专利名称：显示设备和电子器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过电流驱动发光器件对每个像素来显示图像的显示设备。具体地，本发明涉及所谓有源矩阵式显示设备，其用在各个像素电路中的绝缘栅极场效应晶体管来控制将被施加到诸如有机EL设备的发光器件的电流量。另外，本发明涉及其中并入了这种显示设备的电子器件。
背景技术：
在诸如液晶显示器的显示设备中，许多液晶像素以矩阵形式排列，通过根据将对每个像素显示的图像信息控制入射光的穿透强度和反射强度来显示图像。上述内容同样适用于使用有机EL设备作为像素的有机EL显示器，但是，有机EL设备是自发光器件，不像液晶像素。相应地，有机EL显示器具有优势在于，相比于液晶显示器，图像可见度更高，不需要背后照明，响应速度更快。另外，各个发光器件的亮度级(灰度)是可用流经的电流量来控制的，且有机EL显示器是所谓电流控制式设备，且很大程度上不同于诸如液晶显示器的电压控制式设备。
在有机EL显示器中，如液晶显示器中的情况一样，具有简单矩阵系统和有源矩阵系统的驱动系统。前者在结构上简单，但是，它在实现大范围和高清晰度显示等等中存在问题，且目前，有源矩阵式系统逐渐被发展起来。该系统是为了控制流入具有像素电路中提供的有源元件(通常是薄膜晶体管，TFT)的各个像素电路内的发光器件中的电流，且其在JP-A-2003-255856(专利文献1)、JP-A-2003-271095(专利文献2)、JP-A-2004-133240(专利文献3)、JP-A-2004-029791(专利文献4)和JP-A-2004-093682(专利文献5)中公开。
发明内容
过去的像素电路被提供在供应控制信号的行式扫描线和供应视频信号的列式扫描线交叉的部分的，且包括至少采样晶体管、像素电容、驱动晶体管，和发光器件。采样晶体管响应从扫描线供应的控制信号和从信号线供应的视频信号来导电。像素电容根据所采样的视频信号的信号电位来保持输入电压。驱动晶体管根据被保持在像素电容中的输入电压在预定的发光时间内供应输出电路作为驱动电流。通常，该输出电流取决于驱动晶体管的沟道区域的载波迁移性和门限电压。发光器件根据视频信号以从驱动晶体管供应的输出电流的亮度来发光。
驱动晶体管在栅极接收被保持在像素电容中的输入电压，并在源极和漏极之间输出电流以使发光器件通电。通常，发光器件的发光亮度与流过的电流量成比例。另外，驱动晶体管的输出电流的供应量由栅极电压即在像素电容中写入的输入电压来控制。在过去的像素电路中，将被供应到发光器件的电流量是通过响应输入视频信号而改变被施加到驱动晶体管的栅极的输入电压来控制的。
这里，驱动晶体管的操作特征由以下等式1来表示。
Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2(1) 在晶体管特征等式1中，Ids代表在源极和漏极之间流动的漏极电流，和被供应给像素电路中的发光器件的输出电流。Vgs代表参考源极而被施加到栅极的栅极电压和上面描述的像素电路中的输入电压。Vth是晶体管的门限值。另外，μ代表配置晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移性。另外，W代表沟道宽度，L代表宽度长度，Cox代表栅极电容。如从晶体管特征等式1中所清楚地发现的，当薄膜晶体管操作于饱和区域时，如果栅极电压Vgs变得大于门限电压Vth，则晶体管导通且漏极电流Ids流动。主要，如上述晶体管特征等式1所表示的，当栅极电压Vgs恒定时，相同量的漏极电流Ids恒定地被供应给发光器件。因此，当在相同电平的视频信号被供应给构成屏幕的各个所有像素时，所有像素应该以相同亮度来发光，且能够获得屏幕均匀性。
但是，实际上，包括多晶硅的半导体薄膜等等的独立薄膜晶体管(TFT)在设备特征方面有变化。特别地，门限电压Vth不相等，且对于每个像素变化。如从晶体管特征等式1中所清楚地发现的，如果各个驱动晶体管的门限电压Vth变化，即使当栅极电压Vgs恒定，对于每个像素来说漏极电流Ids变化且亮度变化。因此，屏幕均匀性恶化了。过去，例如，在专利文档3中公开且已经提出了结合消除驱动晶体管的门限电压Vth中的变化的功能的像素电路。
但是，向发光器件的输出电流的变化因素不仅仅是门限电压Vth。如从晶体管特征等式1所清楚地发现的，当驱动晶体管的迁移性μ变化时输出电流Ids也变化。因此，屏幕均匀性被恶化。期望校正迁移性中的变化。
根据本发明的实施例，提供结合了在独立像素内驱动晶体管的迁移性校正功能的显示设备。特别地，根据本发明的实施例，抑制了迁移性校正时间，且因此进一步改善了显示设备的屏幕均匀性。根据本发明的实施例的显示设备基本上包括像素阵列部分和驱动该像素阵列部分的驱动部分。像素阵列部分包括行式第一扫描线和第二扫描线、列式信号线、在线交叉的地方以矩阵形式排列的像素和向各个像素供应电力的电源线和地线。驱动部分包括第一扫描器，其顺序地向各个第一扫描线供应第一控制信号，并按线顺序地扫描以行为单元的像素；第二扫描器，其根据按线顺序扫描来顺序地向各个第二扫描线供应第二控制信号；以及信号选择器，其根据按线顺序扫描来向列式信号线供应视频信号。像素包括发光器件、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管和像素电容。采样晶体管具有连接于第一扫描线的栅极、连接于信号线的源极和连接于驱动晶体管的栅极的漏极。驱动晶体管和发光器件串联于电源线和地线之间以构成电流路径。开关晶体管被插入电流路径中，并具有连接于第二扫描线的栅极。像素电容连接在驱动晶体管的源极和栅极之间。其中采样晶体管响应从第一扫描线供应的第一控制信号来导通，并对从信号线供应的视频信号的信号电位进行采样，并在像素电容中保持该电位。开关晶体管响应从第二扫描线供应的第二控制信号来导通，以使电流路径处于导电状态。驱动晶体管响应被保持在像素电容中的信号电位来使驱动电流经过处于导电状态的电流路径到发光器件。在向第一扫描线施加了第一控制信号并导通采样晶体管以开始信号电位的采样之后，在从当第二控制信号被施加到第二扫描线且开关晶体管被导通时的第一时刻到当消除了被施加到第一扫描线的第一控制信号且采样晶体管被截止时的第二时刻的校正时间中，驱动部分在被保持在像素电容中的信号电位上进行驱动晶体管的迁移性校正。第一扫描器和第二扫描器的至少一个具有用于输出第一或第二控制信号的输出缓冲器。输出缓冲器具有主要构成控制信号的上升波形的一个开关元件，和主要构成控制信号的下降波形的另一开关元件。各个开关元件是分别由晶体管来配置的。在控制信号中，上升波形和下降波形之一是确定校正时间中的第一时刻或第二时刻的确定波形，上升波形和下降波形的其他是与校正时间中的第一时刻或第二时刻无关的非确定波形。在输出缓冲器中，在构成确定波形端的上级开关元件的晶体管的尺寸被设为大于在构成非确定波形端的下级开关元件的晶体管的尺寸。
根据实施例，输出缓冲器是包括PMOS晶体管和NMOS晶体管的反相器。当控制信号的下降波形是确定波形时，主要构成该波形的NMOS晶体管是上级开关元件，当控制信号的上升波形是确定波形时，主要构成该波形的PMOS晶体管是上级开关元件。上级开关元件的晶体管尺寸被设为大于下级开关元件的晶体管尺寸。优选地，第一时刻和第二时刻两者的确定波形是下降波形，且在第一扫描器和第二扫描器的输出缓冲器两者内NMOS晶体管在尺寸上大于PMOS晶体管。在另一个实施例中，在输出缓冲器中，上级开关元件包括CMOS晶体管，下级开关元件包括NMOS晶体管或PMOS晶体管，且CMOS晶体管的尺寸大于NMOS晶体管或PMOS晶体管的尺寸。在另一个实施例中，输出缓冲器取出外部供应的脉冲波形，并当上级开关元件导通且下级开关元件截止时输出该波形作为控制信号的确定波形。
根据本发明的实施例，在导通采样晶体管以开始信号电位的采样之后，在从当开关晶体管被导通时的第一时刻到当采样晶体管被截止时的第二时刻的校正时间中，进行驱动晶体管的迁移性校正(迁移性校正操作)。特别地，响应信号电位而流经驱动晶体管的驱动电流在校正时间内被负反馈到像素电容，且调整了其中所保持的信号电位。当驱动晶体管的迁移性越大时，相应地负反馈量越大，且因此能够抑制驱动电流。另一方面，当驱动晶体管的迁移性越小时，相应地向像素电容的负反馈量越大，且其中所保持的信号电位的减少量小了。因此，驱动电流没有被减少太多。以此方式，根据独立像素的驱动晶体管的迁移性的幅度，信号电位被调整以消除变化。因此，机关独立像素的驱动晶体管的迁移性中存在变化，但独立像素对于相等的信号电位展现出发光亮度的几乎的相同电平。因此，能够改善屏幕均匀性。
顺带提及，由校正时间来确定向像素电容负反馈的量。如果校正时间在所有像素中是恒定的，则在负反馈量中不存在变化，且能够轻松地校正迁移性中的差异。但是，实际上，由于通过配线电容和配线电阻的影响使得从各个扫描线被供应给采样晶体管和开关晶体管的控制信号的脉冲变得缓和。这种脉冲波形的缓和导致在当开关晶体管导通时的第一时刻和当采样晶体管截止时的第二时刻中偏移，且校正时间的持续时间变化。相应地，本发明的实施例设计第一扫描器和第二扫描器的输出缓冲器以使得确定开关晶体管的导通时刻和采样晶体管的截止时刻的控制信号的波形变得更陡峭。特别地，在各个扫描器的输出缓冲器中，在构成确定迁移性校正时间的开始和结尾的控制信号脉冲的上升波形和下降波形的确定波形的端的上级开关元件的晶体管尺寸被设为大于在构成非确定波形端的下级开关元件的晶体管尺寸。以此方式，通过使上级开关元件的晶体管尺寸更大，其电流驱动性能被增加，且使确定波形的陡峭度更大。即使当采样晶体管和开关晶体管的门限电压变化时，更陡峭的确定波形也能防止在晶体管的导通时刻和截止时刻中的变化。因此，本发明的实施例能提供一种能够即使当晶体管的门限电压变化时维持在各个像素中的迁移性校正时间为恒定，并维持在屏幕均匀性中的优势，而没有亮度的不规则性。注意，在本说明书中的晶体管尺寸指示尺寸因素W/L。W是晶体管的沟道宽度，L是晶体管的沟道长度。沟道宽度W对比沟道长度L越宽(即，尺寸因素越大)，晶体管的电流驱动性能越高。当沟道长度L相同时，具有更宽的沟道宽度W的晶体管自然具有更大的尺寸因素。在这种情况下，状态可以简单地表示为尺寸更大了。当沟道长度L相同时，沟道宽度W更大的事实意味着晶体管尺寸更大。
图1是示出根据本发明的实施例的显示设备的整体配置的方框图。
图2是示出根据本发明的实施例的显示设备的像素配置的电路图。
图3是用于说明根据本发明的实施例的显示设备的操作的电路图。
图4是用于说明显示设备的操作的时序图。
图5是用于说明显示设备的操作的电路图。
图6是用于说明显示设备的操作的图。
图7是用于说明显示设备的操作的波形图。
图8是用于说明显示设备的操作的图。
图9是用于说明显示设备的操作的示意图。
图10是示出根据本发明的第一实施例的显示设备的电路图。
图11是示出该第一实施例的显示设备的栅极式样图。
图12是示出该第一实施例的显示设备的波形图。
图13A到13C是示出根据本发明的第二实施例的显示设备的示意图。
图14A到14C是示出根据本发明的第三实施例的显示设备的示意图。
图15是示出根据本发明的第四实施例的显示设备的电路图。
图16是示出该第四实施例的显示设备的栅极式样图。
图17是示出根据本发明的第五实施例的显示设备的示意图。
图18是示出该第五实施例的显示设备的栅极式样图。
图19是示出根据本发明的第六实施例的显示设备的电路图。
图20是示出该第六实施例的显示设备的栅极式样图。
图21是示出根据本发明的第七实施例的显示设备的电路图。
图22是示出该第七实施例的显示设备的栅极式样图。
图23是示出根据本发明的实施例的显示设备的设备配置的剖视图。
图24是示出根据本发明的实施例的显示设备的模型配置的屏幕图。
图25是示出包括根据本发明的实施例的显示设备的电视机的透视图。
图26是示出包括根据本发明的实施例的显示设备的数字静态摄像机的透视图。
图27是示出包括根据本发明的实施例的显示设备的笔记本个人电脑的透视图。
图28是示出包括根据本发明的实施例的显示设备的便携式终端设备的示意图。
图29是示出包括根据本发明的实施例的显示设备的视频摄像机的透视图。
具体实施例方式 如下，将参考附图来具体描述本发明的实施例。图1是示出根据本发明的实施例的显示设备的整体配置的示意方框图。如图所示，图像显示设备基本上是由像素阵列部分1和包括扫描器单元和信号单元的驱动部分来配置的。像素阵列部分1包括以行式方式提供的扫描线WS、扫描线AZ1、扫描线AZ2和扫描线DS、以列式方式提供的信号线SL、被连接于那些扫描线WS、AZ1、AZ2、DS和信号线SL的以矩阵形式的像素电路2，和供应用于各个像素电路2的操作所需的第一电位Vss1、第二电位Vss2和第三电位VDD的多个电源线。该信号单元包括水平选择器3，并向信号线SL供应视频信号。该扫描单元包括写扫描器4、驱动扫描器5、第一校正扫描器71和第二校正扫描器72，并分别向扫描线WS、扫描线DS、扫描线AZ1和扫描线AZ2供应控制信号，以对于每行顺序扫描像素电路。
这里，写扫描器4是由移位寄存器来配置的，其响应外部供应的时钟信号WSCK来操作，并顺序地转移也是外部供应的开始信号WSST，以向各个扫描线WS输出控制信号WS。驱动扫描器5也是由移位寄存器来配置的，其响应外部供应的时钟信号DSCK来操作，并顺序地转移也是外部供应的开始信号DSST，以向各个扫描线DS输出控制信号DS。
图2是示出被并入到如图1所示的图像显示设备中的像素配置的电路图。如图所示，像素电路2包括采样晶体管Tr1、驱动晶体管Trd、第一开关晶体管Tr2、第二开关晶体管Tr3、第三开关晶体管Tr4、像素电容Cs和发光器件EL。采样晶体管Tr1响应从扫描线WS供应的控制信号来导电(conduct)，并在预定的采样时间内把从信号线SL供应的视频信号的信号电位采样到像素电容Cs。像素电容Cs根据所采样的视频信号的信号电位来对驱动晶体管Trd的栅极G施加输入电压Vgs。驱动晶体管Trd根据输入电压Vgs向发光器件EL输出电流Ids。发光器件EL在预定的发光时间内、以根据视频信号的信号电位的亮度、用从驱动晶体管Trd供应的输出电流Ids来发光。
第一开关晶体管Tr2响应从扫描线AZ1供应的控制信号来导电，并在采样时间之前设置驱动晶体管Trd的栅极G为第一电位Vss1。第二开关晶体管Tr3响应从扫描线AZ2供应的控制信号来导电，并在采样时间之前设置驱动晶体管Trd的源极S为第二电位Vss2。第三开关晶体管Tr4响应从扫描线DS供应的控制信号来导电，在采样时间之前连接驱动晶体管Trd到第三电位VDD，并因此通过允许像素电容Cs保持对应于驱动晶体管Trd的门限电压Vth的电压来校正门限电压Vth的影响。另外，第三开关晶体管在发光时间再次响应从扫描线DS供应的控制信号来导电，连接驱动晶体管Trd到第三电位VDD，并使输出电流Ids穿过发光器件EL。
如从上述描述中清楚地理解的，像素电路2是由五个晶体管Tr1到Tr4和Trd、一个像素电容Cs和一个发光器件EL来配置的。晶体管Tr1到Tr3和Trd是N-沟道多晶硅TFT。仅晶体管Tr4是P-沟道多晶硅TFT。注意，本发明不局限于该配置，N-沟道和P-沟道TFT还可以被适当地混合。例如，发光器件EL是具有阳极和阴极的二极管式有机EL设备。还要注意，本发明不局限于该配置，发光器件还包括普遍地由电流驱动来发光的所有设备。
如本发明的实施例的特性，显示设备的驱动部分对第一扫描线WS施加第一控制信号WS，以导通采样晶体管Tr1并开始信号电位的采样，然后，在像素电容Cs中保持的信号电位上进行驱动晶体管Trd的迁移性μ的校正，并因此，在从当第二控制信号DS被施加到第二扫描线DS且开关晶体管Tr4被导通时的第一时刻到当消除了被施加到第一扫描线WS的第一控制信号WS且采样晶体管Tr1被截止时的第二时刻的校正时间t内进行迁移性校正。
图3是仅示出图2所示的图像显示设备采用的像素电路2的部分的示意图。为便于理解，在其上增加了由采样晶体管Tr1所采样的视频信号的信号电位Vsig、驱动晶体管Trd的输入电压Vgs和输出电流Ids，还有发光器件EL所具有的电容组件Coled。如下，将参考图3描述根据本发明的实施例的像素电路2的操作。
图4是图3所示的像素电路的时序图。将参考图4具体描述图3所示的像素电路的操作。图4示出了被施加到各个扫描线WS、AZ1、AZ2和DS的控制信号沿时间轴T的波形图。为简化符号，由与对应的扫描线的记号相同的记号来表示控制信号。由于晶体管Tr1、Tr2、Tr3是N-沟道晶体管，当扫描线WS、AZ1、AZ2处于高电平时它们分别被导通，而当扫描线处于低电平时截止。另一方面，由于晶体管Tr4是P-沟道晶体管，当扫描线DS处于高电平时它截止，而当扫描线处于低电平时导通。时序图示出驱动晶体管Trd的栅极G的电位变化和源极S的电位变化，以及各个控制信号WS、AZ1、AZ2、DS的波形。
在图4所示的时序图中，时序T1到T8被设为一场(1f)。像素阵列的各行在一场期间被顺序地扫描一次。时序图示出各个被施加到一行像素的各控制信号WS、AZ1、AZ2、DS的波形图。
在场开始之前的时刻T0，所有控制信号WS、AZ1、AZ2、DS处于低电平。相应地，N-沟道晶体管Tr1、Tr2、Tr3处于截止状态，而仅P-沟道晶体管Tr4处于导通状态。由于驱动晶体管Trd经由导通状态的晶体管Tr4而被连接于电源VDD，因此晶体管Trd根据预定输入电压Vgs向发光器件EL供应输出电流Ids。因此，发光器件EL在时刻T0发光。在这点上，由栅极电位(G)和源极电位(S)之间的差来表示被施加到驱动晶体管Trd上的输入电压Vgs。
在当场开始时的时刻T1，控制信号DS从低电平切换到高电平。从而，开关晶体管Tr4截止，且驱动晶体管Trd从电源VDD断开，因此，停止发光，且开始非发光时间。因此，在时刻T1，所有晶体管Tr1到Tr4都截止。
接下来，在下一时刻T2，控制信号AZ1和AZ2达到高电平，开关晶体管Tr2和Tr3导通。从而，驱动晶体管Trd的栅极G连接于参考电位Vss1，源极S被连接于参考电位Vss2。这里，满足Vss1-Vss2＞Vth，且通过设置Vss1-Vss2＝Vgs＞Vth来准备将在下一时刻T3进行的Vth校正。换句话说，时间T2-T3对应于驱动晶体管Trd的复位时间。另外，令发光器件EL的门限电压是VthEL，设置VthEL＞Vss2。从而，负偏压被施加到发光器件EL，且处于所谓反向偏压状态。对于普遍地进行随后的Vth校正操作和迁移性校正操作来说，反向偏压状态是必需的。
在时刻T3，控制信号AZ2被切换到低电平，且立即，控制信号DS也被切换到低电平。从而，晶体管Tr3截止而晶体管Tr4导通。从而，漏极电路Ids流入像素电容Cs，开始Vth校正操作。在这点上，驱动晶体管Trd的栅极G被保持在Vss1，且电流Ids流动直到驱动晶体管Trd被切断。在切断后，驱动晶体管Trd的源极电位变为Vss1-Vth。在漏极电源切断后的时刻T4，控制信号DS回复到高电平，且开关晶体管Tr4截止。类似地，控制信号AZ1回复到低电平，且开关晶体管Tr2导通。从而，Vth被保持并固定在像素电容Cs中。如上所述，时刻T3-T4是用于检测驱动晶体管Trd的门限电压Vth的时间。这里，检测时间T3-T4被称为Vth校正时间。
在如上所述进行了Vth校正之后，在时刻T5，控制信号WS被切换到高电平，采样晶体管Tr1导通，且视频信号Vsig被写入像素电容Cs。像素电容Cs与发光器件EL的等同电容Coled相比足够小。从而，大部分视频信号Vsig被写入像素电容Cs。为精确，Vsig相对于Vss1的差、Vsig-Vss1被写入像素电容Cs。因此，驱动晶体管Trd的栅极G和源极S之间的电压Vgs到达先前已经被检测并保持的Vth与在此时被采样的Vsig-Vss1的和(Vsig-Vss1+Vth)的电平。令Vss1＝0V使得更容易进行以下描述，如图2所示的时序图，在栅极和源极之间的电压Vgs是Vsig+Vth。进行视频信号Vsig的采样直到当控制信号WS回复到低电平时的时刻T7。即，时刻T5-T7对应于采样时间。
在当采样时间结束时的时刻T7之前的时刻T6，控制信号DS到达低电平且开关晶体管Tr4导通。从而，驱动晶体管Trd被连接于电源VDD，像素电路从非发光时间进行到发光时间。以此方式，在其中采样晶体管Tr1维持在导通状态且开关晶体管Tr4进入导通状态的时间T6-T7中，进行驱动晶体管Trd的迁移性校正。即，在本发明的实施例中，在其中采样时间的较后部分与发光时间的前面部分重叠的时间T6-T7中进行迁移性校正。注意，在其中进行迁移性校正的发光时间的前面部分中，发光器件EL实际上是处于反向偏压状态的，且没有发光。在迁移性校正时间T6-T7中，栅极电流Ids流经驱动晶体管Trd，而驱动晶体管Trd的栅极G被固定在视频信号Vsig的电平。这里，通过设置Vss1-Vth＜VthEL，发光器件EL被置于反向偏压状态，从而，不是展示出二极管特征而是简单电容特征。因此，流经驱动晶体管Trd的电流Ids被写入通过耦合像素电容Cs和发光器件EL的等同电容Coled而得到的电容、C＝Cs+Coled中。从而，驱动晶体管Trd的源极电位(S)上升。在图4的时序图中，由ΔV来表示上升量。最后从被保持在像素电容Cs中的栅极/源极电压Vgs减去上升量ΔV，然后进行负反馈。以此方式，通过复反馈驱动晶体管Trd的输出电流Ids到相同驱动晶体管Trd的输入电压Vgs来校正迁移性μ。通过调整迁移性校正时间T6-T7的持续时间t来最优化负反馈量ΔV。
在时刻T7，控制信号WS到达低电平，采样晶体管Tr1截止。从而，驱动晶体管Trd的栅极G从信号线SL上断开。由于消除了视频信号Vsig的施加，驱动晶体管Trd变得可上升，并与源极电位(S)一起上升。同时，被保持在像素电容Cs中的栅极/源极电压Vgs维持值(Vsig-ΔV+Vth)。随着源极电位(S)的上升，发光器件EL的反向偏压状态被消除，且发光器件EL通过输出电流Ids的流入实际地开始发光。在这点上，漏极电流Ids和栅极电压Vgs之间的关系由通过将Vsig-ΔV+Vth替换上述晶体管特征等式1的Vgs在如下等式2中给出。
Ids＝kμ(Vgs-Vth)2＝kμ(Vsig-ΔV)2(2) 在等式2中，k＝(1/2)(W/L)Cox。从消除来自特征等式2的术语Vth，已知被供应给发光器件EL的输出电流Ids不依赖于驱动晶体管Trd的门限电压Vth。基本地，通过视频信号的信号电压Vsig来确定漏极电流Ids。换句话说，发光器件EL以根据视频信号Vsig的亮度来发光。在这点上，已经用负反馈量ΔV校正了Vsig。校正量ΔV用于抵消位于特征等式2的系数部分的迁移性μ。因此，漏极电流Ids实质上仅依赖于视频信号Vsig。
最后，在时刻T8，控制信号DS到达高电平，且开关晶体管Tr4截止，结束发光并结束场。然后，操作进行到下一场，重复Vth校正操作、迁移性校正操作和发光操作。
图5是图示在迁移性校正时间T6-T7中的像素电路2的状态的电路图。如图所示，在迁移性校正时间T6-T7中，采样晶体管Tr1和开关晶体管Tr4导通，而其他开关晶体管Tr2和Tr3截止。在这种条件下，开关晶体管Tr4的源极电位(S)是Vss1-Vth。源极电位(S)也是发光器件EL的阳极电位。通过如上所述设置Vss1-Vth＜VthEL，发光器件处于反向偏压状态，且不展示出二极管特征而是简单电容特征。因此，流经驱动晶体管Trd的电流Ids流入像素电容Cs与发光器件EL的等同电容Coled的组合电容C＝Cs+Coled中。换句话说，漏极电流Ids的部分被负反馈到图像电容Cs，且迁移性被校正。
图6是上述晶体管特征等式2的图形表现，垂直轴指示Ids，水平轴指示Vsig。图下方还示出了晶体管特征等式2。在图6的图中，比较像素1和像素2描绘了特征曲线。像素1的驱动晶体管的迁移性μ相对大。相反，像素2中的驱动晶体管的迁移性μ相对小。以此方式，当由多晶硅薄膜晶体管等等来配置驱动晶体管时，在像素之间的迁移性μ中的变化是不可避免的。例如，当处于相同电平的视频信号的信号电位Vsig被分别写入像素1、2，如果没有进行任何迁移性校正，则流经就具有较大迁移性μ的像素1的输出电流Ids1’很大程度上不同于流经具有较小迁移性μ的像素2的输出电流Ids2’.因此，由于迁移性μ中的变化而导致了输出电流Ids之间的大差异，因此，条纹出现，并恶化了屏幕均匀性。
相应地，在本发明的实施例中，通过负反馈输出电流到输入电压端来消除中迁移性的变化。如从上述晶体管特征等式1中清楚地得到的，迁移性越大，漏极电流Ids越大。因此，迁移性越大，负反馈量ΔV越大。如图6的图所示，具有较大迁移性μ的像素1的负反馈量ΔV1大于具有较小迁移性μ的像素2的负反馈量ΔV2。因此，迁移性μ越大，像素被负反馈的程度越大，因此抑制了变化。如图所示，当在具有较大迁移性μ的像素1中进行ΔV1的校正时，输出电流很大程度地从Ids1’降到Ids1。另一方面，由于具有较小迁移性μ的像素2的校正量ΔV2小，则输出电流Ids2’没有如此大程度地从Ids2’降到Ids2。因此，Ids1和Ids2变得实质上相等，且消除了迁移性中的变化。在从黑电平到白电平的整个Vsig范围内进行迁移性中变化的消除，从而，屏幕均匀性变得极其高。上述描述将被总结如下。当存在具有不同迁移性的像素1和2时，具有较大迁移性的像素1的校正量ΔV1变得小于具有较小迁移性的像素2的校正量ΔV2。即，迁移性越大，ΔV变得越大，且Ids的较少值变得越大。从而，具有不同迁移性的像素的电流值相等，且能够校正迁移性中的变化。
如下，将进行上述迁移性校正的数值分析作为参考。在图5所示晶体管Tr1和Tr4导通的条件下，将使用驱动晶体管Trd的源极电位作为变量V进行分析。令，驱动晶体管Trd的源极电位(S)是V，流经驱动晶体管Trd的漏极电流Ids由以下等式3来表示。
Ids＝Kμ(Vgs-Vth)2＝Kμ(Vsig-V-Vth)2(3) 另外，根据漏极电流Ids和电容C(＝Cs+Coled)之间的关系，如以下等式4来表示保持的Ids＝dQ/dt＝CdV/dt。
从 等式3被替换到等式4中并求两端的积分。这里，源极电压V的初始条件是-Vth，且迁移性变化校正时间(T6-T7)是t。通过求解微分等式，如以下等式5来给出对于迁移性校正时间t的像素电流。
如上所述，流经每个像素的发光器件的输出电流由等式5来表示。在等式5中，迁移性校正时间t被设为在实际级别中的几个微秒。如上所述，通过开关晶体管Tr4的导通时刻(下降时刻)和采样晶体管Tr1的导通时刻(上述时刻)来确定迁移性校正时间。图7示出了沿相同时间轴的被施加到开关晶体管Tr4的栅极的控制信号DS的下降波形和被施加到采样晶体管Tr1的栅极的控制信号WS的下降波形。这些控制信号DS、WS传播经过的扫描线是金属钼的相对高电阻脉冲配线等等。另外，由于用其他层的配线的重叠寄生电容大，因此这些脉冲配线的时间常数大，且控制信号DS和WS的下降波形缓和。即，各个控制信号DS、WS不立即从电源电位Vcc上升到地电位Vss，但由于通过配线电阻和配线电容确定的时间常数的影响，下降波形变得缓和。下降波形被施加到开关晶体管Tr4和采样晶体管Tr1的栅极. 另一方面，信号电位Vsig被供应到采样晶体管Tr1的源极。相应地，当栅极电位低于Vsig+Vtn时采样晶体管Tr1截止。Vtn是N-沟道采样晶体管Tr1的门限电压。普遍地，由于制造处理等等的影响，采样晶体管Tr1的门限电压Vtn对于每个像素变化。因此，如果控制信号WS的下降波形缓和，采样晶体管Tr1的截止时刻由于门限电压Vtn中的变化的影响而偏移。因此，在对于每个像素的迁移性校正时间t的尾部中出现了差异。
类似地，开关晶体管Tr4的源极被连接于像素的电源电位VDD。相应地，当开关晶体管Tr4的栅极电位下降到VDD-|Vtp|时，开关晶体管Tr4导通。这里，Vtp代表P-沟道开关晶体管Tr4的门限电压。门限电压Vtp还由于制造处理的影响而变化。因此，如果控制信号DS的下降波形缓和，则开关晶体管Tr4的导通时刻由于门限电压vtp中的变化的影响而偏移。即，在对于每个像素的迁移性校正时间t的开始出现差异。图7示出当门限电压Vtn、Vtp处于由点线所示的平均电平时的标准操作点和当Vtn和Vtp中的变化是由虚线-点线所示的最差时的操作点。在最差情况下，迁移性校正时间相对于标准迁移性校正时间t来说更短。相反，在最差情况下，迁移性校正时间可以相对于平均迁移性校正时间t来说更长。
图8是示出迁移性校正时间和流经像素的驱动电流(像素电流)之间的关系的图。在图中，水平轴指示迁移性校正时间，垂直轴指示像素电流。如从图中清楚地得到的，当迁移性校正时间变化时，像素电流对于每个像素变化。因此，恶化了屏幕均匀性。如上所述，在迁移性校正时间中的变化主要是由采样晶体管Tr1和开关晶体管Tr4的门限电压中的变化所导致的。
图9是用于说明薄膜晶体管的门限电压中的变化的起因的示意图。如图所示，显示设备是由一个绝缘基底构成的平板0。在平板0上，除了像素阵列部分1以外，集成地构成了周围的写扫描器4、驱动扫描器5和水平选择器3。这些周围的驱动部分以及中央的像素阵列部分1是用薄膜晶体管来集成地构成的。普遍地，薄膜晶体管具有多晶硅膜作为设备区域。例如，无定形的硅薄膜被放置在绝缘基底上，然后通过施加激光束来被晶体化，以便薄膜被转换成多晶硅薄膜。通过当重叠它们时从板0的顶部到底部顺序地施加线性激光束，激光束的施加转换无定形硅膜成为多晶硅膜。在激光束施加处理中，当在激光输出中出现局部变化时，多晶硅膜的晶体沿着板0的垂直方向而不同，且从而，这出现作为在薄膜晶体管的门限电压中的变化。因此，在门限电压中的变化典型地出现在板0沿着激光束线的水平轴。在所示示例中，由于在一些线中的门限电压中的变化，校正时间变化。如图8所示，在校正时间中的变化导致在像素电流中的变化，因此沿着线出现了条纹的不均匀亮度。当校正时间短于平均值时，对于信号电位的负反馈的量更小，因此出现了亮于周围的条纹。相反，当校正时间长于标准时，对于信号电位的负反馈的量增加，信号电位降低，因此，通过降低出现了暗于周围的条纹。
在当前的平板市场中，需要具有更高屏幕亮度的产品。相应地，需要缩短进行在将被减少的信号电位上的迁移性校正时间。当迁移性校正时间被缩短时，由于不均匀亮度的条纹明显具有持续时间的轻微偏移。在校正时间中的变化主要是由开关晶体管和采样晶体管的门限电压中的变化所导致的。相应地，本发明的基本概念是使得被施加到这些晶体管的栅极上的控制信号脉冲的过渡波形更陡峭，以便，如果晶体管的门限电压变化，校正时间本身可以不变。图10是示出基于本发明的基本概念所建立的第一实施例的示意电路图。图10示意地示出了写扫描器4的输出单元的三个阶段和连接于其的像素阵列部分1的三列(三条线)。
写扫描器4是由移位寄存器S/R来配置的，响应外部输入的时钟信号WSCK来操作，并通过顺序地转移外部输入的开始信号WSST来顺序地输出对于每个阶段的信号。NAND元件被连接于移位寄存器S/R的各个阶段，并在从S/R的相邻阶段输出的顺序信号上进行NAND处理以生成从其构成控制信号WS的矩形波形。该矩形波形经由反相器(inverter)被输入到输出缓冲器中。该输出缓冲器响应从移位寄存器端供应的输入信号来操作，并向像素阵列部分1的对应的扫描线WS供应最终控制信号。
该输出缓冲器包括被串联在电源电位Vcc和地电位Vss之间的开关元件对。在本实施例中，输出缓冲器具有反相器配置，且一个开关元件是P-沟道晶体管Pch(典型地，PMOS晶体管)，其他是N-沟道晶体管Nch(典型地，NMOS晶体管)。由电阻组件和电容组件的等效电路来表示被连接于各个输出缓冲器的在像素阵列部分1端的各条线。
在具有反相器配置的输出缓冲器中，P-沟道晶体管Pch和N-沟道晶体管Nch被交替地导通，用于输出控制信号WS的矩形脉冲。当P-沟道晶体管Pch导通时，反相器的输出节点被陡峭地提升到电源电位Vcc端。即，P-沟道晶体管Pch主要构成控制信号WS的上升波形。另一方面，当N-沟道晶体管Nch导通时，反相器的输出节点被陡峭地降到地线电位Vss端。换句话说，N-沟道晶体管Nch主要构成控制信号WS的下降波形。
顺带提及，在图7所示的波形图中，控制信号WS的下降波形确定了迁移性校正时间t的尾部。且上升波形是非确定波形，因为它没有被包含在迁移性校正时间的任何确定中。另一方面，在输出缓冲器中，P沟道晶体管Pch构成上升部分，N-沟道晶体管Nch主要构成下降部分。因此，在图10的实施例中，N-沟道晶体管Nch是上级开关元件，其构成控制信号WS的确定波形，P-沟道晶体管Pch是下级开关元件，其构成控制信号的非确定波形。称为上级开关元件和下级开关元件仅为了确定波形与非确定波形的对应关系的方便，在它们之间没有定形的差异。在本实施例中，为了抑制迁移性校正时间中的变化，通过设置构成确定波形的N-沟道晶体管Nch的尺寸大于P-沟道晶体管Pch的尺寸，来使确定波形的陡峭度更大。因此，即使在像素阵列部分1端的采样晶体管Tr1的门限电压Vth变化，迁移性校正时间的尾部也不再变化。
图11是示出图10所示的输出缓冲器的栅极式样的示意平面图。如图所示，输出缓冲器具有反相器配置，在电源电位Vcc和地电位Vss之间串联P-沟道晶体管Pch和N-沟道晶体管Nch。对P-沟道晶体管Pch和N-沟道晶体管Nch对的栅极端施加输入信号，且从漏极端得到输出信号。如上所述，在输出缓冲器中，作为上级开关元件的N-沟道晶体管Nch的沟道宽度Wn被设置为大于在下级开关元件的P-沟道晶体管Pch的沟道宽度Wp。N-沟道晶体管Nch和P-沟道晶体管Pch的沟道长度L被设为彼此相等。
图12是示出从图11所示的输出缓冲器输出的控制信号WS的下降波形(确定波形)的波形图。时间轴和控制信号DS的下降波形(确定波形)被显示在一起。为了容易理解，基于与图7的波形图的尺寸相同的尺寸来显示图12的波形图。如在图7和图12之间的比较中清楚地发现，控制信号WS的下降波形更陡峭。类似地，通过设计对应的输出缓冲器来使得控制信号DS的下降波形更陡峭。以此方式，使得各个控制信号WS、DS的确定波形更陡峭，从而即使当采样晶体管Tr1的门限电压Vth和开关晶体管Tr4的门限电压Vtp变化时，迁移性校正时间t也不会大幅变化。如在图7和图12之间的比较中清楚地发现，在图12中在迁移性校正时间的平均情况和最差情况之间的差异更小了。
图13A到13C是示出根据本发明的第二实施例的显示设备的示意图。图13A示出像素配置，图13B示出控制信号WS和DS的波形，图13C示出写扫描器的输出缓冲器的栅极式样。如图13A所示，实施例使用P-沟道晶体管作为采样晶体管Tr1。相应地，如图13B所示，被施加到采样晶体管Tr1的控制信号WS的确定波形不是图12所示的下降波形，而是上升波形。因此，如图13C所示，在供应控制信号WS的写扫描器的输出缓冲器中，P-沟道晶体管是主要构成控制信号WS的上升波形的上级开关元件，N-沟道晶体管是相反的下级开关元件。在本实施例中，为了使确定波形更陡峭，使在上级开关元件端的P-沟道晶体管的沟道宽度宽于在下级开关元件端的N-沟道晶体管的沟道宽度。
图14A到14C是示出根据本发明的第三实施例的显示设备的示意图。如图14A所示，本实施例使用N-沟道晶体管作为开关晶体管Tr4。相应地，如图14B所示，控制信号DS的上升波形是确定迁移性校正时间的开始的确定波形。如图14C所示，在供应控制信号DS的驱动扫描器5的输出缓冲器中，使在构成确定波形的上级开关元件端的P-沟道晶体管的沟道宽度宽于在下级开关元件端的N-沟道晶体管的沟道宽度。因此，使控制信号DS的上述波形陡峭于下降波形。
图15是示出根据本发明的第四实施例的显示设备的示意电路图。电路图左侧示出了写扫描器4和驱动扫描器5的输出阶段，右侧示出了像素阵列部分1的对应线。本实施例具有其中输出缓冲器取出被供应到电源线的电源脉冲并构成控制信号的确定波形的配置。如图所示，而且输出缓冲器具有反相器配置，P-沟道晶体管Pch和N-沟道晶体管Nch被串联在电源线和地电位Vss之间。当响应来自移位寄存器S/R端的输入信号而导通输出缓冲器的P-沟道晶体管Pch时，输出缓冲器取出被供应到电源线的电源脉冲的下降波形，并向像素阵列部分1端供应它作为控制信号WS的确定波形。以此方式，从缓冲器个别地构成包含确定波形的脉冲，并供应给输出缓冲器的电源线，因此，能够构成具有所期望的确定波形的控制信号WS。而且在这种情况下，当在上级开关沟道端的P-沟道晶体管Pch导通且在下级开关沟道端的N-沟道晶体管Nch截止时，输出缓冲器取出外部供应的电源脉冲的下降波形，并输出它作为控制信号WS或DS的确定波形。
图16是示出图15所示的输出缓冲器的栅极式样的示意图。如图所示，具有反相器配置的P-沟道晶体管Pch和N-沟道晶体管Nch对被串联在生成电源脉冲的外部电源和地线Vss之间。在本实施例中，P-沟道晶体管Pch是上级开关元件，N-沟道晶体管Nch是下级开关元件，P-沟道晶体管的沟道宽度被设为宽于N-沟道晶体管的沟道宽度。由于如上所述P-沟道晶体管的电流驱动性能高，因此P-沟道晶体管能够取出从外部电源供应的带有少量失真的电源脉冲的驱动波形作为控制信号的确定波形。
图17是示出根据本发明的第五实施例的显示设备的示意电路图。为了容易理解，对应的标号被分配给对应图15所示的第四实施例的部分的部分。与第四实施例的不同点在于，第五实施例取出电源脉冲的上升波形，并使用它作为控制信号的确定波形。相应地，本实施例向输出缓冲器输入来自地线Vss端的的电源脉冲，当N-沟道晶体管Nch导通时取出电源脉冲的上升波形，并向像素阵列部分的扫描线端输出它。因此，在本实施例中，输出缓冲器的N-沟道晶体管Nch是上级开关元件，P-沟道晶体管Pch是下级开关元件。
图18是示出图17所示的输出缓冲器的栅极式样的示意图。如图所示，在上级开关元件端的N-沟道晶体管Nch的沟道宽度(栅极宽度)被设为宽于在下级开关元件端的P-沟道晶体管的沟道宽度。
图19是示出根据本发明的第六实施例的显示设备的示意电路图。为了容易理解，对应的标号被分配给对应图15所示的第四实施例的部分的部分。与第四实施例的不同点在于，第六实施例使用包括CMOS晶体管的发射栅极元件(TG)作为上级开关元件以取代P-沟道晶体管(典型地，PMOS晶体管)。这种CMOS开关与NMOS开关或PMOS开关相比具有更高的电路驱动性能，因此在没有实质上的恶化的情况下能够取出被供应到电源线的电源脉冲的下级波形，并向实际的像素阵列部分的扫描线端输出它。
图20是图19所示的输出缓冲器的栅极式样图。如图所示，输出缓冲器串联于外部电源端和地线Vss之间的CMOS开关和NMOS开关CMOS开关包括P-沟道晶体管Pch和N-沟道晶体管Nch对。NMOS开关包括单个N-沟道晶体管Nch。如图所示，在上级开关元件端的N-沟道晶体管和P-沟道晶体管的栅极宽度被设为宽于在下级开关元件端的N-沟道晶体管的栅极宽度。
图21是示出根据本发明的第七实施例的显示设备的示意电路图。为了容易理解，对应的标号被分配给对应图19所示的第六实施例的部分的部分。与第流实施例的不同点在于，第七实施例加入(enter)来自地线Vss端的电源脉冲，用包括CMOS晶体管的发射栅极元件TG来取出电源脉冲的下级波形，并向像素阵列部分的扫描线端输出它。
图22是图21所示的输出缓冲器的栅极式样图。如图所示，在上级开关元件端的N-沟道晶体管和P-沟道晶体管的栅极宽度被设为宽于在下级开关元件端的P-沟道晶体管的栅极宽度。
根据本发明的实施例的显示设备具有如图23所示的薄膜设备配置。附图示出在绝缘基底上构成的像素的示意剖视图。如图所示，像素包括包含多个薄膜晶体管(图中图示了一个TFT)的晶体管部分、诸如记忆电容的电容部分和有机EL设备等等的发光部分。晶体管部分和电容部分是在TFT处理中的基底上构成的，且其上堆了有机EL设备等等的发光部分。透明反向基底经由粘合剂被附于其上以构成平板。
根据本发明的实施例的显示设备包括具有图24所示的平面模型配置的显示设备。例如，在绝缘基底上，以矩阵形式提供通过集成每个都包括有机EL设备、薄膜晶体管、薄膜电容等等的像素而构成的像素阵列部分。在像素阵列部分(像素阵列部分)周围提供了粘合剂，附上玻璃等等的反向基底以构成显示器模型。在这种透明反向基底上，可以根据需要提供颜色滤波器、保护性涂层、光线防护膜等等。在显示器模型中，例如，可以提供FPC(灵活的打印电路)作为对于外部输入和向像素阵列部分的信号输出的连接器。
本发明的实施例中的上述显示设备具有平板配置，且例如可用于显示被输入到诸如数字摄像机、笔记本个人计算机、手机和视频摄像机的各种电子器件或在其中被生成的诸如图像或视频的视频信号的任何领域内的电子器件的显示器。如下，示出了应用了显示设备的电子器件的示例。
图25示出了本发明的实施例所应用的电视。该电视包括由前板12、滤波器玻璃13等等配置的显示屏11，且使用本发明的实施例的显示设备来制作视频显示屏11。
图26示出了本发明的实施例所应用的数字摄像机，且上方的图是前视图，下方的图是后视图。该数字摄像机包括成像透镜、用于闪光的发光部分15、显示部分16、控制开关、菜单开关、棱子(shuttle)19等等，且使用本发明的实施例的显示设备来制作其显示部分16。
图27示出本发明的实施例所应用的笔记本个人计算机。该计算机包括当在主体20中输入字符等等时将操作的键盘21，和在主体表面显示图像的显示部分22，且使用本发明的实施例制作其显示部分22。
图28示出本发明的实施例所应用的便携式终端设备，左边的图示出打开状态，右边的图示出关闭状态。便携式设备包括上方外壳23、下方外壳24、连接部分(这里，铰链部分)25、显示器26、子显示器27、图片光28、摄像机29等等，且使用本发明的实施例的显示设备来制作显示器26和子显示器27。
图29示出了本发明的实施例所应用的视频摄像机。该视频摄像机包括主体部分30、用于在前向端表面上进行成像的透镜34、当成像时的开始/停止开关35、监视器36等等，且使用本发明的实施例的显示设备来制作其监视器36。
本领域技术人员应该理解依赖于设计需求和其他因素，只要它们所附权利要求或其等同物的范围内，可以进行各种修改、合并、子合并和替换。
相关申请的交叉引用
本发明包含涉及2006年8月17日在日本专利局提交的日本专利申请JP2006-222146的主题，其全部内容被引用附于此。
权利要求
1.一种显示设备，包括
像素阵列部分；和
驱动部分，其驱动像素阵列部分，
像素阵列部分包括行式第一扫描线和第二扫描线、列式信号线、在线交叉的地方以矩阵形式排列的像素和向各个像素供应电力的电源线和地线，
驱动部分包括第一扫描器，其顺序地向各个第一扫描线供应第一控制信号，并且按线顺序地扫描以行为单元的像素；第二扫描器，其根据按线顺序扫描来顺序地向各个第二扫描线供应第二控制信号；以及信号选择器，其根据按线顺序扫描来向列式信号线供应视频信号，
像素包括发光器件、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管和像素电容，
采样晶体管具有连接于第一扫描线的栅极、连接于信号线的源极和连接于驱动晶体管的栅极的漏极，
驱动晶体管和发光器件串联于电源线和地线之间以构成电流路径，
开关晶体管被插入电流路径中，并具有连接于第二扫描线的栅极，
像素电容连接在驱动晶体管的源极和栅极之间，
其中采样晶体管响应从第一扫描线供应的第一控制信号来导通，并对从信号线供应的视频信号的信号电位进行采样，并在像素电容中保持该电位，
开关晶体管响应从第二扫描线供应的第二控制信号来导通，以使电流路径处于导电状态，
驱动晶体管响应被保持在像素电容中的信号电位来将驱动电流经过处于导电状态的电流路径传送到发光器件，
在向第一扫描线施加了第一控制信号并导通采样晶体管以开始信号电位的采样之后，在从第二控制信号被施加到第二扫描线且开关晶体管被导通时的第一时刻到施加到第一扫描线的第一控制信号被消除且采样晶体管被截止时的第二时刻的校正时间中，驱动部分对保持在像素电容中的信号电位进行驱动晶体管的迁移性校正，
第一扫描器和第二扫描器的至少一个具有用于输出第一或第二控制信号的输出缓冲器，
输出缓冲器具有主要构成控制信号的上升波形的一个开关元件，和主要构成控制信号的下降波形的另一开关元件，
各个开关元件是分别由晶体管构成，
在控制信号中，上升波形和下降波形之一是确定校正时间中的第一时刻或第二时刻的确定波形，上升波形和下降波形的其他是与校正时间中的第一时刻或第二时刻无关的非确定波形，以及
在输出缓冲器中，在构成确定波形端的上级开关元件的晶体管的尺寸被设为大于在构成非确定波形端的下级开关元件的晶体管的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，输出缓冲器是包括PMOS晶体管和NMOS晶体管的反相器，且当控制信号的下降波形是确定波形时，主要构成该波形的NMOS晶体管是上级开关元件，当控制信号的上升波形是确定波形时，主要构成该波形的PMOS晶体管是上级开关元件，且上级开关元件的晶体管尺寸被设为大于下级开关元件的晶体管尺寸。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中第一时刻和第二时刻两者的确定波形是下降波形，且在第一扫描器和第二扫描器的输出缓冲器两者内NMOS晶体管在尺寸上大于PMOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在输出缓冲器中，上级开关元件包括CMOS晶体管，下级开关元件包括NMOS晶体管或PMOS晶体管，且CMOS晶体管的尺寸大于NMOS晶体管或PMOS晶体管的尺寸。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，输出缓冲器取出外部供应的脉冲波形，并当上级开关元件导通且下级开关元件截止时输出该波形作为控制信号的确定波形。
6.一种包括根据权利要求1的显示设备的电子器件。
7.一种显示设备，包括
像素阵列部分；和
驱动部分，其驱动像素阵列部分，
像素阵列部分包括行式扫描线、列式信号线、在线交叉的地方以矩阵形式排列的像素和向各个像素供应电力的电源线和地线，
驱动部分包括扫描器，其顺序地向各个扫描线供应控制信号，并按线顺序地扫描像素，
像素包括发光器件、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管和像素电容，
采样晶体管具有连接于扫描线的栅极、连接于信号线的源极和连接于驱动晶体管的栅极的漏极，
驱动晶体管和发光器件串联于电源线和地线之间以构成电流路径，
开关晶体管被插入电流路径中，并具有连接于扫描线的栅极，
像素电容连接在驱动晶体管的源极和栅极之间，
其中，至少一个扫描器具有用于输出控制信号的输出缓冲器，且
在输出缓冲器中，在构成确定波形端的上级开关元件的晶体管的尺寸被设为大于在构成非确定波形端的下级开关元件的晶体管的尺寸。
全文摘要
公开了一种显示设备。该显示设备包括像素阵列部分；和驱动部分，其驱动像素阵列部分。像素阵列部分包括行式第一扫描线和第二扫描线、列式信号线、在线交叉的地方以矩阵形式排列的像素和向各个像素供应电力的电源线和地线。驱动部分包括第一扫描器，其顺序地向各个第一扫描线供应第一控制信号，并按线顺序地扫描以行为单元的像素；第二扫描器，其根据按线顺序扫描来顺序地向各个第二扫描线供应第二控制信号；以及信号选择器，其根据按线顺序扫描来向列式信号线供应视频信号。
文档编号H05B33/08GK101127187SQ20071014161
公开日2008年2月20日 申请日期2007年8月17日 优先权日2006年8月17日
发明者山下淳一, 内野胜秀 申请人:索尼株式会社