专利名称：自发光型显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及装载了EL(场致发光)元件和有机EL元件及其他的作为自发光型的显示元件的自发光元件的显示装置及其驱动方法。
背景技术：
在以EL(场致发光)元件和有机EL元件等为代表的自发光元件中，有其发光亮度与在自发光元件中流过的电流量成正比的性质，通过控制在自发光元件中流过的电流量，可以进行灰度显示。配置多个如上所述的自发光元件，可以制成显示装置。
但是，在长时间使用了自发光元件的情况下，自发光元件的劣化随着时间的推移而发展，有其发光亮度降低的特征，该劣化的程度依赖于发光时间。因此，根据各个象素的发光状态(显示模式)，产生了屏幕残留状的图案。
作为消除因自发光元件的随时间而劣化所产生的屏幕残留图案的技术，在日本特开2004-287345号公报中公开了测量各象素列(纵方向1列)的驱动电流，从电流量检测出劣化的程度，并将该结果反馈到信号电压上，从而消除上述屏幕残留图案的技术。
但是，虽然日本特开2004-287345号公报的技术有按每个象素列来设置作为电流检测电路的ADC(Analog-to-DigitalConverter模数转换器)和存储其结果的存储电容的记载，但是没有记载具体的结构，尤其对于与校正的精度大大有关的电路规模没有考虑。另外，对于根据上述电流检测结果来进行校正的数据校正，也没有具体记载。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以减小上述ADC以及存储电容、数据校正电路的电路规模、且可以得到屏幕残留校正效果的自发光型显示装置及其驱动方法。
本发明仅检测由自发光型的象素的劣化造成的电流量的与基准值的大小比较结果，并将低于基准值的情况作为位数据添加到显示数据中加以存储，生成与从该存储电路中读出的显示数据相对应的写入信号电压，并驱动象素。作为第一形态，通过使添加的位数为最小限度的1位，可以进行一次劣化校正，作为第二形态，还可以通过增加该位数，增加劣化校正的次数。
另外，通过在显示面板上的任意的区域控制劣化检测用的白显示，还可以仅检测任意的区域的屏幕残留状态，这时，还可进一步减少存储电路的容量。进一步，通过使电流检测电路检测任意区域量的电流，还可以减少电流检测电路的负载容量，提高电流检测精度。
根据本发明，可以以小的电路规模来实现象素的劣化检测。
根据本发明，由于将象素的劣化检测结果作为位数据，添加到输入显示数据来加以存储，所以可以抑制存储容量。
根据本发明的第一形态，具有在象素之间稳定的发光亮度，可以抑制随时间劣化造成的屏幕残留。
根据本发明的第二形态，通过增加劣化的检测和校正的次数，与第一形态相比，可以进一步抑制长时间屏幕残留。
图1是表示作为本发明的一实施方式的自发光元件显示装置的例子；图2是图1记载的自发光元件显示器10的内部结构的一实施方式；图3是图1记载的电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2的内部结构的一实施方式；图4是图3记载的存储电路30的存储位结构的一实施方式；图5是图3记载的电流比较电路47的内部结构的一实施方式；图6是图5记载的第一列R电流—电压变换值63的内部结构的一实施方式；图7是图1记载的电流变动补偿功能内置数据线驱动电路的屏幕残留检测期间的振动生成动作的一实施例；图8是在图1记载的自发光显示器10的显示中容易产生固定图案的屏幕残留的显示例；图9是作为本发明的一实施方式的自发光元件显示装置的例子；图10是图9记载的电流变动重复补偿功能内置数据线驱动电路92的内部结构的一实施方式；图11是图10记载的电流变动重复存储电路94的存储位结构的一实施方式；图12是图10记载的图像残留信息独立D/A变换电路102的内部结构的一实施方式。
具体实施例方式
下面，说明本发明的实施例1、2。
实施例1下面，使用附图来详细说明本发明的第一实施方式。
图1是作为本发明的一实施方式的自发光元件显示装置的例子。图1中，1是显示信号，2是电流变动补偿功能内置数据线驱动电路，3是数据线驱动信号，4是发光电源电压，5是扫描线控制信号，电流变动补充功能内置数据线驱动电路2根据显示信号1，生成向自发光元件显示器(后述)供给灰度电压的数据线驱动信号3和供给自发光元件发光用的电源电压的发光电源电压4，输出到自发光元件显示器(后述)中，并且生成为选择施加上述灰度电压的垂直方向扫描线而进行控制的扫描线控制信号5，输出到扫描线驱动电路(后述)中。另外，除了上述通常显示动作之外，在屏幕残留检测期间(后述)，进行屏幕残留检测用的显示图案的生成、屏幕残留位置的检测、结果的存储和对应于结果的显示信号的校正。屏幕残留检测期间可以以一帧期间(一个画面显示期间)为单位来任意决定，也可以以一个水平扫描期间为单位来任意决定。屏幕残留检测期间可以是对自发光元件显示装置接通电源之后(启动之后)或在电源接通后(启动后)电路稳定之后。
在本实施方式中，将屏幕残留检测用的显示图案设作全白显示(最大亮度显示)，而在下面加以说明。6是发光电压生成电路，7是发光控制电压，发光电压生成电路6生成自发光元件显示器(后述)发光用的电压和作为屏幕残留检测用的基准电压(后述)的发光控制电压，并输出到电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2中。8是扫描线驱动电路，9是扫描线驱动信号，10是自发光元件显示器，所谓自发光元件显示器10是指使用了发光二极管和有机EL等作为显示元件的显示器(显示面板)。自发光元件显示器10具有按矩阵状配置的多个自发光元件(象素)。对自发光元件显示器10的显示动作通过在由从扫描线驱动电路8输出的扫描线驱动信号9选择、写入控制后的象素上基于从电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2输出的数据线驱动信号3写入信号电压的数据，来进行动作。驱动自发光元件的电压作为发光电源电压4被供给。另外，电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2和扫描线驱动电路8可以由不同的LSI来实现，也可由一个LSI来实现，可以形成在与象素部相同的玻璃基板上。此外，电流变动补偿功能可以通过与数据线驱动电路2不同的LSI来实现。本实施方式中，自发光元件显示器23具有240×320点的分辨率，设作1点从左开始由R(红)G(绿)B(蓝)三个象素构成，即，显示器的水平方向由720个象素构成，这在下面加以说明。自发光元件显示器10可以根据在自发光元件中流过的电流量和自发光元件的点亮时间，来调整自发光元件发出的亮度。自发光元件中流过的电流量越大，自发光元件的亮度越高。自发光元件的点亮时间越长，自发光元件的亮度越高。
图2是图1记载的自发光元件显示器10的内部结构的一实施方式。作为自发光元件，表示使用了有机EL元件的自发光元件显示器10的例子。图2中，11是第1点R数据线，12是第1点G数据线，13是第1列R发光电源线，14是第1列G发光电源线，15是第1行选择线，16是第2行选择线，17是第1行第1列象素，18是第1行第2列象素，19是第2行第1列象素，20是第2行第2列象素，第1点R数据线11、第1点G数据线12是用于分别向象素输入第1点R信号，第1点G信号(后述)的信号线，第1行选择线15、第2行选择线16是用于分别向象素输入第1扫描线选择信号和第二扫描线选择信号(后述)的信号线。经各个数据线向通过各个行选择线选择出的行上的象素写入信号电压，并通过根据信号电压从各个列的发光电源线供给的发光电源电压点亮，来控制象素的亮度。这里，仅在第1行第1列象素17上表示了象素的内部结构，但是对于第1行第2列象素18、第2行第1列象素19和第2行第2列象素20也为相同的结构。
21是数据写入开关，22是写入电容，23是驱动晶体管，24是有机EL，数据写入开关21通过第一行选择线15变为接通状态，将来自第一点R数据线11的信号电压存储到写入电容22中。驱动晶体管23将基于在写入电容22中存储的信号电压的驱动电流供给到有机EL24。因此，表示了由向写入电容22写入的信号电压和从第一列R发光电源线供给的发光电源电压来决定有机EL24的发光亮度。另外，如之前所说明的，由于自发光元件显示器10的象素数的分辨率为240×320，所以设行选择线中水平方向的线沿垂直方向为第1行到第320行排列320条，并且数据线、电源线中，R、G、B各自垂直方向的线沿水平方向为第1点到第240点排列240条，总共排列720条，这在下面加以说明。
图3是图1记载的电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2的内部结构的一实施方式。图3中，25是数据总线信号，26是显示控制信号，27是接口控制电路，28是写入数据(数字的显示数据)，29是地址控制信号，接口控制电路27与现有的存储器内置驱动器相同，控制作为从系统侧的MPU输入的显示数据的数据总线信号25和来自系统的数据写入，并且，根据对显示器进行显示数据的读出控制的显示控制信号26，来输出写入数据28、地址控制信号29。30是存储电路，31是第1列R读出数据，32是第1列G读出数据，33是第240列B读出数据。存储电路30与现有的存储器内置驱动器相同，根据地址控制信号29的写入动作来存储写入数据28，并且，根据与显示器的显示定时配合的地址控制信号29的读出动作，来读出存储数据，并作为第一列R读出数据31、第1列G读出数据32到第240列B读出数据33这720列输出。存储电路30例如是具有一个画面的显示数据的数据容量以上的存储容量的RAM(random access memory随机存取存储器)。进一步，在屏幕残留检测期间，配合进行基于电流变动存储地址信号、电流变动存储数据(一起后述)的写入动作。
34是定时控制电路，35是一水平锁存定时信号，36是屏幕残留检测定时信号，37是锁存电路，38是第1列R锁存数据，39是第1列G锁存数据，40是第240列B锁存数据，定时控制电路34将来自存储电路30的读出数据锁存一水平行，生成用于集中输出的一水平锁存定时信号35，并且，在屏幕残留检测期间锁存一水平行的屏幕残留检测图案(后述)，而生成用于集中输出的屏幕残留检测定时信号36。锁存电路37与现有的动作相同，根据一水平锁存定时信号35，锁存一水平行的第1列R读出数据31、第1列G读出数据32到第240列B读出数据33，并作为第1列R读出数据38、第1列G读出数据39到第240列B读出数据40来进行输出，并且，根据屏幕残留检测定时信号36，在屏幕残留检测期间，生成全白显示数据，并作为第1列R读出数据38、第1列G读出数据39到第240列B读出数据40来进行输出。另外，也可从外部向接口控制电路27输入全白显示数据。41是D/A变换电路，42是第1列R数据线驱动信号，43是第1列G数据线驱动信号，44是第240列B数据线驱动信号，D/A变换电路41与现有的动作相同，将作为数字数据的第1列R锁存数据38、第1列G锁存数据39、第240列B锁存数据40变换为模拟数据，作为第1列R数据线驱动信号42、第1列G数据线驱动信号43到第240列B数据线驱动信号44进行输出。
45是发光电源(模拟电流)，46是电流比较基准(模拟电流)，47是电流比较电路，48是电流比较结果，49是第1列R发光电源，50是第1列G发光电源，51是第240列B发光电源，电流比较电路47将发光电源45在图2记载的有机EL元件的各列中作为第一列R发光电源49、第1列G发光电源50和第240列B发光电源51来供给电压，并且在屏幕残留检测时，将各列中流过的电流量与电流比较基准46相比较，而输出电流比较结果48。电流比较结果48例如是串行变换输出一水平行的检测结果后的1位的数据。在本实施方式中，在检测出的电流量小于比较基准值的情况下，设作输出“1”，这在下面加以说明。但是，也可代替“1”而输出“0”。52是电流变动存储控制电路，53是电流变动存储地址控制信号，54是电流变动存储数据，电流变动存储控制电路52根据屏幕残留检测定时信号36，来生成用于将电流比较结果48存储到存储电路30中所检测出的显示位置上的控制信号、数据，并作为电流变动存储地址控制信号53和电流变动存储数据54输出。存储电路30、定时控制电路34、电流比较电路47、电流变动存储控制电路52构成补偿显示亮度用的写入数据的补偿电路。
图4将图3记载的存储电路30的存储位结构的一实施方式分为图4A写入动作和图4B读出动作来记载。图4中，55是一象素量信息，56是水平方向排列，57是垂直方向排列，58是屏幕残留信息，59是输入灰度信息，一象素量信息55相当于显示器一个象素量的输出灰度信息，在本实施方式中作为7位在下面加以说明。水平方向排列56相当于显示器的水平方向点数，本实施方式中是720点，垂直方向排列57相当于垂直方向点数，在本实施方式中作为320点来在下面进行说明。另外，一象素量信息55分为1位的屏幕残留信息58和6位的输入灰度信息59，表示了相对于写入时，在各个的定时对输入灰度信息59写入写入数据28，对屏幕残留信息58写入电流变动存储数据54，在读出时，集中7位来作为第1列R读出数据31进行读出。可以在输入灰度信息59之后添加屏幕残留信息58，也可在输入灰度信息59之前添加屏幕残留信息58。
图5是图3记载的电流比较电路47的内部结构的一实施方式。图5中，60是第1列R电流—电压变换电路，61是第1列G电流—电压变换电路，62是第240列B电流—电压变换电路，63是第1列R电流—电压变换值，64是第1列G电流—电压变换值，65是第240列B电流—电压变换值，第1列R电流—电压变换电路60、第1列G电流—电压变换电路61、第240列B电流—电压变换电路62分别将从发光电源45向第1列R发光电源49、第1列G发光电源50、第240列B发光电源51流过的电流量变换为电压，并作为第1列R电流—电压变换值63、第1列G电流—电压变换值64、第240列B电流—电压变换值65输出。即，各电流—电压变换电路是检测出各列各色发光电源中流过的电流量的检测电路。
66是第1列R电流ADC，67是第1列G电流ADC，68是第240列B电流ADC，69是第1列R电流比较结果，70是第1列G电流比较结果，71是第240列B电流比较结果，72是并/串变换电路，第1列R电流ADC66、第1列G电流ADC67、第240列B电流ADC68分别将第1列R电流—电压变换值63、第1列G电流—电压变换值64和第240列B电流—电压变换值65与电流比较基准46进行大小比较，在大的情况下作为输出“1”的ADC进行动作，并作为第1列R电流比较结果69、第1列G电流比较结果70和第240列B电流比较结果71来输出。即，各ADC是比较各电流值(电压值)和各基准的比较电路。各ADC最好按每一水平扫描期间，即扫描线驱动电路8的每次扫描，来输出电压比较结果。并/串转换电路72串行转换并行输出的第1列R电流比较结果69、第1列G电流比较结果70、第240列B电流比较结果71，来作为电流比较结果48输出。
图6是图5记载的第1列R电流—电压变换值63的内部结构的一实施方式。第1列G电流—电压变换值64、第240列B电流—电压变换值65也为相同的结构。图6中，73是电流电压变换电阻，74是检测高电压，75是检测低电压，电流电压变换电阻73将从发光电源45向第1列R发光电源中流过的电流量变换为电压，并作为检测高电压74和检测低电压75的电位差输出。75是差动放大电路，放大检测高电压74和检测低电压75的电位差，并作为第1列R电流—电压变换值63输出。
图7是表示图1记载的电流变动补偿功能内置数据线驱动电路的屏幕残留检测期间的振动生成动作的一实施例的图。图7中，77表示屏幕残留检测前显示期间，78是屏幕残留检测期间，79是屏幕残留检测后显示期间，80是存储电路输出波形，表示出，存储电路输出波形80在各期间，依次输出第1行到第N行的数据。本实施方式中，将N作为320行来说明。81是无屏幕残留时存储电路高位6位输出波形，82是无屏幕残留时存储电路最低位(1位)输出波形，83是无屏幕残留时电流—电压变换输出波形，84是电流比较基准电平，85是无屏幕残留时1位ADC输出波形，表示出，无屏幕残留时存储电路高位6位输出波形81从第1行到第320行，输出从系统输入的6位数据，无屏幕残留时电流—电压变换输出波形83在没有发生屏幕残留的情况下，电流不变化，比判断为发生了屏幕残留的电平即电流比较基准电平84高，由于无屏幕残留时1位ADC输出波形85仍为“0”，所以无屏幕残留时存储电路最低位82总是输出“0”。86是屏幕残留时存储电路高位6位输出波形，87是屏幕残留时存储电路最低位输出波形，88是屏幕残留时电流—电压变换输出波形，89是屏幕残留时1位ADC输出波形，由于屏幕残留时存储电路高位6位输出波形86与屏幕残留无关地从第1行到第320行输出从系统输入的6位数据，所以形成与无屏幕残留时存储电路高位6位输出波形81相同的波形。屏幕残留时电流—电压变换输出波形87在屏幕残留发生的情况下电流减少，比判断为产生了屏幕残留的电流比较基准电压84低。这里，设作在第2行第3行发生了屏幕残留。这时，由于屏幕残留时1位ADC输出波形89为“1”，所以表示出屏幕残留时存储电路最低位87在屏幕残留发生的第2行、第3行中输出“1”。117是电流比较结果输出波形，118是垂直存储地址波形，为了使所检测出的1位ADC输出波形89在下一行中进行并/串变换并进行存储，电流比较结果输出波形117在存储电路输出波形的第3行，第4行中为“1”，垂直存储地址波形118表示延迟了1行的地址。
图8是在图1记载的自发光显示器10的显示中容易产生固定图案的屏幕残留的显示例。图8中，90是动作模式图标，91是动作状态图标，动作模式图标90在DSC和便携电话等中，表示进行运动图像显示的状态，动作状态图标91是表示实际的运动图像拍摄和暂时停止的动作状态的图标。无论哪一个都在所决定的位置上长时间显示，容易产生固定图案的屏幕残留。
下面，使用图1～图9，来说明本实施方式中的屏幕残留检测时的控制。
首先，使用图1说明显示数据的流向。图1中，电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2暂时存储显示信号1中的显示数据，配合自发光元件显示器10的显示定时，在通常显示时，生成对应于显示数据的数据线驱动信号3、扫描线控制信号5，并且根据发光电压生成电路6输出的发光控制电压7，将自发光元件的发光用的电压作为发光电源电压4输出。屏幕残留检测时，输出数据线驱动信号3，来形成检测用的全白显示，通过与发光控制电压7中的基准电压进行比较，来检测出屏幕残留。另外，本实施方式中将屏幕残留检测用的显示作为全白显示，但是本发明并不限于此。屏幕残留检测时，补偿由屏幕残留造成的亮度的降低，生成数据线驱动信号3并输出。后面说明细节。扫描线驱动电路8输出扫描线驱动信号9，来控制自发光元件显示器10的扫描选择线。最后，在自发光元件显示器10中，根据数据线驱动信号3的信号电压和发光电源电压4来使通过扫描线驱动信号9选择出的扫描线上的象素发光。后面说明细节。
使用图2～8，来说明图1记载的电流变动补偿功能内置数据线驱动电路2、扫描线驱动电路21的屏幕残留检测、补偿动作的细节。
图3中，接口控制电路27为与现有技术相同的动作，存储电路30与现有技术相同，根据地址控制信号29来存储写入数据28，并且在屏幕残留检测期间存储由屏幕残留产生的电流变动检测结果即电流变动存储数据54。根据自发光元件显示器10的显示定时来进行读出，并作为第1列R读出数据31、第1列G读出数据32到第240列B读出数据33的720列输出。
图4中，写入数据28在输入灰度信息59的区域中存储水平方向排列56×垂直方向排列57的点数，电流变动存储数据54在屏幕残留信息58的区域上存储水平方向排列56×垂直方向排列57的点数，在读出时作为一象素量信息55来集中读出，所以在该阶段中，在屏幕残留产生时成为添加了电流变动存储数据54的数据，而变为屏幕残留补偿数据。
图3中，定时控制电路34、锁存电路37在通常显示时与现有技术相同，锁存一行来自存储电路30的读出数据，并且为了在屏幕残留检测期间进行全白显示，而根据屏幕残留检测定时信号36，锁存一行的白色显示数据，并作为第1列R锁存数据38、第1列G锁存数据39到第240列B锁存数据40输出。D/A变换电路41与现有技术相同，将作为数字数据的第1列R锁存数据38、第1列G锁存数据39和第240列B锁存数据40变换为模拟数据，作为第1列R数据线驱动信号42、第1列G数据线驱动信号43到第240列B数据线驱动信号44输出。由于所输入的数字数据是屏幕残留补偿后的数据，所以虽然作为D/A变换电路与现有技术完全相同，但成为输出屏幕残留补偿后的模拟数据。这时，由于屏幕残留补偿前的数据的最低位必然为“0”，屏幕残留补偿后为“1”，所以模拟数据可以校正7位的分辨率，即，128灰度显示的一个灰度。这就形成在白色显示为100％的情况下，补偿0.8％的亮度，得到一般可以在降低0.8％的阶段补偿被识别为降低1％的亮度的屏幕残留。电流比较电路47在屏幕残留检测期间为全白显示时，在向各列的自发光元件供给发光电源45时检测出电流量，并与电流比较基准46相比较。在电流值小于电流比较基准46的情况下，判断为发生了屏幕残留，并输出“1”来作为电流比较结果48。电流变动存储控制电路52为了将电流比较结果48存储到所检测出的显示位置上，根据屏幕残留检测定时信号36生成用于存储在存储电路30中的电流变动存储地址控制信号。
图5中，第1列R电流—电压变换电路60、第1列G电流—电压变换电路61、第240列B电流—电压变换电路62分别将从发光电源45向第1列R发光电源49、第1列G发光电源50、第240列B发光电源51中流过的电流量变换为电压，并作为第1列R电流—电压变换值63、第1列G电流—电压变换值64、第240列B电流—电压变换值65输出。自发光元件中，由于电流量和发光亮度成比例关系，所以变换后的电流量表示发光亮度，即屏幕残留状态。电流量越小，即发光亮度越低，屏幕残留程度越大。
图6中，差动放大电路76放大通过电流—电压变换电阻73将在发光电源45的各列中流过的电流量变换为电压后的结果。如本实施方式那样，在一个象素一个象素地依次检测出电流的情况下，由于电流小，所以需要放大电路，但是在集中检测大区域，即多个象素的情况下，在电流量大的情况下，可以省略放大电路。
图5中，第1列R电流ADC66、第1列G电流ADC67、第240列B电流ADC68分别将第1列R电流—电压变换值63、第1列G电流—电压变换值64、第240列B电流—电压变换值65与表示产生了屏幕残留的电平的电流比较基准46进行大小比较，在大的情况下输出“1”，并作为第1列R电流比较结果69、第1列G电流比较结果70、第240列B电流比较结果71输出。并/串转换电路72串行变换并行输出的第1列R电流比较结果69、第1列G电流比较结果70和第240列B电流比较结果71，并作为电流比较结果48输出。这里，本发明中按每列设置了电流—电压变换电路和电流ADC，但是通过在发光电源45的供给源上一个一个地进行设置，一个一个地点亮象素，并将电流与基准值相比较，从而可以减少电流电压变换电路、电流ADC数或省略并/串变换电路72。
图7中，存储电路输出波形80在各期间，依次输出第一行到第320行的数据。在屏幕残留检测期间78中没有检测出屏幕残留的情况下，无屏幕残留时存储电路高位6位输出波形81从第1行到第320行，输出从系统输入的6位数据，无屏幕残留时电流—电压变换输出波形83电流没有变化，比作为判断为产生了屏幕残留的电平的电流比较基准电平84高，由于无屏幕残留时1位ADC输出波形85仍为“0”，所以无屏幕残留时存储电路最地位82总是输出“0”。在检测出了屏幕残留的情况下，由于屏幕残留时存储电路高位6位输出波形86与屏幕残留无关地从第1行到第320行，输出从系统输入的6位数据，所以形成与无屏幕残留时存储电路高位6位输出波形81相同的波形。屏幕残留时电流—电压变换输出波形87在产生了屏幕残留的第2行、第3行中，比判断为产生了屏幕残留的电流比较基准电平84低，这时，由于屏幕残留时1位ADC输出波形89为“1”，所以屏幕残留时存储电路最低位87在第2行、第3行中输出“1”。对在第2行、第3行中所输出的“1”分别在第3行、第4行中在图5的并/串变换电路72中进行串行变换，并对应此，存储到与由图3的电流变动存储控制电路52生成的电流变动存储地址控制信号53(省略垂直存储地址117、水平存储地址)相对应的地址的存储电路30中。本实施方式中，设在垂直方向的第2行、第3行中产生了屏幕残留，省略水平方向的动作说明，但是如图5中所说明的，由于在各列上设置电流比较电路，所以当然还可特定在同一行上产生屏幕残留的象素，例如第2行上的第N列的水平方向。
图2中，若经第一行选择线15使数据写入开关21变为接通状态，则经第一点R数据线11将数据的信号电压存储到写入电容22中，驱动晶体管23将基于在写入电容中存储的电压的电流供给到有机EL24。这时的电流供给电源是经第1列R发光电源线13供给的发光电源45。
另外，本实施方式中的电流检测显示图案并不限于进行全白显示，来一个象素一个象素地进行全画面的量，而是可以如图8所记载，限定于容易产生屏幕残留的部分来进行显示，并检测出电流。这时，可以减少电流检测电路和存储电路的容量。
根据上述本发明的第一实施方式，可以进行对于任意的显示图案的电流比较，可以用小的电路规模进行每个象素、每个区域等各种劣化检测。通过以在输入显示数据上添加位的形式来存储该结果，并校正显示数据，可以抑制存储容量，可以实现使用现有的D/A变换器来消除固定屏幕残留图案的效果。
实施例2下面，使用附图来详细说明本发明的第2实施方式。
图9是本发明的一实施方式的自发光元件显示装置的例子。图9中，赋予了与图1相同的符号的部分与第一实施方式相同，进行相同的动作。92是电流变动重复补充功能内置数据线驱动电路、93是电流变动重复补偿数据线驱动信号，电流变动重复补偿功能内置数据线驱动电路92是与第一实施方式大致相同的动作，其特征在于，相对于屏幕残留校正的次数在第一实施方式中为1次，电流变动重复补偿功能内置数据线驱动电路92进行多次校正。对于其他的显示动作，与第一实施方式相同。
图10是图9记载的电流变动重复补偿功能内置数据线驱动电路92的内部结构的一实施方式。图10中，赋予了与图3相同的符号的部分与第一实施方式相同，进行相同的动作。94是多位屏幕残留信息存储电路，95是重复补偿第1列R读出数据，96是重复补偿第1列G读出数据，97是重复补偿第240列B读出数据，多位屏幕残留信息存储电路94是将在第一实施方式中为1位的屏幕残留信息部分设置成多位的存储电路。重复补偿第1列R读出数据95、重复补偿第1列G读出数据96、重复补偿第240列B读出数据97都是将在第一实施方式中为1位的屏幕残留信息部分设置成多位的读出数据。98是重复补偿数据锁存电路，99是重复补偿第1列R锁存数据，100是重复补偿第1列G锁存数据，101是重复补偿第240列B锁存数据，重复补偿数据锁存电路98的动作与第一实施方式相同，仅数据的位数不同。102是屏幕残留信息独立D/A变换电路，103是重复补偿第1列R数据线驱动信号，104是重复补偿第1列G数据线驱动信号，105是重复补偿第240列B数据线驱动信号，屏幕残留信息独立D/A变换电路102是将在第一实施方式中与现有技术相同的D/A变换电路分离为输入数据部分的D/A和屏幕残留信息部分的D/A后的形式的D/A变换电路。重复补偿第1列R数据线驱动信号103、重复补偿第1列G数据线驱动信号104、重复补偿第240列B数据线驱动信号105为加上上述分离后的D/A变换结果后的模拟数据。106是电流变动重复存储控制电路，107是电流变动重复存储地址控制信号，在第一实施方式中，生成检测出电流变动的地址，并仅进行存储一次的控制，与此相对，相对于电流变动重复存储控制电路106在生成地址的同时，在补偿了电流变动后屏幕残留再次发生而电流变动的情况下，生成电流变动重复存储地址控制信号107，使得将检测结果存储在不同的屏幕残留信息位中。
图11将图10记载的电流变动重复存储电路94的存储位结构的一实施方式分为图11A写入动作和图11B读出动作来加以记载。图11中，赋予了与图4相同的符号的部分与第一实施方式相同。108是重复存储一象素量信息，109是第一次屏幕残留信息，110是第二次屏幕残留信息。重复存储一象素量信息108相当于显示器象素的输出灰度信息，在本实施方式中，作为8位在下面加以说明。与第一实施方式相同，水平方向排列56相当于显示器的水平方向点数，在本实施方式中为720点，垂直方向排列57相当于垂直方向点数，在本实施方式中作为320点来在下面加以说明。另外表示出，重复存储一象素量信息108分为第一次屏幕残留信息109、第二次屏幕残留信息110和输入灰度信息59，在写入时，与第一实施方式相同，在输入灰度信息59中存储写入数据，在第一次检测出电流变动存储数据54的情况下，写入到第一次屏幕残留信息109中，在第二次检测出电流变动存储数据54的情况下，写入到第二次屏幕残留信息110，与此相对，在读出时，集中8位作为重复补偿第1列R读出数据95来读出。因此，在本实施方式中，下面说明可以两次补偿屏幕残留造成的电流变动。
图12是图10记载的屏幕残留信息独立D/A变换电路102的内部结构的一实施方式。图12中，111是重复补偿第1列R锁存数据99中的输入数据信息，112是输入数据D/A变换电路，113是输入模拟变换数据，输入数据D/A变换电路112与现有的A/D变换电路相同，模拟变换输入数据信息111，并作为输入模拟变换数据113输出。114是屏幕残留补偿信息，115是屏幕残留信息D/A变换电路，116是屏幕残留补偿模拟数据，屏幕残留信息D/A变换电路115与2位的屏幕残留补偿信息114中为“1”的位数成正比地来决定模拟变换值，并作为屏幕残留补偿模拟数据11输出。由于以上三个电路一组构成一列D/A变换，所以在本实施方式中，设置720列的D/A变换。另外，2位的屏幕残留补偿信息114在第一次的屏幕残留补偿中为“01”，在第二次的屏幕残留补偿中为“11”，屏幕残留信息D/A变换电路115生成对输入“01”可以得到1％的亮度补偿、对“11”可以得到2％的亮度补偿的屏幕残留补偿模拟数据116，这在下面加以说明。
下面，使用图9～12，来说明本实施方式中的屏幕残留检测时的控制。
首先，使用图9，来说明显示数据的流向。图9中，对于与图1赋予了同一符号的电路，为与第一实施方式相同的结构、动作。电流变动重复补偿功能内置数据线驱动电路92与第一实施方式相同，暂时存储显示信号1中的显示数据，并配合与自发光元件显示器10的显示定时，在通常显示时，生成对应于显示数据的电流变动重复补偿数据线驱动信号93、扫描线控制信号5，并且，根据发光电压生成电路6所输出的发光控制电压7，输出自发光元件的发光用的电压，作为发光电源电压4。在屏幕残留检测时，输出电流变动重复补偿数据线驱动信号93，形成检测用的全白显示，并通过与发光控制电压7中的基准电压相比较，来检测出屏幕残留。另外，在本实施方式中，与第一实施方式相同，将屏幕残留检测用的显示作为全白显示，但是本发明并不限于此。与第一实施方式不同的是，在屏幕残留检测时，补偿由屏幕残留造成的亮度的降低，在补偿后再次检测到屏幕残留的情况下，进一步进行补偿，生成电流变动重复补充数据线驱动信号3并输出。在本实施方式中，将该补偿设作进行到2次，但是本发明并不限于此。后面说明细节。以下，扫描线驱动电路8、自发光元件显示器10的发光动作与第一实施方式相同。
使用图10～图12，来说明图1记载的电流变动重复补偿功能内置数据线驱动电路92的多次的屏幕残留检测、补偿动作的细节。
图10中对于赋予了与图3相同的符号的电路，为与第一实施方式相同的结构、动作。多位屏幕残留信息存储电路94与第一实施方式相同，根据地址控制信号29来存储写入数据28，并且具有可以多次存储在屏幕残留检测期间因屏幕残留产生的电流变动检测结果即电流变动存储数据54的位。
图11中，对于赋予了与图4相同的符号的电路，为与第一实施方式相同的结构。电流变动存储数据54将水平方向排列56×垂直方向排列57的点数的第一次的检测结果存储到第一次屏幕残留信息109的区域上，在数据补偿后再次检测出屏幕残留的情况下，将水平方向排列56×垂直方向排列57的点数的第二次的检测结果存储到第二次屏幕残留信息110的区域上，读出时，作为重复存储一象素量信息108集中读出，所以在该阶段，在屏幕残留发生时，形成添加了电流变动存储数据54的数据，而成为屏幕残留补偿数据。因此，可以进行两次的屏幕残留补偿。
图10中，重复补偿数据锁存电路98锁存的定时控制与第一实施方式相同，仅是作为输入数据的重复补偿第一列R读出数据95、重复补偿第一列G读出数据96、重复补偿第240列B读出数据97和作为输出数据的重复补偿第一列R锁存数据99、重复补偿第一列G锁存数据100、重复补偿第240列B锁存数据101的位数不同。屏幕残留信息独立D/A变换电路102为分离成由多位屏幕残留信息存储电路94分开的输入数据部分用的D/A变换电路和屏幕残留信息部分用的D/A变换电路的形式。
图12中，输入数据D/A变换电路112与第一实施方式的D/A变换电路相同，屏幕残留信息D/A变换电路115对重复补偿第一列R锁存数据99中的屏幕残留补偿信息114进行与输入数据D/A变换电路112不同的模拟变换。例如，由于输入D/A变换电路112模拟变换6位的数据，所以与最低位每次变化“1”时约有1.6％的亮度变化相对，屏幕残留信息D/A变换电路115在第一次的屏幕残留补偿的情况下，模拟变换2位的“01”，在第二次屏幕残留补偿的情况下，模拟变换2位的“11”，所以若人眼看到屏幕残留的亮度降低电平为1％，则在“01”时为1％的亮度变化，在“11”时为2％的亮度变化。本实施方式中，说明了输入位为6位，屏幕残留位为2位，屏幕残留1次为1％的亮度补偿，但是本发明并不限定这些位数、屏幕残留补偿次数和亮度补偿的％，输入数据还可以以8位来实现，另外，屏幕残留补偿的次数也可通过增加屏幕残留信息的位数来应对，还可以进一步使亮度补偿的％更精细，从而来严密地补偿屏幕残留。
图10中，电流比较电路47为与第一实施方式相同的结构，在屏幕残留检测期间为全白显示时，在向各列的自发光元件供给发光电源45时检测出电流量，并与电流比较基准46相比较。在电流值小于电流比较基准46的情况下，判断为产生了屏幕残留，将“1”作为电流比较结果48输出。本实施方式中，进一步，在其后电流值低于电流比较基准46的情况下，判断为产生了屏幕残留，将“1”作为电流比较结果48输出，电流变动重复存储控制电路106如以上所说明的那样，进行用于将电流比较结果48在第一次和第二次存储到各自的存储位的控制。这里，本发明并不限定存储的次数，也可通过增加地址控制来增加次数。
另外，第一、第二实施方式都具有暂时存储输入数据的电路，但是在直接显示系统的显示数据的情况下，可以删除存储电路的输入数据存储部分，而仅由屏幕残留信息存储部分构成。
根据上述本发明的第二实施方式，可以进行对于任意的显示图案的电流比较，可以以小的电路规模来进行每个象素、每个区域等的各种劣化检测。通过进行多次以将位添加到输入显示数据中的形式来存储该结果，及校正显示数据，从而可以实现消除更长时间的屏幕残留的效果。
本发明由于消除了固定图案的屏幕残留，所以适用于必须进行图案显示的DVC(数字摄像机)和DSC(数字相机)等显示装置中。
权利要求
1.一种自发光型显示装置，其特征在于，具有显示面板，具有多个数据线、与所述多个数据线相交叉的多个扫描线、多个电源线、和与所述数据线、所述扫描线和所述电源线连接的多个自发光型的象素；数据线驱动电路，用于向所述数据线提供驱动信号；扫描线驱动电路，用于向所述扫描线提供用于选择应驱动的所述象素的选择信号；显示控制电路，根据所输入的显示数据和定时信号，生成用于控制所述数据线驱动电路和所述扫描线驱动电路的控制信号；电压生成电路，用于生成向所述电源线施加的驱动电压；电流检测电路，用于将每个所述电源线的电流与基准值相比较；以及存储电路；所述显示控制电路将所述显示数据和通过与所述显示面板上的显示位置相对应的所述电流检测电路得到的电流比较结果按各自的定时存储到所述存储电路中，从所述存储电路中集中读出所述显示数据和与所述显示面板上的显示位置相对应的所述电流比较结果；所述数据线驱动电路根据从所述存储电路集中读出的所述显示数据和所述电流比较结果，来决定所述驱动信号。
2.根据权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，应通过电流检测电路检测的所述显示面板上的显示位置是所述显示面板上的全部区域。
3.根据权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，应通过所述电流检测电路检测的所述显示面板上的显示位置是所述显示面板上的预定的部分区域。
4.根据权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述数据线驱动电路具有第一模拟变换电路，将所述显示数据变换为模拟值；第二模拟变换电路，将所述电流比较结果变换为模拟值；以及加法电路，将模拟的所述显示数据和模拟的所述电流比较结果相加。
5.根据权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，与所述显示面板上的显示位置相对应的所述电流比较结果是由与所述显示控制电路的检测次数相对应的位数构成的数据。
6.根据权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，与所述显示面板上的显示位置相对应的所述电流比较结果是由表示每个所述电流线的电流是否比所述基准值小的1位构成的数据。
7.一种自发光型显示装置，其特征在于，包括显示面板，具有多个数据线、与所述多个数据线相交叉的多个扫描线、多个电源线、和与所述数据线、所述扫描线和所述电源线连接的多个自发光型的象素；数据线驱动电路，用于向所述数据线提供与显示数据对应的驱动信号；扫描线驱动电路，用于向所述扫描线提供用于进行应驱动的所述象素的信号；电压生成电路，用于生成向所述电源线施加的驱动电压；电流检测电路，检测所述象素的电流，并输出表示所述象素的电流是否比基准值小的1位数据；以及校正电路，将所述1位数据添加到所述显示数据中。
8.根据权利要求7所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述校正电路将所述1位数据添加到所述显示数据的低位。
9.根据权利要求7所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述校正电路将前一帧期间的所述1位数据添加到后一帧期间之后的所述显示数据中。
10.根据权利要求7所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述电流检测电路在每次所述扫描线驱动电路进行扫描时，检测每个所述电源线的电流，来检测每个所述象素的电流；所述1位数据是表示每个所述象素的电流是否比所述基准值小的数据；所述校正电路将所述1位数据添加到每个所述象素的所述显示数据中。
11.根据权利要求10所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述电流检测电路具有检测电路，在每个所述电源线上设置，检测每个所述电源线的电流；比较电路，在每个所述电源线上设置，在每次所述扫描线驱动电路进行扫描时，将每个所述电源线的电流与所述基准值相比较，并将该比较结果作为所述1位数据输出。
12.根据权利要求11所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述电流检测电路具有变换电路，该变换电路将从各比较电路并行输出的所述1位数据变换为串行。
13.根据权利要求11所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述检测电路将每个所述电源线的电流转换为电压值；所述比较电路将每个所述电源线的电压值与所述基准值相比较，并将该比较结果作为所述1位数据输出。
14.根据权利要求7所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述电流检测电路在每次检测时，输出表示每个所述象素的电流是否比基准值小的1位数据；所述校正电路将与所述电流检测电路的检测次数相对应的位数的位数据添加到所述显示数据中。
15.根据权利要求7所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述数据线驱动电路生成与所述显示数据对应的驱动信号和与所述1位数据对应的驱动信号；所述校正电路将与所述1位数据对应的驱动信号添加到与所述显示数据对应的驱动信号中。
全文摘要
本发明的目的是提供一种可以减小上述ADC以及存储电容、数据校正电路的电路规模、且可以得到屏幕残留校正效果的自发光型显示装置及其驱动方法。通过电流补偿功能内置数据线驱动电路(2)内的电流比较电路(47)仅检测出自发光元件的劣化造成的电流量的与基准值的大小比较结果，并将低于基准值的情况添加到显示数据的存储电路(30)的低位来存储，根据从该存储电路(30)中读出的显示数据，D/A变换电路(41)生成写入信号电压。
文档编号H05B33/08GK101046935SQ20061017008
公开日2007年10月3日 申请日期2006年12月18日 优先权日2006年3月31日
发明者笠井成彦, 秋元肇, 佐藤敏浩 申请人:株式会社日立显示器