发光二极管组合件及其制造方法

专利名称：发光二极管组合件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及包括发光二极管(LED)组合件和LED阵列组合件的发光装置及其制造方法。更特别地说，本发明涉及LED透镜组合件和LED阵列透镜组合件。此外(尽管不排除其它)，本发明涉及具有磷光体增强的LED组合件。
背景技术：
实现现今的发光二极管(LED)所预期的亮度需要有效地提取LED芯片/裸片所产生的光。LED芯片通常具有边缘-发射或表面-发射结构。全内反射是减小所发射光子的比例的主要损失机制，且如所已知，光子的全内反射以大于斯涅尔定律(Snell'slaw)所定义的临界角《的角度入射在表面上
《.=sin一'("。/w，)
其中W和 分别是空气和LED芯片材料的折射率。另外，LED材料内的吸收和界面处的费涅(Fresnel)反射损失降低了 LED的光输出效率。平坦表面LED中的电到光转换的总效率由下式给出[W N 卡尔(W.N. Carr)禾卩G E 皮特蒙(G.E. Pittman)，物理应用快报(Appl. Phys. Lett.), 3， 173(1963)]:
其中4n,/(^ + ""2为透射系数，且(l-cos《)为实心锥体。
为了增加提取效率，可使用从芯片到空气的折射率的逐步减小，以减少全内反射损失。举例来说，如果使用具有中间折射率 二V^的介质来囊封LED芯片，那么LED
芯片与介质之间的临界角增加到《.="^(^/^7;),从而导致相对于空气的提取效率增加
因数("2/ )2 =",/"。，以及对费涅反射损失的某一额外校正。
已使用其它技术来增加提取效率。举例来说，使LED芯片表面粗糙用于有效地增大芯片的表面积，且从而确保更多的发射光线落在有效增大的表面积所提供的临界角区域内。另一技术涉及使用光子晶体来耦合尽可能多的来自LED芯片的顶部表面的发射光的模式，尤其是那些较低阶的模式。
4另外，通常使用例如凸透镜的光学组件来更改LED芯片的发射辐射图案，以使其发射校准到所需方向，并增强所述方向上的照明的亮度。通常，将透镜表面安装在个别LED芯片上。此外，由玻璃或塑料材料制成的经表面安装的透镜还增强光提取，因为其折射率低于芯片材料的折射率且大于空气的折射率。另外，所述透镜的中凸弯曲的表面显著增加透镜与空气之间的临界角区域的大小，其辅助从下伏芯片提取更多量的光。安装此类透镜的问题在于，由于LED芯片的大小(其通常为几微米)的缘故，透镜与芯片的对准的公差非常精确，且工艺可能变得昂贵。为此，所述LED芯片或许多芯片通常安装在一容器内，且透镜安装到所述容器。
基于InGaN (氮化铟镓)蓝色LED芯片和各种黄色磷光体(发光材料)(其用以制作一种发射对于眼睛看起来颜色为白色的光的LED)的白色LED的新近开发已使得包含固态照明在内的许多技术和商业应用成为可能。目前，磷光体材料的颗粒并入囊封材料中，其接着被应用到已被切块和封装的个别LED芯片。在应用磷光体之后，将透镜
表面安装到囊封磷光体层。此类制造技术是低效、费时且昂贵的。
发明人已了解，磷光体材料直接应用到透镜或一些其它此类光学组件的表面上或将磷光体材料嵌入所述透镜或光学组件内将简化制造工艺，且可在白色LED的情况下实现较佳的白光均匀性。然而，在离散芯片级个别地封装磷光体材料连同透镜仍是费时的工艺。
因此，需要一种经改进的制造LED透镜组合件的方法，其可在晶片级并入磷光体增强，以便维持制造质量一致性，改进封装芯片性能，且实现较高的产率。

发明内容
本专利中揭示多种方法，所述方法提供综合解决方案以通过LED晶片级处的磷光体涂覆和光学组件安装来实现LED芯片的有效的光提取、卓越的发光转换和色彩混合、定向照明以及亮度和均匀性的增强。所述光学组件可以是具有磷光体涂层或嵌入式磷光体颗粒的透镜阵列。应用透镜阵列和磷光体的工艺可通过光刻方法直接应用到LED晶片。本专利中所揭示的结构和工艺可显著改进生产一致性和制造成本效率。所应用的光学透镜阵列的应用可显著改进光提取和光发光转换性能，且显著改进制造质量一致性。
根据本发明， 一种LED组合件包括LED和邻近所述LED的发光表面而安置的透镜；其特征在于所述透镜的投影到所述LED的发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。所述LED组合件可进一步包括囊封在透明材料内的磷光体，所述透明材料环绕所述LED的发光表面的至少一部分。或者，磷光体层安置在所述透镜与所述LED的发光表面的至少一部分之间。
在一种布置中，至少两个透镜邻近LED的发光表面而安置，且所述至少两个透镜的投影到所述LED的发光表面上的横截面的面积的总和大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。所述LED组合件可进一步包括囊封在透明材料内的磷光体，所述透明材料环绕所述LED的发光表面的至少一部分。或者，磷光体层安置在所述至少两个透镜与所述LED的发光表面的至少一部分之间。
根据本发明， 一种发光装置包括LED阵列和透镜阵列，其中至少一个透镜与所述LED阵列的每一成员相关联，且特征在于每一透镜的投影到其相关联LED的发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。所述发光装置可进一步包括囊封在透明材料内的磷光体，所述透明材料环绕所述透镜阵列的至少一部分。或者，磷光体层安置在所述透镜阵列的透镜中的至少一者与所述LED阵列的LED中的至少一者之间。
根据又一实施例， 一种光子装置包括LED,其经配置以从发光表面发射第一波长的辐射；透镜，其经配置以光学聚焦来自所述LED的辐射；邻近所述LED而定位的磷光体，所述磷光体经配置以吸收所述LED所发射的辐射的至少一部分，且发射第二波长的辐射，所述光子装置的特征在于所述透镜的投影到LED的发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。在一种布置中，磷光体囊封在透明材料内，所述透明材料环绕所述LED的发光表面的至少一部分。或者，磷光体被安置为所述透镜与所述LED的发光表面的至少一部分之间的层。
根据本发明的又一方面， 一种制造LED组合件的方法包括a)将透明透镜材料分配到含有LED阵列的衬底上；以及b)将所述透明透镜材料模制成所需透镜图案，以匹配所述LED阵列的图案。视透明透镜材料而定，所述方法可进一步包括在移除用于模制透镜图案的模具/印模之前，通过(例如)UV固化或热固化来固化所述透明透镜材料。优选的是，所述方法进一步包括移除所述透明透镜材料的选定区以提供对LED阵列的电极的电接入。可通过蚀刻、氧等离子体蚀刻或湿式蚀刻来移除所述透明透镜材料的所述选定区。
在一种布置中，所述方法进一步包括在将透明透镜材料分配到LED阵列衬底上之前，将磷光体层大体上沉积在LED阵列衬底的整个表面上。有利的是，所述方法进一步包括在沉积所述磷光体之前，提供上覆于LED阵列的电极区上的脱模剂。接着可对所述脱模剂进行处理，且使用起离步骤来移除磷光体层和透明透镜材料的选定区，以提供对LED阵列的电极区的电接入。或者，所述方法可进一步包括将经模制的透镜材料和LED阵列嵌入含有磷光体的 透明基质中。或者，所述方法包括将磷光体层沉积在透镜阵列层与LED阵列衬底之间。


为了更好地理解本发明，现在将参看附图仅以实例的方式描述本发明的实施例，在 附图中-
图1是根据本发明的用于将透镜阵列应用到晶片上的LED裸片阵列的方法的示意 性图解；
图2是透镜阵列和磷光体涂层的示意性图解，其中所述透镜阵列已被配置成使得每 一 LED裸片被指配有一个透镜，且其中所述LED阵列已制造在晶片上； 图3说明每一 LED裸片上提供有多个透镜的透镜阵列的替代配置； 图4是类似于图3的配置且关于每一组透镜进一步包含一磷光体涂层的配置的图
解；
图5 (a)到图5 (g)说明根据本发明的方法用于将透镜阵列模制在LED阵列的顶 部上的步骤；
图6 (a)到图6 (h)说明类似于图5中所说明的方法且迸一步包含将磷光体层沉 积在透镜阵列与LED阵列之间的制造方法的步骤；
图7 (a)到图7 (d)是根据本发明的发光装置的示意性表示；以及 图8 (a)到图8 (d)是根据本发明的发光装置的示意性表示。
具体实施例方式
本文揭示制作包括LED芯片和相关联透镜的装置的方法，所述装置的体积中在晶 片级具有或不具有用于色彩混合和发光转换的磷光体材料。透镜阵列可邻近于衬底上被
称为LED晶片的经处理的LED裸片阵列而定位，其中透镜阵列的个别透镜与晶片上的 个别LED裸片之间存在对应关系。可使用包含模制、铸造和压印的光刻技术来制造透 镜阵列。晶片上的LED裸片阵列可排他地为基于GaN (氮化镓)的LED。在本专利申 请案的上下文中，发光二极管(LED)将被解释为表示任何固态光源，且可包含(例如) 激光二极管。
LED组合件和阵列
在木发明的一个实施例中，透镜阵列的个别元件(透镜)可具有大体上匹配LED 晶片上的LED裸片的大小的尺寸，更明确地说，每一阵列元件包括单个透镜，所述透镜的投影到对应LED裸片的发光表面上的横截面的面积大体上等于所述LED的发光表 面的面积。在此布置中，透镜与芯片以一对一的方式配对。或者，透镜阵列中的个别透 镜的尺寸可大于LED晶片上的对应裸片的周长。透镜和裸片还可在空间上彼此匹配， 使得透镜的大小可在从 50 pm到~ 5 mm的范围内。图1中描绘透镜阵列的元件与LED 阵列的LED裸片的这种一对一匹配。
在此配置中，透镜阵列1直接附接到LED阵列2， LED阵列2形成于衬底(晶片) 3上。所述透镜阵列可由包含硅酮、环氧树脂、聚合物、玻璃或塑料材料在内的多种材 料制成。可依据对光提取的特定要求来做出材料选择，且相应地选择具有适当折射率的 材料。透镜l可(例如)为圆形、正方形、矩形、六边形或任何其它形状，视既定应用 而定。除改进照明的辐射测量效率之外，透镜1还增加光提取效率，因为透镜安装在LED 芯片上，它们充当具有中间折射率的光学介质。优选的是，每一透镜具有中凸弯曲的表 面，其实质上减小入射在透镜空气界面上的较大比例光线的入射角，所述光线否则将由 于外表面相对于空气为平坦之处的全内反射而损失。将了解，可使用安装在LED芯片 上的单个凸透镜来提取实质上更多的光。
在另一实施例中，如图2中所说明，在安装透镜阵列2之前，可将磷光体(发光) 材料层4均匀地涂覆在LED晶片3上。磷光体涂层3可经图案化，以便为晶片3上的 每一个别LED2裸片而使电极接触窗保持打开。磷光体材料的化学成分可经配置以强烈 地吸收由上面涂覆有所述层的LED2发射的光子，且接着重新发射较长波长的光。可通 过控制涂覆工艺来优化磷光体层的厚度，以具有LED所发射光的所需吸收。可基于磷 光体材料的发射带的波长范围以及在色彩混合方面与磷光体发射互补的LED发射的波 长来确定磷光体材料的选择。将磷光体材料方便地并入粘合剂材料中，且接着通过任何 合适的涂覆工艺将组合物应用到LED芯片。
接着可使用如下文所述的光刻方法将透镜阵列1并入经图案化的磷光体层4的顶部 上。透镜阵列的个别透镜1可具有大体上大于或匹配LED晶片上的LED裸片的大小的 尺寸。所述透镜与所述芯片可以一对一的方式配对。因此，透镜阵列中的透镜的尺寸和 LED晶片上的裸片的周长在空间上匹配，使得透镜具有大小在 50nw到 5mm范围内 的尺寸。本实施例的优点是可以与图1的实施例中所使用的方式完全相同的方式来在具 有磷光体涂层的LED晶片上处理透镜阵列。如同图.1的实施例一样，所述透镜可以是 圆形、正方形、矩形或六边形，视LED芯片的几何配置而定。透镜阵列的材料可以是 硅酮、环氧树脂、聚合物、玻璃或塑料材料。应将透镜阵列的透镜的折射率选择为小于 磷光体的折射率，以确保从LED材料到磷光体到透镜到空气的折射率的逐步减小
8(nLED>n攝光体>11 M〉n。)，以获得增强的光提取。此外，透镜的中凸弯曲的表面实质上增 加落在从透镜到空气的临界角区域内的光线的数目，从而确保与可用相对于空气为平坦 的表面提取的光量相比，可提取更大量的光。
在又一实施例中，如图3中所说明，可对透镜阵列进行处理，使得与LED芯片2 相关联的每一阵列元件由多个较小的透镜或小透镜5构成。通常，每一小透镜具有在从 10 nm到100 pw范围内的尺寸。透镜阵列经配置以使得晶片3上的LED裸片2中的一 者、 一者以上或所有LED裸片具有安装在其顶部上的小透镜阵列4，所述小透镜阵列至 少覆盖LED芯片的发光区域，且每一 LED芯片可具有安装在其发光表面上的在4个与 数百个或甚至数千个之间的小透镜。在此布置中，所述小透镜的投影到LED的发光表 面上的横截面的面积总和大体上等于或小于LED的发光表面的面积。图3和图4分别 说明集成透镜阵列与不具有和具有磷光体涂层4的LED晶片的方案。除前述实施例的 优点之外，此利用多个较小小透镜的方案可进一步增强光提取，因为多个小透镜提供多 个弯曲表面，其以与变粗糙的表面增强光提取的方式类似的方式来使从透镜阵列耦合到 空气的光线的光束路径随机化。此外，多个较小小透镜还可改进来自LED组合件的照 明的亮度的均匀性，因为其形状因数由于较大数目的小透镜而得到改进。
制造LED组合件和阵列的方法
图5 (a)到图5 (g)中说明产生本发明的LED透镜组合件的示范性方法。在此实 例中，透镜阵列与晶片上的LED裸片阵列匹配，所述两个阵列之间无介入磷光体层。 可用于在晶片上的LED阵列上或上方产生透镜阵列的一种方法是光刻压印方法。图5 (a)说明具有一个或一个以上电极区6的LED晶片3。注意，图5中未展示LED阵列 的个别LED。
所述方法包括以下步骤
步骤1—图5 (b):将透明透镜材料7涂覆或以其它方式分配到LED晶片3上。透 明透镜材料7可以是硅酮、环氧树脂、聚合物、玻璃、塑料材料或其混合物；
步骤2_图5 (c)和图5 (d):应用具有图案的印模8，其经设计从透明透镜材料 到透明透镜材料7模制透镜，以使所述材料符合印模8的形状。在所说明的实施例中， 存在对应于LED晶片的每一 LED裸片的一个透镜。印模8还经配置以提供电极窗图案 9，以允许随后对LED阵列的一个或一个以上电极6的电接入；
步骤3—图5(d):使透镜材料暴露于UV辐射IO或热处理，以使经图案化的透镜 阵列和电极窗固化(此步骤是可选的，且取决于所使用的透镜材料)。为了使透镜材料 能够暴露于UV,掩模8有利地由对UV辐射透明的材料制成；步骤4—图5 (e):移除印模8;以及
步骤5—图5(f):使透明材料的选定区9暴露于蚀刻，例如氧等离子体或湿式蚀刻， 以使残余的硅或环氧树脂透镜材料消失，且/或提供对LED进行供电和控制所需的对电 极6的电接入。图5 (g)是说明完成的LED透镜组合件的平面图。
图6 (a)到图6 (h)中展示用两个阵列之间的介入磷光体层来产生与LED阵列匹 配的透镜阵列的示范性方法，其再次使用压印光刻技术。图6(a)说明具有一个或一个 以上电极区6的LED晶片3。注意，图6中未展示LED阵列的个别LED。
所述方法可包括以下步骤
步骤1—图6 (b):将磷光体层12涂覆或以其它方式分配在整个LED晶片3上； 步骤2—图6(c):将透明透镜材料7涂覆或以其它方式分配到磷光体层12上；所
述透明透镜材料在一个实施例中为硅酮、环氧树脂、聚合物、塑料材料、玻璃或其混合
物；
步骤3—图6 (d)和图6 (e):将具有经设计以从透明透镜材料模制透镜的图案的 印模8应用于透明透镜材料7，以使所述材料符合印模8的形状。在所说明的实施例中， 存在对应于LED晶片的每一 LED裸片的一个透镜。印模8还经配置以提供电极窗图案 9，以允许随后对LED阵列的 一个或- 个以上电极6的电接入；
步骤4一图5(e):使透镜材料暴露于UV辐射IO或热处理，以使经图案化的透镜 阵列和电极窗固化(此步骤是可选的，且取决于所使用的透镜材料)；
步骤5—图5 (f):移除印模8;以及
步骤6—图5 (g):视情况使透明材料的选定区暴露于蚀刻，例如氧等离子体或湿 式蚀刻，以使残余的硅、磷光体或环氧树脂透镜材料消失，且/或提供对LED进行供电 和控制所需的对电极6的电接入。图6 (h)是说明完成的LED透镜组合件的平面图。
在上文概述的后者方法的许多可能变型的一种变型中(图6中说明此变型)，在沉 积磷光体涂层(图6 (a))之前，将脱模剂11沉积到LED晶片的电极区6上。接着， 在已在步骤5中移除了印模8之后，可执行起离步骤程序13 (图6 (g))，其中对脱模 剂的适当处理(例如，溶解)致使上覆于电极上的透明透镜材料被移除。因为脱模剂仅 沉积在覆盖LED晶片电极的区上，所以只有在起离步骤期间移除的透镜材料是覆盖电 极的透镜材料。
替代磷光体布置
图7和图8中说明联合LED透镜装置(个别组合件，以及匹配的阵列图案)而配 置磷光体的替代方式。在图7 (a)到图7 (d)所示的配置中，磷光体M嵌入在透明基质材料(例如，环氧树脂)中，且LED透镜组合件2、 1和/或匹配的透镜阵列5和LED 阵列2本身嵌入在外壳15内的磷光体/基质材料14中且由磷光体/基质材料H环绕。因 此，对于图7 (a)到图7 (d)中所说明的配置，来自LED 2的光在进入充满磷光体的 环氧树脂或硅材料14之前，由其伴随透镜1聚焦和/或强化，其中所述光1)激励所述 磷光体，以及2)与所述磷光体所产生的光组合以形成最终产物光。
或者，对于图8 (a)到图8 (d)所示的情况，其中将磷光体安置为LED 2与透镜 1/小透镜阵列5之间的层12(即，在LED透镜组合件内)。来自LED2的光首先激励磷 光体12，从而产生第二波长的光，来自LED的光和来自磷光体的光接着由透镜1/小透 镜5聚焦并强化为组合实体。
不管配置磷光体的方式如何(即，使用图7的原理还是图8的原理)，配置LED透 镜组合件以及LED阵列和透镜阵列的不同方式可以是相同的。换句话说，单个LED可 与单个LED封装在一起，如图7 (a)和图8 (a)中所示。每封装可存在一个LED透镜 组合件，如图7 (a)和图8 (a)的左侧所示，或每封装可存在一个以上组合件(例如， 三个组合件)，如图7 (a)和图8 (a)的右侧所示。在这些实施例中，经封装的LED包 括至少一个透镜。在另一实施例中，经封装的LED包括位于一LED芯片上的至少一个 透镜，以及包含作为囊封材料或作为涂覆膜的发光磷光体。
在同样可应用于任何类型的磷光体配置的封装的替代布置中，可在单个LED芯片 上提供迷你小透镜阵列。图7 (b)和图8 (b)中展示此布置。参看图7 (b)，在左侧， 与单个LED芯片配对的单个迷你小透镜阵列5封装在一起；所述迷你小透镜阵列在横 截面中表现为四行(或列)。可存在封入单个封装中的许多此类单元，例如图7 (b)右 侧的三个单元。此外，图7 (b)中展示囊封在环绕LED透镜结构的透明基质中的发光 磷光体的所展示布置，且图8 (b)中展示与发光磷光体以层的形式涂覆在LED芯片与 透镜之间的情况类似的布置。在平面图中，图7 (b)和图8 (b)中所描绘的阵列的形 状可为正方形，意味着行中的阵列成员的数目等于列中的阵列成员的数目。阵列的形状 还可以是矩形，其中行中的阵列成员的数目大于或小于列中的阵列成员的数目。
所述阵列可为线性的；也就是说，封装中仅有一行，且所述行中有多个LED透镜 组合件(例如，多个列成员)。此配置可被称为"棒"封装。此情况下的单元可包括与 单个LED配对的单个透镜，如图7 (c)中针对囊封磷光体而说明，和图8 (c)中针对 磷光体涂层而说明，或包括与单个LED相关联的多个小透镜，如图7 (d)中针对囊封 磷光体而说明，和图8 (d)中针对磷光体涂层而说明。
权利要求
1.一种LED组合件，其包括LED2和邻近所述LED的发光表面而安置的透镜1；所述LED组合件的特征在于所述透镜的投影到所述LED的所述发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。
2. 根据权利要求1所述的LED组合件，且进一步包括囊封在透明材料内的磷光体14, 所述透明材料环绕所述LED的所述发光表面的至少一部分。
3. 根据权利要求1所述的LED组合件，且进一步包括磷光体层4,所述磷光体层4 安置在所述透镜与所述LED的发光表面的至少一部分之间。
4. 一种LED组合件，其包括邻近LED 2的发光表面而安置的至少两个透镜5;所 述LED组合件的特征在于所述至少两个透镜的投影到所述LED的所述发光表面上 的横截面的面积的总和大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。
5. 根据权利要求4所述的LED组合件，且进一步包括囊封在透明材料内的磷光体14， 所述透明材料环绕所述LED的所述发光表面的至少一部分。
6. 根据权利要求4所述的LED组合件，且进一步包括磷光体层4，所述磷光体层4 安置在所述至少两个透镜与所述LED的发光表面的至少一部分之间。
7. —种发光装置，其包括LED阵列和透镜阵列，其中存在与所述LED阵列的每一 成员相关联的至少一个透镜，且所述发光装置的特征在于每一透镜的投影到其相关 联LED的发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面 积。
8. 根据权利要求7所述的发光装置，且进一步包括囊封在透明材料内的磷光体，所述 透明材料环绕所述透镜阵列的至少一部分。
9. 根据权利要求7所述的发光装置，且进一步包括磷光体层，所述磷光体层安置在所 述透镜阵列的所述透镜中的至少一者与所述LED阵列的所述LED中的至少一者之间。
10. —种光子装置，其包括LED,其经配置以从发光表面发射第一波长的辐射；透镜，其经配置以光学聚焦来自所述LED的辐射；磷光体，其邻近所述LED而定位，所 述磷光体经配置以吸收所述LED所发射的所述辐射的至少一部分，且发射第二波 长的辐射，所述光子装置的特征在于所述透镜的投影到所述LED的所述发光表面 上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。
11. 根据权利要求10所述的光子装置，其中所述磷光体囊封在透明材料内，所述透明材料环绕所述LED的发光表面的至少一部分。
12. 根据权利要求10所述的光子装置，其中所述磷光体层被安置为所述透镜与所述 LED的发光表面的至少一部分之间的层。
13. —种制造LED组合件的方法，所述方法包括a)将透明透镜材料分配到含有LED 阵列的衬底上；以及b)将所述透明透镜材料模制成所需的透镜图案，以匹配所述 LED阵列的图案。
14. 根据权利要求13所述的方法，且进一步包括使所述透明透镜材料固化的步骤，所 述步骤选自由UV固化步骤和热固化步骤组成的群组。
15. 根据权利要求13或权利要求14所述的方法，且进一步包括移除所述透明透镜材料 的选定区，以提供对所述LED阵列的电极的电接入。
16. 根据权利要求15所述的方法，且包括通过选自由以下各项组成的群组的工艺来移 除所述透明透镜材料的所述选定区蚀刻、氧等离子体蚀刻和湿式蚀刻。
17. 根据权利要求13到16中任一所述的方法，且进一步包括在所述将所述透明透镜材 料分配在所述LED阵列衬底上之前，将磷光体层沉积在所述LED阵列衬底的大体 上整个表面上。
18. 根据权利要求17所述的方法，且进一步包括在沉积所述磷光体之前，提供上覆于 所述LED阵列的电极区上的脱模剂。
19. 根据权利要求18所述的方法，且进-步包括处理所述脱模剂，以及使用起离工艺 来移除所述磷光体层和透明透镜材料的选定区，以提供对所述LED阵列的电极区 的电接入。
20. 根据权利要求13到16中任一所述的方法，且进一步包括将所述经模制的透镜材料 和LED阵列嵌入含有磷光体的透明基质中。
全文摘要
一种LED组合件，包含LED阵列和邻近所述LED的发光表面而安置的透镜。所述透镜的投影到所述LED的所述发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于所述LED的发光表面的面积。至少一个透镜与每一LED相关联，且每一透镜的投影到其相关联LED的所述发光表面上的横截面的面积大体上等于或小于其表面积。可包含磷光体以吸收从所述LED发射的光的至少一部分，以发射第二波长的光，所述第二波长的光可与来自所述LED的所述光组合。可使用光刻来在用于产生所述LED的同一工艺流程中制造透镜阵列。
文档编号H05B33/00GK101653039SQ200780049456
公开日2010年2月17日 申请日期2007年5月8日 优先权日2006年11月9日
发明者伟 单, 李依群, 翊 董 申请人:英特曼帝克司公司