。其具有上述诸多优点及实用价值，并在同类产品及方法中未见有类似的结构设计及方法公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构、方法或功能上皆有较大改进，在技术上有较大进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的有机平面发光显示器及其制作方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更进一步清楚了解本发明的特征及技术内容，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
图1是一现有习知的有机发光二极管组件的结构剖视图。
图2A是另一现有习知的有机发光二极管组件的结构剖视图。
图2B是图2A中有机发光二极管组件的上视图。
图3是另一现有习知的有机发光二极管组件的剖视图。
图4A至图4E是依据本发明不同较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器的图形示意图。
图5A至图5F是依据本发明的有机发光二极管组件的制程流程图。
图6A至图6F是另一依据本发明的有机发光二极管组件的制程流程图。
10 有机发光二极管组件100玻璃基板120阳极图案层122阴极层140发光多层结构 142电洞传输层144发光材料层146电子传输层160绝缘区180金属导线20 有机发光二极管组件200玻璃基板220阳极图案层222阴极层240发光多层结构 242电洞传输层244发光材料层246电子传输层260绝缘区280金属矩阵图案282下侧部份具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的有机平面发光显示器及其制作方法其具体结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
通过
具体实施例方式
的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
请参阅图4A所示，是依据本发明第一较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20的剖面图，本发明较佳实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20，主要包括一玻璃基板200、在玻璃基板200上成预定图案的阳极图案层220、主要位在阳极图案层220上的OLED发光多层结构240、位在OLED发光层240上的阴极层222、及位在阳极图案层220之间作为隔绝用的隔离层260。其中OLED发光多层结构240，其包括由下而上的电洞传输层(HTL)242、发光材料层(EML)244以及电子传输层(ETL)246。在经由阳极图案层220及阴极层222通入电流后，电子电洞分别经由电子传输层(ETL)246及电洞传输层(HTL)242在发光材料层(EML)244结合发光。为了避免各个画素之间的画素面积开口率大小与短路问题，在阳极图案层220之间形成绝缘区260。
请参阅图4A所示，该VPDRRM有机平面发光显示器20具有在阳极图案层220上侧周围的金属矩阵图案280，因此分布在画素四周的此金属导线区域(即VPDRRM)，可以用来定义可视画素的发光区域。换言之，分布在画素四周的此(不透光性)金属导线区域(即VPDRRM)，功能非仅是用来避免有机光源向四周非显示区域溢射，再者分布在画素四周的此(不透光性)金属导线区域(即VPDRRM)，可以降低外在光源对OLED组件的反射干扰。此外分布在画素四周的该(不透光性)金属导线区域(即VPDRRM)，用以定义可视画素发光区域，可以避免不同EL颜色的发光相互干扰(例如使用在全彩RGBSide by Side制程时，能阻绝其不同颜色的相互干扰)。
在图4A所示的VPDRRM有机平面发光显示器20中，三个发光材料层(EML)244可以发出不同颜色，例如可以分别发出红蓝绿(RBG)三色，以达成全彩应用。该金属矩阵图案可以避免不同EL颜色的发光相互干扰，达成更佳的色彩分辨率。
请参阅图4B所示，是依据本发明第二较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20的剖面图。该VPDRRM有机平面发光显示器20主要组件与图4A图所示的本发明第一较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20相似，但是该VPDRRM有机平面发光显示器20具有在阳极图案层220周围的金属矩阵图案280，因此分布在画素四周的此金属矩阵图案(即VPDRRM)，可以用来定义可视画素的发光区域。依据此具体实施例，可以更进一步的避免外界光线进入该有机平面发光显示器20内。
请参阅图4C所示，是依据本发明第三较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20的剖面图。该VPDRRM有机平面发光显示器20主要组件与图4A图所示的本发明第一较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20相似，但是该VPDRRM有机平面发光显示器20具有在阳极图案层220周围的金属矩阵图案280，且具有一个较窄的下侧部份282。
请参阅图4D所示，是依据本发明第四较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20的剖面图。该VPDRRM有机平面发光显示器20主要组件与图4A图所示的本发明第一较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20相似，但是该VPDRRM有机平面发光显示器20具有在阳极图案层220周围的金属矩阵图案280，且具有一个渐窄(tapered)的下侧部份282。该金属矩阵图案(即VPDRRM)的材质，可使用导电系数与反射率高的材质制作；例如金、银、铝、铜与铬等材质。
请参阅图4E所示，是本发明的VPDRRM有机平面发光显示器20的上视图，因为金属矩阵图案280是包围在阳极图案层220的周围，因此可以有效的降低阻抗及界定可视画素的发光区域，并可以减少不同颜色的发光材料层(EML)之间的互相干扰。
请参阅图5A-图5F所示，是制作依据本发明第一较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20的流程图。本实施例的有机平面发光显示器的制作方法，包括下列步骤步骤S100如图5A所示，置备一玻璃基板20，并使用Detergent等化学药品与去离子水清洗该玻璃基板200；接着利用Sputter等机台成长一ITO薄膜220以作为阳极。
步骤S102如图5B所示，利用Sputter等机台或电镀等制程在所得结构上成长一金属薄膜280。
步骤S104如图5C所示，利用微影蚀刻制程，在金属薄膜280制作出金属矩阵图案。
步骤S106如图5D所示，利用微影蚀刻制程，制作ITO薄膜220图案。
步骤S108如图5E所示，先涂布polyimide等材质光阻，再利用微影制程，制作绝缘区260。
步骤S110如图5F所示，利用蒸镀制程，分别成长电洞传输层(HTL)242、发光材料层(EML)244、电子传输层(ETL)246及阴极层222。
请参阅图6A-图6F所示，是制作依据本发明另一较佳具体实施例的VPDRRM有机平面发光显示器20的流程图。本实施例的有机平面发光显示器的制作方法，包括下列步骤步骤S200如图6A所示，置备一玻璃基板200，并使用Detergent等化学药品与去离子水清洗此玻璃基板200；接着利用Sputter等机台成长一ITO薄膜220以作为阳极。
步骤S202如图6B所示，利用微影蚀刻制程，制作ITO薄膜220图案。
步骤S204如图6C所示，利用Sputter等机台或电镀等制程在所得结构上成长一金属薄膜。
步骤S206如图6D所示，利用微影蚀刻制程，在金属薄膜280制作出金属矩阵图案。
步骤S208如图6E所示，先涂布polyimide等材质光阻，再利用微影制程，制作绝缘区260。
步骤S210如图6F所示，利用蒸镀制程，分别成长电洞传输层(HTL)242、发光材料层(EML)244、电子传输层(ETL)246以及阴极层222。
其中，图6所示制造程序所制造出的PRDDM的组件结构，由于金属矩阵图案可以延伸到与玻璃基板相接触，对降低电极导线的阻抗与使OLED组件光源从ITO显示面射出的效果较图5图所示的制造程序为佳。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种有机平面发光显示器，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器，其特征在于其包括一玻璃基板；在玻璃基板上呈预定图案的阳极图案层；位在阳极图案层上的OLED发光多层结构；位在阳极图案层之间作为隔绝用的绝缘区；以及在阳极图案层四周的金属矩阵图案。
2.根据权利要求1所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘上方。
3.根据权利要求1所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘。
4.根据权利要求1所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘，并覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。
5.根据权利要求4所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘部份为渐窄(tapered)形状。
6.根据权利要求1所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的阳极为氧化铟锡(ITO)材质。
7.根据权利要求1所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的OLED发光多层结构包括由下而上的电洞传输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。
8.根据权利要求1所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作。
9.根据权利要求8所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是用金、银、铝、铜与铬等材质。
10.根据权利要求8所述的有机平面发光显示器，其特征在于其中所述的OLED发光多层结构可为单色或是多色。
11.一种有机平面发光显示器的制作方法，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其包括以下步骤置备一玻璃基板并成长一阳极层薄膜；在所得结构上成长一金属薄膜；利用微影蚀刻制程，在金属薄膜制作出金属矩阵图案；利用微影蚀刻制程，制作阳极图案，并使金属矩阵图案成为围绕阳极图案层四周的图案；利用微影制程，制作绝缘区；以及制作OLED发光多层结构。
12.根据权利要求11所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘上方。
13.根据权利要求11所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘。
14.根据权利要求11所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘，并覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。
15.根据权利要求14所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘部份为渐窄(tapered)形状。
16.根据权利要求11所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的阳极为氧化铟锡(ITO)材质。
17.根据权利要求11所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的OLED发光多层结构包括由下而上的电洞传输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。
18.根据权利要求11所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作。
19.根据权利要求18所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是用金、银、铝、铜与铬等材质。
20.根据权利要求18所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的OLED发光多层结构可为单色或是多色。
21.一种有机平面发光显示器的制作方法，特别是一种VPDRRM有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其包括以下步骤置备一玻璃基板并成长一阳极层薄膜；利用微影蚀刻制程，制作阳极图案；在所得结构上成长一金属薄膜；利用微影蚀刻制程，在金属薄膜制作出金属矩阵图案，并使金属矩阵图案成为围绕阳极图案层四周的图案；利用微影制程，制作绝缘区；以及制作OLED发光多层结构。
22.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘上方。
23.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘。
24.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的边缘，并覆盖阳极图案层的上缘及侧缘。
25.根据权利要求24所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是位在阳极图案层的侧缘部份为渐窄(tapered)形状。
26.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的阳极为氧化铟锡(ITO)材质。
27.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的OLED发光多层结构包括由下而上的电洞传输层(HTL)、发光材料层(EML)及电子传输层(ETL)。
28.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是用导电系数与反射率高的材质制作。
29.根据权利要求28所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的金属矩阵图案是用金、银、铝、铜与铬等材质。
30.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其中所述的OLED发光多层结构可为单色或是多色。
31.根据权利要求21所述的有机平面发光显示器的制作方法，其特征在于其更包括设立一不透明及高反射率阴极的步骤，该不透明及高反射率阴极可与该金属矩阵图案构成一立体遮蔽区域，以使光线仅由阳极射出。
全文摘要
本发明是关于一种有机平面发光显示器及其制作方法。该有机平面发光显示器，是一种可视画素定义减少阻抗矩阵(VPDRRM)的有机平面发光显示器，其包括一玻璃基板；在玻璃基板上呈预定图案的阳极图案层；位在阳极图案层上的OLED发光多层结构；位在阳极图案层之间隔绝用的绝缘区；以及在阳极图案层四周的金属矩阵图案。该金属矩阵图案用导电系数与反射率高的材质制作，如金、银、铝、铜与铬等材质。该制作有机平面发光显示器的方法，可利用微影蚀刻制程制出金属矩阵图案，并使其围绕阳极图案层边缘上方及/或侧面。该有机平面发光显示器具有金属矩阵图案，可有效降低阻抗及界定可视画素的发光区域，并可减少不同颜色发光材料层(EML)之间互相干扰，确实具有产业进步性。
文档编号H05B33/26GK1694594SQ20041003814
公开日2005年11月9日 申请日期2004年5月8日 优先权日2004年5月8日
发明者蓝文正, 张简金钟 申请人:悠景科技股份有限公司