专利名称：一种vgf法砷化镓单晶用脱舟器的制作方法
技术领域：
本实用新型属半导体材料制备设备领域，特别涉及一种VGF法 砷化镓单晶用脱舟器。
背景技术：
在VGF法砷化镓单晶生长过程中，常使用热解氮化硼坩埚(PBN 柑埚)做生长容器，氧化硼作液封剂，以避免砷化镓单晶分解。通常， 氧化硼在氮化硼坩埚和砷化镓晶体(GaAs晶体)之间形成一层厚度 几微米 几十微米的薄膜，如图l所示。 一般采用甲醇、乙醇等化学 溶剂，通过浸泡的方法，慢慢溶解氧化硼薄膜。由于氧化硼薄膜处于 坩埚壁和晶体之间，厚度很小，溶解只能依靠扩散机制进行，速度慢， 所需时间很长， 一般为7 10天，才能将氧化硼薄膜完全溶解，使PBN 坩埚，GaAs晶体分离，俗称"脱舟"。
如图2所示，采用喷射甲醇等化学溶剂的方法，利用流动的化学 试剂不断冲击氧化硼薄层，可加速氧化硼的溶解，从而縮短脱舟时间。
实用新型内容
本实用新型的目的为了解决背景技术中利用流动的化学试剂不 断冲击氧化硼薄层，加速氧化硼的溶解，提供一种VGF法砷化镓单 晶用脱舟器，其特征在于，所述VGF法砷化镓单晶用脱舟器的主体 为长方形箱体，脱舟器箱体5的一个端面上焊接一排3~5个喷射管8,喷射管8呈半圆状排列，其半圆弧向下，喷射管8穿过脱舟器箱体壁， 喷射管8在脱舟器箱体外的一端焊接在半圆弧形的进液管6上，进液 管6的一端封闭，另一端为进液口 10，和磁力泵的液体出口连接， 喷射管8在脱舟器箱体内的另一端为喷射口 9，喷射口 9在脱舟器箱 体内排列成半圆，喷射管8在脱舟器箱体5内的长度为0.8~1.2厘米， 出液管7焊接在脱舟器箱体壁的底部。
所述喷射口 9在脱舟器箱体内排列成半圆，此半圆的直径比要脱 舟的PBN坩埚1的内径小1~3毫米。
本实用新型的有益效果为，采用喷射甲醇等化学溶剂的方法，利 用流动的化学试剂不断冲击氧化硼薄层，加速氧化硼的溶解，从而縮 短脱舟时间。和浸泡方式相比，由于冲刷过程的存在，脱舟速度明显 提高，化学溶剂也很少浪费，使用效果良好。
图1为PBN坩埚，GaAs晶体和氧化硼薄膜位置示意图； 图2为本实用新型设计原理示意图； 图3为本实用新的主体结构俯视示意图； 图4为本实用新型的主体结构示意图。
图中，1为PBN坩埚，2为氧化硼薄膜，3为GaAs晶体，4为 喷射的化学溶剂液流，5为脱舟器箱体，6为进液管，7为出液管，8 为喷射管，9为喷射口， IO为进液口， ll为出液口。
具体实施方式
如图3和图4所示，VGF法砷化镓单晶用脱舟器的主体为长方 形箱体，脱舟器箱体5的一个端面上焊接一排3~5个喷射管8，喷射 管8呈半圆状排列，其半圆弧向下，喷射管8穿过脱舟器箱体壁，喷 射管8在脱舟器箱体外的一端焊接在以半圆弧形的进液管6上，进液 管6的一端封闭，另一端为进液口 10，和磁力泵的液体出口连接， 喷射管8在脱舟器箱体内的另一端为喷射口 9，喷射口 9在脱舟器箱 体内排列成半圆，喷射管8在脱舟器箱体5内的长度为0.8-1.2厘米， 出液管7焊接在脱舟器箱体壁的底部。
喷射口呈半圆状排列，喷射口的最外缘轮廓线亦半圆状，该半圆 的直径略小于埘埚内径1 3毫米。
要脱舟的PBN坩埚1水平放置于专用的坩埚托上，放于脱舟器 箱体5内，并使喷射口 9可以进入坩埚口内1厘米左右，且坩埚口 内壁和喷射口 9外缘间隔在0.5 lmm，化学溶剂(如甲醇)在磁力泵 的推动下，从进液口 10依次进入进液管6和喷射管8，从喷射口 9 喷出，从坩埚口的上半部分进入PBN坩埚1，喷射的化学溶剂液流4 顺着坩埚壁冲击氧化硼薄膜2，然后沿两侧的坩埚壁流出，完成氧化 硼薄膜2的溶解、冲刷过程，使GaAs晶体3和PBN坩埚1脱离， 化学溶剂从出液管7的出液口 11流回磁力泵。由于喷射的化学溶剂 冲刷氧化硼薄膜，脱舟速度明显提高，还减少化学溶剂的消耗，脱舟 效果好。
本实用新型用于VGF法砷化镓单晶生长工艺。
权利要求1.一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器，其特征在于，所述VGF法砷化镓单晶用脱舟器的主体为长方形箱体，脱舟器箱体(5)的一个端面上焊接一排3～5个喷射管(8)，喷射管(8)呈半圆状排列，其半圆弧向下，喷射管(8)穿过脱舟器箱体壁，喷射管(8)在脱舟器箱体外的一端焊接在以半圆弧形的进液管(6)上，进液管(6)的一端封闭，另一端为进液口(10)和磁力泵的液体出口连接，喷射管(8)在脱舟器箱体内的另一端为喷射口(9)，喷射口(9)在脱舟器箱体内排列成半圆，喷射管(8)在脱舟器箱体(5)内的长度为0.8～1.2厘米，出液管(7)焊接在脱舟器箱体壁的底部。
2. 根据权利要求1所述的一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器，其 特征在于，所述喷射口 (9)在脱舟器箱体内排列成半圆，此半圆的 直径比要脱舟的PBN坩埚(1)的内径小1 3毫米。
专利摘要本实用新型公布一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器，属半导体材料制备设备领域。脱舟器主体为长方形箱体，箱体的一个端面上焊接一排呈半圆状排列的喷射管，喷射管在脱舟器箱体内有喷射口。化学溶剂在磁力泵的推动下，从进液口依次进入进液管和喷射管，从喷射口喷出，从坩埚口的上半部分进入要脱舟的PBN坩埚，喷射的化学溶剂液流顺着坩埚壁冲击氧化硼薄膜，然后沿两侧的坩埚壁流出，加速氧化硼的溶解，从而缩短脱舟时间。本实用新型用于VGF法砷化镓单晶生长工艺。
文档编号C30B29/10GK201317832SQ20082012399
公开日2009年9月30日 申请日期2008年12月4日 优先权日2008年12月4日
发明者丁国强, 屠海令, 张峰燚, 海 杨, 苏小平, 黎建明 申请人:北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司