专利名称：石墨单晶片的割炬式制备装置和制备方法
技术领域：
本发明是关于一种石墨单晶片的制备装置和制备方法，属于微/纳米材料制备领域。
背景技术：
近年来，微/纳米材料的用途十分广泛，其中石墨单晶片的制备具有十分重要的 意义。目前已有人用粘胶带去粘块状石墨的方法，从块状石墨上粘下石墨单晶片。但工效 相当低，难以形成产业化生产。其次，石墨单晶片上会粘有一些粘胶带的物质，影响了石墨 单晶片的纯度。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的是提供一种石墨单晶片的高效制备装置 和制备方法。 本发明制备装置是这样实现的它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉 口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口 ；制 备炉壁上设置观察窗。
本发明制备方法是这样实现的用割炬的火焰将石墨加热到100(TC以上，待石墨
分子间的范德华力完全消失后，用高压氧气喷击石墨，从而产生一些石墨单晶片；飘扬起来
的石墨单晶片和尚未成为单晶片的石墨晶片，随热空气上升，流过制备炉的导流道，逸出制
备炉口后，被设置在制备炉口的风扇吹向远处由于物质的自重因素，石墨单晶片将被吹得
最远，在石墨晶片下落的最远处，可以收集到石墨单晶片。
本发明的有益效果是生产石墨单晶片的工效高，产品质地纯净。
下面结合图对本发明进一步说明。
附图是本发明的示意图。 图中1为制备炉，2为割炬，3为进风口 ， 4为割具火焰，5为石墨，6为导流道，7为 风扇，8为制备炉炉口 ， 21为氧气开关，22为乙炔开关，23为高压氧气开关，24为观察窗，25 为割矩喷火端，26为割矩控制端。
具体实施例方式
石墨晶体中层与层之间相隔340pm，距离较大，是以范德华力结合起来的，即层与 层之间属于分子晶体。当石墨被加温到IOO(TC以上，晶体中层与层之间的范德华力会逐渐 消失，在外力的作用下， 一些单晶片会被剥离出来，从而可采用以下方法获得石墨单晶片
按图所示，将石墨5放入制备炉1中，图中的割矩2是机械工业中可用来切割钢板 的器具，割炬的火焰4温度可达2Q0(TC以上(调节割炬的乙炔开关22和氧气开关21，以及火焰与石墨的距离，就可得到合适的温度)。对石墨5用割炬2的火焰喷射，当石墨5的外 层温度达到100(TC以上，该高温的石墨晶体中层与层之间的范德华力就会逐渐消失。割炬 火焰中心可喷射高压氧气，这时打开高压氧气开关23，用高压氧气作为外力冲击石墨(水 平摆动割矩，可更有效地冲击石墨)，使得已失去分子间范德华力的石墨单晶片和尚未成为 单晶片的石墨晶片飘扬起来(从观察窗24可看到是否有石墨粉状物飘扬上来，如果未出现 粉状物，可继续对石墨5加热)。由于热空气上升(新鲜空气从进风口 3补充进来)，已失 去范德华力的石墨晶片，随着热空气的上升，经过制备炉的导流道6，逸出制备炉口 8。这时 被位于制备炉口的风扇7吹向剪头所示方向。由于物质的自重因素，石墨单晶片将被吹得 最远，从而在石墨晶片下落的最远处，可以收集到石墨单晶片。
权利要求
一种石墨单晶片的割炬式制备装置，其特征在于它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口；制备炉壁上设置观察窗。
2. —种石墨单晶片的割炬式制备方法，其特征在于用割炬的火焰将石墨加热到 IOO(TC以上，待石墨分子间的范德华力完全消失后，用高压氧气喷击石墨，从而产生一些石 墨单晶片；飘扬起来的石墨单晶片和尚未成为单晶片的石墨晶片，随热空气上升，流过制备 炉的导流道，逸出制备炉口后，被设置在制备炉口的风扇吹向远处；由于物质的自重因素， 石墨单晶片将被吹得最远，在石墨晶片下落的最远处，可以收集到石墨单晶片。
全文摘要
本发明是关于一种石墨单晶片的割炬式制备装置和制备方法，其特别之处在于它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口；制备炉壁上设置观察窗。用割炬的火焰将石墨加热到1000℃以上，待石墨分子间的范德华力完全消失后，用高压氧气喷击石墨，从而产生一些石墨单晶片；飘扬起来的石墨单晶片和尚未成为单晶片的石墨晶片，随热空气上升，流过制备炉的导流道，逸出制备炉口后，被设置在制备炉口的风扇吹向远处；由于物质的自重因素，石墨单晶片将被吹得最远，在石墨晶片下落的最远处，可以收集到石墨单晶片。本发明生产石墨单晶片的工效较高，产品质地纯净。
文档编号C30B29/02GK101724897SQ20091015378
公开日2010年6月9日 申请日期2009年11月9日 优先权日2009年11月9日
发明者冯静 申请人:冯静