专利名称：单晶炉防烧毁石墨件装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种石墨件装置，尤其是一种单晶炉防烧毁石墨件装置。
背景技术：
目前，在单晶硅直拉炉的运行过程中，由于硅原料，石英坩埚，石墨坩埚 等部件有时会出现异常，比如在单晶硅的制造过程中，硅由于被加热至熔点以 上的温度在石英坩埚中呈现液态，而石英坩埚被加热后其硬度会降低变得很柔 软，当石英坩埚由于某些原因破裂后，液态的硅就会从石英坩埚和石墨坩埚中 流出。而现有技术的石墨件装置都是如图1所示的结构，石墨托杆的上半部分 为用于托住坩埚的石墨托，石墨托下没有专门用来盛装漏出硅液的装置，石墨 托的下边缘为圆弧形设计，当硅液漏出往下流时，这种结构又不具备导流功能， 导致融化的硅液从石英坩埚流出，流进石墨热场中，烧毁不锈钢材质的炉体， 甚至导致安全事故的发生，造成较大的损失。 发明内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种可使漏出的硅液 得到有效控制，不会烧毁不锈钢材质的炉体，增强生产安全性，避免经济损失 的单晶炉防烧毁石墨件装置。
为了达到上述目的，本实用新型所设计的一种单晶炉防烧毁石墨件装置， 它包括置于坩埚下的石墨托杆，石墨托杆包含托住柑埚的石墨托和石墨托下的 杆体，在石墨托下设有漏液容纳装置。所述的漏液容纳装置可由内防漏环和外 防漏环组成，内防漏环和外防漏环用石墨材料制成，漏液容纳装置环设在杆体 的周边。漏液容纳装置的底部可以直接利用炉底压板，也就是内防漏环和外防 漏环直接设在石墨的炉底压板上。
漏液容纳装置用来盛装漏出的硅液，使硅液能被良好地控制起来，不致于 烧毁不锈钢材质的炉体、导致安全事故的发生。为了使从石墨托上滴落的硅液 能落在内防漏环和外防漏环之间。在石墨托下设有导流边缘。漏出的硅液可顺 着导流边缘滴落，使硅液得到有效的控制。所述的导流边缘可以为倒三角形结构，漏出的硅液会顺着三角形的导流边缘滴落到内防漏环和外防漏环之间，导 流边缘还可以是有导流功能的钩状结构。
本实用新型所得到的单晶炉防烧毁石墨件装置，结构简单，效果明显。在 单晶硅直拉炉的运行过程中， 一旦遇到硅原料、石英坩埚、石墨坩埚等部件出 现异常，导致硅液从坩埚内流出的情况，本装置即可将漏出的硅液导流至固定 的区间内，如内防漏环和外防漏环之间，使硅液得到有效的控制，不致于烧毁 不锈钢材质的炉体，大大增强了生产安全性，为企业避免了损失。
图1是现有单晶炉石墨件装置的结构示意图2是本实用新型实施例1的结构示意图3是本实用新型实施例2石墨托杆的结构示意图。
图中石墨托杆l、石墨托2、导流边缘3、内防漏环4、外防漏环5、坩 埚6、杆体7、漏液容纳装置8、炉底压板9。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。 实施例1:
如图2所示，本实施例所描述的单晶炉防烧毁石墨件装置，它包括置于坩
埚6下的石墨托杆1，石墨托杆1包含托住坩埚6的石墨托2和石墨托2下的 杆体7，在石墨托2下设有漏液容纳装置8。所述的漏液容纳装置8由内防漏环 4和外防漏环5组成，内防漏环4和外防漏环5用石墨材料制成，漏液容纳装 置8环设在杆体7的周边，漏液容纳装置8的底部直接利用炉底压板9，也就 是内防漏环4和外防漏环5直接设在石墨的炉底压板9上。
为了使从石墨托2上滴落的硅液能落在内防漏环4和外防漏环5之间，在 石墨托2下设有导流边缘3，所述的导流边缘3是倒三角形结构，漏出的硅液 可顺着导流边缘3滴落，使硅液得到有效的控制。 实施例2:
如图3所示，本实施例所描述的单晶炉防烧毁石墨件装置，是将实施例1 中的石墨托2下所述的导流边缘3制成有导流功能的钩状结构。
权利要求1、一种单晶炉防烧毁石墨件装置，它包括置于坩埚(6)下的石墨托杆(1)，石墨托杆(1)包含托住坩埚(6)的石墨托(2)和石墨托(2)下的杆体(7)，其特征是在石墨托(2)下设有漏液容纳装置(8)。
2、 根据权利要求1所述的单晶炉防烧毁石墨件装置，其特征是所述的漏液容 纳装置(8)由内防漏环(4)和外防漏环(5)组成，漏液容纳装置(8) 环设在杆体(7)的周边。
3、 根据权利要求1或2所述的单晶炉防烧毁石墨件装置，其特征是在石墨托(2)下设有导流边缘(3)。
4、 根据权得要求3所述的单晶炉防烧毁石墨件装置，其特征是所述的导流边 缘(3)为倒三角形结构或钩状结构。
专利摘要本实用新型所设计的单晶炉防烧毁石墨件装置，它包括置于坩埚下的石墨托杆，石墨托杆包含托住坩埚的石墨托和石墨托下的杆体，在石墨托下设有漏液容纳装置。所述的漏液容纳装置由内防漏环和外防漏环组成，内防漏环和外防漏环用石墨材料制成，漏液容纳装置环设在杆体的周边。在石墨托下设有导流边缘。本装置即可将漏出的硅液导流至固定的区间内，如内防漏环和外防漏环之间，使硅液得到有效的控制，不致于烧毁不锈钢材质的炉体，大大增强了生产安全性，为企业避免了损失。
文档编号C30B15/00GK201351184SQ200820170858
公开日2009年11月25日 申请日期2008年12月29日 优先权日2008年12月29日
发明者苗 苗 申请人:嘉兴嘉晶电子有限公司