线路板及其制备工艺的制作方法

文档序号:8199166阅读:142来源:国知局
专利名称:线路板及其制备工艺的制作方法
技术领域
本发明是有关于一种线路板(circuit board)及其制备工艺,且特别是有关于一 种在同一线路层中具有内埋式线路与非内埋式线路的线路板及其制备工艺。
背景技术
现今的线路板技术已从一般常见的非内埋式线路板发展为内埋式线路板 (embedded circuit board)。详细而言,一般常见的非内埋式线路板的特征在于其线路是 突出于介电层的表面上,而内埋式线路板的特征在于其线路是内埋于介电层中。目前,线路 板的线路结构通常都是通过微影与蚀刻制备工艺或激光烧蚀方式分别所形成。有关上述形 成线路板的线路结构的方法,请参考图IA至图1E、图2A至图2C以及以下的说明。图IA至图IE为公知一线路板的线路结构制备工艺的剖面示意图。请先参考图1A, 依照公知线路板的线路结构制备工艺,首先,提供一介电层12,其中介电层12具有一表面 12a。接着,请参考图1B,于介电层12的表面12a上形成一金属层14。接着,请参考图1C, 形成一图案化罩幕16于金属层14上。接着,请同时参考图IC与图1D,以图案化罩幕16为 蚀刻罩幕,蚀刻部份暴露于图案化罩幕16的外的金属层14,而形成一一般线路图案14a与 一微细线路图案14b。之后,移除图案化罩幕16,以暴露出一般线路图案14a与微细线图案 14b。至此,线路板的线路结构10已大致完成。由于公知线路板的线路结构10是利用微影与蚀刻制备工艺,以同时于一线路层 中形成一般线路图案14a与微细线图案14b,其中微细线路图案14b的线路14b’的线宽小 于一般线路图案14a的线路14a’的线宽。然而,微细线路图案14b的线路14b’受限于蚀 刻的制备工艺能力,造成公知蚀刻制备工艺无法稳定地控制蚀刻变异性(蚀刻液对金属层 14与介电层12表面残铜的蚀刻程度),因此公知技术制作出的微细线路图案14b的线路 14b’的线宽制备工艺公差较大,也就是说,蚀刻制备工艺无法精确地控制微细线路图案14b 的线路14b’的线宽。换言之,公知线路板的线路结构10利用微影与蚀刻制备工艺,无法在 同一介电层12的表面12a上制作出一般线路图案14a与较精确的微细线路图案14b。图2A至图2C为公知一内埋式线路板的线路结构的制备工艺的剖面示意图。请先 参考图2A,依照公知内埋式线路板的线路结构的制备工艺,首先,提供一介电层22,其中介 电层22具有一表面22a。接着,请参考图2B,于介电层22的表面22a照射一激光束L,以形 成一第一凹刻图案22b与一第二凹刻图案22c。之后,请参考图2C,形成一般线路图案24a 于第一凹刻图案22b内以及形成一微细线路图案24b于第二凹刻图案22c内。至此,内埋 式线路板的线路结构20已大致完成。公知线路板的线路结构20是利用激光绕走烧蚀的方式,以同时于一线路层形成 一般线路图案24a与微细线图案24b,其中一般线路图案24a的线路24a’的线宽大于微细 线路图案24b的线路24b’的线宽,也就是说,第一凹刻图案22b需由激光束L绕走烧蚀较 大面积的介电层22来形成一般线路图案24a的线路24a’所需的线宽。然而,激光绕走烧 蚀较大面积时,需耗费较多的激光能量与较多的时间,另连续激光绕走烧蚀下,激光输出能量的稳度控制或激光束的景深控制,皆有可能容易造成第一凹刻图案22b的底面有平整度 不均的风险。换言之,激光绕走烧蚀的方式不适于制作内埋式线路板的线路结构20的大面 积一般线路图案24a,除了需消耗较多得时间外,也有线路质量不稳定的风险
发明内容

本发明的目歪在于提供一种线路板及其制备工艺,尤其是一种在同一线路层中具 有内埋式线路与非内埋式线路的线路板及其制备工艺。为实现上述目的,本发明提供线路板的制备工艺,首先,提供一第一介电层。第一 介电层具有一第一表面与至少一第一线路。接着,形成一第二介电层于第一介电层上。第 二介电层具有一第二表面,且第二介电层覆盖第一表面与第一线路。接着,对第二介电层的 第二表面照射一第一激光束,以形成至少一从第二介电层的第二表面延伸至第一线路的盲 孔。接着,对第二介电层的第二表面照射一第二激光束,以形成一第二凹刻图案,其中第二 凹刻图案与盲孔相连接。之后,形成一图案化线路层于第二介电层。图案化线路层包括位 于部份第二表面上的至少一第二线路、位于第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于盲 孔中的一连接线路,其中第二线路或第三线路藉由连接线路电性连接至第一线路,且第三 线路的线宽小于第二线路的线宽。在本发明的一实施例中,上述第一介电层还具有一位于第一表面的第一凹刻图 案,且第一线路位于第一凹刻图案内。在本发明的一实施例中,上述第一线路位于该第一介电层的该第一表面上。
在本发明的一实施例中,上述第二介电层的材质包括一高分子聚合物。在本发明的一实施例中,上述高分子聚合物是为选自于由环氧树脂、改质的 环氧树脂、聚酯(Polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(Fluoro-polymer)、聚亚苯基氧 化物(Polyphenylene Oxide)、聚酰亚胺(Polyimide)、酚酸树脂(Phenolicresin)、 聚砜(Polysulfone)、硅素聚合物(Silicone polymer)、BT 树脂(Bismaleimide TriazineModified Epoxy(BT Resin))、氰酸聚酯(Cyanate Ester)、聚乙烯 (Polyethylene)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate, PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合 物(aery Ioni trile-butadiene-styrene copolymer, ABScopolymer)、聚对苯 ^ 甲酸乙 二酯(polyethylene terephthalate, PET)树脂、聚对苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate, PBT)树脂、液晶高分子(liquid crystal polymers, LCP)、聚酰胺 6(polyamide 6,PA6)、尼龙(Nylon)、共聚聚甲酸(polyoxymethylene, POM)、聚苯硫醚 (polyphenylene sulfide, PPS)及环状烯烃共聚高分子(cyclic olefincopolymer, C0C) 所组成的群组。在本发明的一实施例中,上述第二介电层包括多颗催化剂颗粒。在本发明的一实施例中,上述这些催化剂颗粒包括多个纳米金属颗粒。在本发明的一实施例中,上述这些催化剂颗粒的材质包括金属配位化合物。在本发明的一实施例中,上述这些金属配位化合物的材质包括金属氧化物、金属 氮化物、金属错合物或金属螯合物。在本发明的一实施例中,上述这些金属配位化合物的材质为选自于由锌(Zn, Zinc)、铜(Cu,Copper)、银(Ag,Silver)、金(Au,Gold)、镍(Ni,Nickel)、钯(Pd,Palladium)、钼(Pt, Platinum)、铝(Al, Aluminum)、钴(Co, Cobalt)、铑(Rh, Rhodium)、铱 (Ir, Iridium)、铁(Fe, Iron)、猛(Mn,Manganese)、络(Cr, Chromium)、销(Mo,molybdenum)、 钨(W,Wolfram),钒(V,Vanadium)、钽(Ta,Tantalum)、铟(In,Indium)以及钛(Ti, Titanium)所组成的群组。在本发明的一实施例中,上述图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。在本发明的一实施例中,上述对第二介电层的第二表面照射第一激光束之前,包 括形成一可拨离高分子层于第二介电层的第二表面上。
在本发明的一实施例中,上述可拨离高分子层的材质包括聚乙烯对苯二甲酸酯。在本发明的一实施例中,上述形成图案化线路层于第二介电层上的步骤,包括以 无电电镀法于盲孔、第二凹刻图案内以及第二介电层的第二表面上分别形成连接线路、第 三线路以及第二线路。移除可拨离高分子层。在本发明的另一实施例中,上述形成图案化线路层于第二介电层上的步骤,包括 以涂布的方式将一导电材料填满盲孔以及第二凹刻图案内,以形成连接线路与第三线路, 其中导电材料与第二介电层的第二表面实质上切齐。移除可拨离高分子层。以网版印刷的 方式于第二介电层的第二表面上印刷导电材料,以形成第二线路。在本发明的一实施例中,上述导电材料为导电膏。在本发明的一实施例中,上述导电膏包括铜膏、银膏、碳膏、纳米银或导电高分子 材料。在本发明的一实施例中,上述第一激光束为二氧化碳激光光源。在本发明的一实施例中,上述第二激光束为紫外光激光光源。本发明提供的线路板,其包括一第一介电层、一第二介电层以及一图案化线路层。 第一介电层具有一第一表面与至少一第一线路。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖第 一表面与第一线路。第二介电层具有一第二表面、至少一从第二表面延伸至第一线路的盲 孔以及一第二凹刻图案,其中第二凹刻图案与盲孔相连接。图案化线路层具有至少一第二 线路、至少一第三线路以及一连接线路。第二线路配置于第二介电层的部份第二表面上。第 三线路配置于第二凹刻图案内。连接线路配置于盲孔中。第二线路或第三线路由连接线路 电性连接至第一线路,且第三线路的线宽小于第二线路的线宽。在本发明的一实施例中,上述第一介电层还具有一配置于第一表面的第一凹刻图 案,且第一线路配置于第一凹刻图案内。在本发明的一实施例中,上述第一线路配置于第一介电层的第一表面上。在本发明的一实施例中,上述第二介电层的材质包括一高分子聚合物。在本发明的一实施例中,上述高分子聚合物是为选自于由环氧树脂、改质的环氧 树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合 物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯_ 丁二烯_苯乙烯共聚合物、聚对苯二 甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龙、共聚聚甲醛、聚苯 硫醚及环状烯烃共聚高分子所组成的群组。在本发明的一实施例中,上述第二介电层包括多颗催化剂颗粒。在本发明的一实施例中,上述这些催化剂颗粒包括多个纳米金属颗粒。在本发明的一实施例中,上述这些催化剂颗粒的材质包括金属配位化合物。
在本发明的一实施例中,上述这些金属配位化合物的材质包括金属氧化物、金属氮化物、金属错合物或金属螯合物。在本发明的一实施例中,上述这些金属配位化合物的材质为选自于由锌、铜、银、 金、镍、钯、钼、铝、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、铟以及钛所组成的群组。在本发明的一实施例中,上述在第二介电层的第二表面上形成第二凹刻图案的同时,还包括活化部分的这些催化剂颗粒,以形成一活化层。在本发明的一实施例中,上述图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。在本发明的一实施例中,上述图案化线路层的材料为导电膏。在本发明的一实施例中,上述导电膏包括铜膏、银膏、碳膏、纳米银或导电高分子 材料。基于上述,本发明先采用激光烧蚀技术于第二介电层上形成第二凹刻图案,接着, 采用涂布导电材料的方式来形成连接线路与第三线路(例如是微细线路),之后,再利用网 版印刷导电材料来制作突出于第二介电层的第二线路(例如是一般线路),以分别形成微 细线路与一般线路。


图IA至图IE为公知线路板的线路结构制备工艺的剖面示意图。图2A至图2C为公知内埋式线路板的线路结构的制备工艺的剖面示意图。图3为本发明一实施例的一种线路板的剖面示意图。图4A至图4G是图3的线路板的制备工艺的剖面示意图。附图中主要组件符号说明10线路板的线路结构;12、22介电层;12a、22a表面;14金属层;14a、24a —般线路 图案;14a,、14b,、24a,、24b,线路;14b、24b微细线路图案;16图案化罩幕;20内埋式线路 板的线路结构;22b第一凹刻图案;22c第二凹刻图案;200线路板;210第一介电层;212第 一表面;214第一凹刻图案;216第一线路;220第二介电层;222第二表面;224第二凹刻图 案;226盲孔;230图案化线路层;232第二线路;234第三线路;236连接线路;240可拨离高 分子层;L激光束;Li’第一激光束;L2’第二激光束。
具体实施例方式为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配 合附图作详细说明如下。图3为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。请参考图3,在本实施例 中,线路板200包括一第一介电层210、一第二介电层220以及一图案化线路层230。值 得一提的是,线路板200的结构可以仅具有单一线路层,或是具有多层线路层。也就是 说,线路板200可以是单层线路板(single layer circuit board)、双层线路板(double layercircuit board)或多层线路板(multi-layer circuit board)。在本实施 列中,图 3 仅以线路板200为一双层线路板进行说明。详细而言,第一介电层210具有一第一表面212、一第一凹刻图案214与至少一第 一线路216 (图3中仅示意地绘示两个)。这些第一线路216配置于第一介电层210的第一凹刻图案214内,且这些第一线路216与第一介电层210的第一表面212实质上切齐,换言 之,这些第一线路216基本上可算是一种内埋式线路。在此必须说明的是,在图3所示的实施例中,第一介电层210虽然具有第一凹刻图 案214,且这些第一线路216配置于第一介电层210的第一凹刻图案214内,但在其它未绘 示的实施例中,第一介电层210亦可不具有第一凹刻图案214,也就是说,这些第一线路216 是直接位于第一介电层210的第一表面212。换言之,这些第一线路216可算是一种一般线 路(即非内埋式线路)。因此,图3所示的第一介电层210的结构仅为举例说明,并非限定 本发明。第二介电层220配置于第一介电层210上,且覆盖第一介电层210的第一表面212 与这些第一线路216。第二介电层220具有一第二表面222、一第二凹刻图案224以及至少 一从第二表面222延伸至这些第一线路216的盲孔226(图3中仅示意地绘示一个),其中 第二凹刻图案224与盲孔226相连接。图案化线路层230具有至少一第二线路232 (图3中仅示意地绘示两个)、至少一 第三线路234(图3中仅示意地绘示三个)以及一连接线路236,其中图案化线路层230的 材料为导电膏,而导电膏包括铜膏、银膏、碳膏、纳米银或导电高分子材料。详细而言,这些 第二线路232配置于第二介电层220的部份第二表面222上,也就是说,这些第二线路232 突出于第二介电层220的第二表面222,此为一般常见的非内埋式线路。这些第三线路234 配置于第二介电层220的第二凹刻图案224内,且这些第三线路234与第二介电层220的 第二表面222实质上切齐,换言之,这些第三线路234基本上可算是一种内埋式线路。连接 线路236位于盲孔226中并填满盲孔226,且连接线路236与第二介电层220的第二表面 222实质上切齐,而这些第二线路232的一与这些第三线路234的一可由连接线路236电性 连接至这些第一线路216之一。当然,在其它未绘示的实施例中,连接线路236亦可以只连 接这些第二线路232之一或这些第三线路234之一,也就是说,这些第二线路232或这些第 三线路234可分别由连接线路236电性连接至这些第一线路216。特别是,在本实施例中,这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线 宽,也就是说,这些第二线路232相对于这些第三线路234而言,可视为一般线路,这些第三 线路234相对于这些第二线路232而言,可视为微细线路。举例而言,在本实施例中,这些第 三线路234的线宽例如小于50微米(μ m),而这些第三线路234的线宽小于第二线路232 的线宽,换言之,这些第二线路232的线宽为50微米(μπι)以上。简言之,本实施例的线路板200,在图案化线路层230中具有突出于第二介电层 220的第二表面222的这些第二线路232以及内埋于第二介电层220的第二凹刻图案224 内的这些第三线路234,且这些第三线路234的线宽分别小于这些第二线路232的线宽。如 此,本发明的线路板200于同一线路层中具有内埋式的微细线路与非内埋式的一般线路。 此外,这些第二线路232之一或这些第三线路234之一可分别由盲孔226中的连接线路236 电性连接至第一介电层210的这些第一线路216之一,换言的,第二介电层220的这些第二 线路232或这些第三线路234可分别通过连接线路236与第一介电层210的这些第一线路 216电性连接。当然,在其它实施例中,第二线路232或第三线路234亦可以不通过盲孔226 中的连接线路236而直接连接第一线路216。因此,图3中所示的第一线路216、第二线路 232、第三线路234及连接线路236的连接关系仅为举例说明,本发明并不以此为限。
以上仅介绍本发明的线路板200的结构,并未介绍本发明的线路板200的制备工艺。对此,以下将以图3中的线路板200的结构作为举例说明,并配合图4A至图4G对本发 明的线路板200的制备工艺进行详细的说明。图4A至图4G是图3的线路板的制备工艺的剖面示意图。请先参考图4A,依照本实施例的线路板200的制备工艺,首先,提供一第一介电层210。第一介电层210具有一第 一表面212、一第一凹刻图案214与至少一第一线路216 (图4A中仅示意地绘示两个),其 中这些第一线路216位于第一凹刻图案214内,且这些第一线路216与第一介电层210的 第一表面212实质上切齐,换言之,这些第一线路216基本上可算是一种内埋式线路。在此 必须说明的是,在其它实施例中,第一介电层210亦可不具有第一凹刻图案214,也就是说, 这些第一线路216是直接位于第一介电层210的第一表面212。换言之,这些第一线路216 可算是一种一般线路(即非内埋式线路)。因此,图4A所示的第一介电层210的结构仅为 举例说明,并非限定本发明。接着,请参考图4B,于第一介电层210上形成一第二介电层220以及于第二介电 层220上形成一可拨离高分子层240,其中第二介电层220具有一第二表面222,可拨离高 分子层240覆盖第二介电层220的第二表面222,而第二介电层220覆盖第一表面212与这 些第一线路216。在本实施例中,第二介电层220的材质包括一高分子聚合物,其中高分子 聚合物是为选自于由环氧树脂、改质的环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧 化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙 烯_ 丁二烯_苯乙烯共聚合物、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、液晶 高分子、聚酰胺6、尼龙、共聚聚甲醛、聚苯硫醚及环状烯烃共聚高分子所组成的群组。可拨 离高分子层240的材质包括聚乙烯对苯二甲酸酯。值得一提的是,于其它实施例中,第二介电层220亦可包括多颗催化剂颗粒(未绘 示),而这些催化剂颗粒可以包括多个纳米金属颗粒。这些催化剂颗粒的材质包括金属配位 化合物,其中配位化合物是指由中心离子(或原子)和几个配体分子(或离子)以配位键相 结合而形成的复杂分子或离子,通常称为配位单元,而凡是含有配位单元的化合物都称作 配位化合物,简称配合物,也叫络合物。这些金属配位化合物可以包括是金属氧化物、金属 氮化物、金属错合物或金属螯合物,其中这些金属配位化合物的材质为选自于由锌、铜、银、 金、镍、钯、钼、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽、钛、铟或这些金属的任意组合。因此,图4B 所示的第二介电层220的形态仅为举例说明,并非限定本发明。接着,请参考图4C,对覆盖于第二介电层220的第二表面222上的可拨离高分子层 240照射一第一激光束Li’,以形成至少一从可拨离高分子层240延伸至这些第一线路216 的盲孔226 (图4C中仅示意地绘示一个),其中盲孔226贯穿可拨离高分子层240与第二介 电层220,并暴露出位于第一介电层210的第一凹刻图案214内的部份第一线路216。在本 实施例中,第一激光束Li’为二氧化碳激光光源。接着,请参考图4D,对覆盖于第二介电层220的第二表面222上的可拨离高分子层 240照射一第二激光束L2’,以形成一第二凹刻图案224,其中第二凹刻图案224与盲孔226 相连接。在本实施例中,第二激光束L2,为紫外光激光光源。值得一提的是,于其它实施例 中,若第二介电层220包括多颗催化剂颗粒(未绘示),于第二介电层220的第二表面222 上形成第二凹刻图案224的同时,还包括活化部分的这些催化剂颗粒,以形成一活化层(未绘示)。 之后,形成一图案化线路层230于第二介电层220。首先,请先参考图4E,以涂布 的方式将一导电材料填满盲孔226以及第二凹刻图案224内,其中导电材料例如为导电膏, 而导电膏包括铜膏、银膏、碳膏、纳米银或导电高分子材料。接着,请参考图4F,移除可拨离 高分子层240,以形成连接线路236与这些第三线路234,其中导电材料与第二介电层220 的第二表面222实质上切齐。最后,请参考图4G,以网版印刷的方式于第二介电层220的 第二表面222上印刷导电材料,以形成这些第二线路232,这些第三线路234的线宽分别小 于这些第二线路232的线宽。换言之,图案化线路层230包括位于部份第二表面222上的 这些第二线路232、位于第二凹刻图案224内的这些第三线路234以及位于盲孔226中的 连接线路236。此外,这些第二线路232之一或这些第三线路234之一分别由连接线路236 电性连接至这些第一线路216之一。至此,线路板200已大致完成。详细而言,由于本实施例的这些第二线路232的线宽较大,其例如为50微米(μ m) 以上,所以采用网版印刷的方式于第二介电层220的第二表面222上印刷导电材料来形成, 可缩短这些第二线路232的制备工艺时间。此外,本实施例的这些第三线路234形成于第 二介电层220的第二凹刻图案224内,而第二凹刻图案224是利用第二激光束L2,烧蚀第 二介电层220所形成(请参考图4D),由于这些第三线路234的线宽较小,其例如为小于50 微米(μ m),因此第二激光束L2’烧蚀第二介电层220的时间可缩短。在此必须说明的是,在本实施例中,虽然移除可拨离高分子层240是在涂布导电 材料于盲孔226以及第二凹刻图案224内之后,但于其它实施例中,亦可以在涂布导电材料 于盲孔226以及第二凹刻图案224内的前移除可拨离高分子层240。此外,于其它未绘示的 实施例中,形成一图案化线路层的方法亦可以采用无电电镀法以电镀例如铜、银、锡、铝、镍 或金等材料于第二介电层上。详细而言,首先,以无电电镀法于盲孔、第二凹刻图案内以及 第二介电层的第二表面上分别形成连接线路、第三线路以及第二线路,之后,移除可拨离高 分子层。当然,亦可以在无电电镀法形成图案化线路层的前移除可拨离高分子层,仍属于本 发明可采用的技术方案,不脱离本发明所欲保护的范围。简言之,本实施例的线路板200是采用激光烧蚀以及网版印刷的方式来制作,线路 板200先利用第一激光束Li’与第二激光束L2’于第二表面222形成盲孔226与第二凹刻图 案214后,接着,以涂布的方式将导电材料填满于盲孔226与第二凹刻图案214内,以形成连 接线路236与这些第三线路234,之后,以网版印刷的方式于第二介电层220的第二表而222 上形成这些第二线路232。如此,本实施例即构成具有内埋于第二介电层220的这些第三线 路234与突出于第二介电层220的这些第二线路232的线路板200。换言之,本实施例是采 用不同的制备工艺技术的优势来达到形成这些第二线路232以及这些第三线路244。综上所述,由于本发明采用激光烧蚀以及网版印刷技术,以于同一线路层中分别 形成突出于第二介电层的第二表面的这些第二线路以及内埋于第二介电层的第二凹刻图 案内的这些第三线路,且这些第三线路的线宽分别小于这些第二线路的线宽。如此,本发明 的线路板即可于同一图案化线路层中具有内埋式的微细线路与非内埋式的一般线路。 虽然本发明已以实施例描述如上,然其并非用以限定本发明,本领域技术人员在 不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围应当以申 请的权利要求范围所界定的内容为准。
权利要求
一种线路板的制备工艺,包括提供一第一介电层,该第一介电层具有一第一表面与至少一第一线路;形成一第二介电层于该第一介电层上,该第二介电层具有一第二表面,且该第二介电层覆盖该第一表面与该第一线路;对该第二介电层的该第二表面照射一第一激光束,以形成至少一从该第二介电层的该第二表面延伸至该第一线路的盲孔;对该第二介电层的该第二表面照射一第二激光束,以形成一第二凹刻图案,其中该第二凹刻图案与该盲孔相连接;以及形成一图案化线路层于该第二介电层,该图案化线路层包括位于部份该第二表面上的至少一第二线路、位于该第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于该盲孔中的一连接线路,其中该第二线路或该第三线路由该连接线路电性连接至该第一线路,且该第三线路的线宽小于该第二线路的线宽。
2.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,该第一介电层具有一位于该第一表 面的第一凹刻图案,且该第一线路位于该第一凹刻图案内。
3.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,该第一线路位于该第一介电层的该 第一表面上。
4.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,该第二介电层的材质包括一高分子 聚合物。
5.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,该第二介电层包括多颗催化剂颗粒。
6.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中该图案化线路层的材质包括铜、银、 锡、铝、镍或金。
7.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,对该第二介电层的该第二表面照射 该第一激光束之前,包括形成一可拨离高分子层于该第二介电层的该第二表面上。
8.如权利要求7所述的线路板的制备工艺,其中,形成该图案化线路层于该第二介电 层上的步骤,包括以无电电镀法于该盲孔、该第二凹刻图案内以及该第二介电层的该第二表面上分别形 成该连接线路、该第三线路以及该第二线路;以及 移除该可拨离高分子层。
9.如权利要求7所述的线路板的制备工艺,其中,形成该图案化线路层于该第二介电 层上的步骤,包括以涂布方式将一导电材料填满该盲孔以及该第二凹刻图案内,以形成该连接线路与该 第三线路,其中该导电材料与该第二介电层的该第二表面实质上切齐; 移除该可拨离高分子层;以及以网版印刷的方式于该第二介电层的该第二表面上印刷该导电材料,以形成该第二线路。
10.如权利要求9所述的线路板的制备工艺,其中,该导电材料为导电膏。
11.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,该第一激光束为二氧化碳激光光源。
12.如权利要求1所述的线路板的制备工艺,其中,该第二激光束为紫外光激光光源。
13.一利线路板,包括一第一介电层,具有一第一表面与至少一第一线路;一第二介电层,配置于该第一介电层上且覆盖该第一表面与该第一线路,该第二介电 层具有一第二表面、至少一从该第二表面延伸至该第一线路的盲孔以及一第二凹刻图案, 其中该第二凹刻图案与该盲孔相连接;以及一图案化线路层,具有至少一第二线路、至少一第三线路以及一连接线路,该第二线路 配置于该第二介电层的部份该第二表面上,该第三线路配置于该第二凹刻图案内,该连接 线路配置于该盲孔中,其中该第二线路或该第三线路藉由该连接线路电性连接至该第一线 路,且该第三线路的线宽小于该第二线路的线宽。
14.如权利要求13所述的线路板,其中,该第一介电层具有一配置于该第一表面的第 一凹刻图案,且该第一线路配置于该第一凹刻图案内。
15.如权利要求13所述的线路板,其中,该第一线路配置于该第一介电层的该第一表 面上。
16.如权利要求13所述的线路板,其中,该第二介电层的材质包括一高分子聚合物。
17.如权利要求13所述的线路板,其中,该第二介电层包括多颗催化剂颗粒。
18.如权利要求13所述的线路板,其中,该图案化线路层的材质包括铜、银、锡、铝、镍或金。
19.如权利要求13所述的线路板,其中,该图案化线路层的材料为导电膏。
全文摘要
一种线路板的制备工艺,首先,提供一具有一第一表面与至少一第一线路的第一介电层。接着,形成一具有一第二表面的第二介电层于第一介电层上。对第二表面照射一第一激光束,以形成至少一从第二表面延伸至第一线路的盲孔。对第二表面照射一第二激光束,以形成一第二凹刻图案。之后,形成一图案化线路层于第二介电层。图案化线路层包括位于部份第二表面上的至少一第二线路、位于第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于盲孔中的一连接线路。第二线路或第三线路由连接线路电性连接至第一线路。第三线路的线宽小于第二线路的线宽。
文档编号H05K3/46GK101808475SQ20091000436
公开日2010年8月18日 申请日期2009年2月12日 优先权日2009年2月12日
发明者余丞博, 张启民 申请人:欣兴电子股份有限公司
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