带电路的悬挂基板、其制造方法及定位方法

专利名称：带电路的悬挂基板、其制造方法及定位方法
技术领域：
本发明涉及带电路的悬挂基板、其制造方法及带电路的悬挂基板的定位方 法，更详细而言，涉及适合使用于硬盘驱动器的带电路的悬挂基板、其制造方 法及带电路的悬挂基板的定位方法。
背景技术：
以往，在硬盘驱动器中，装载滑块的带电路的悬挂基板设置于承载梁上。 另外，安装在滑块上的磁头与磁盘一面隔开微小的间隔， 一面相对地运动。而 且，为了确保磁头的稳定运动，需要将承载梁、设置于其上的带电路的悬挂基 板、以及装载在带电路的悬挂基板上的滑块的相互之间准确地定位。
例如，提出了一种悬架，该悬架包括沿长度方向延伸的弯板(flexure); 以及形成于其上、具有导电层及焊盘(电极)的布线部，通过向形成于弯板的 第一及第二定位孔分别插入第一及第二定位销，将弯板相对承载梁进行定位 (例如参照日本专利特开2008 — 52779号公报)。

发明内容
但是，在日本专利特开2008 — 52779号公报的悬架中，上述的定位孔与焊 盘的配置无关，形成于弯板上。因此，与焊盘连接的磁头、和承载梁的相对配 置有关的位置精度，包含在弯板上形成定位孔时的公差、以及在弯板上形成焊 盘时的公差这两个公差。其结果是，在高精度地定位磁头与承载梁方面是有限 度的。
本发明的目的在于提供一种可以实现将承载梁、设置于其上的带电路的悬 架、装载在其上的滑块准确地定位的带电路的悬挂基板、其制造方法及带电路 的悬挂基板的定位方法。
本发明的带电路的悬挂基板包括金属支承基板；层叠在上述金属支承基板上的导体层；以及存在于上述金属支承基板及上述导体层之间的中介层，其 特征是，上述导体层包括导体图案；以及作为用于将带电路的悬挂基板设置 于承载梁的定位基准的基准部。
另外，在本发明的带电路的悬挂基板中，较为理想的是，上述基准部包含 沿厚度方向贯穿上述导体层的基准孔。
另外，本发明的带电路的悬挂基板的特征是，在上述中介层上形成有沿厚 度方向贯穿上述中介层的中介孔，上述中介孔在沿厚度方向投影时与上述基准 孔形成于同一位置，或者包含上述基准孔，在上述金属支承基板上形成有沿厚 度方向贯穿上述金属支承基板的基板孔，在沿厚度方向投影时，上述基板孔包 含上述基准孔。
另外，在本发明的带电路的悬挂基板的制造方法中，较为理想的是，包括 在形成在金属支承基板上的中介层上，由导体层形成导体图案、以及作为用于 将带电路的悬挂基板设置于承载梁的定位基准的基准部的工序，在形成上述导 体图案和上述基准部的工序中，同时形成上述导体图案和上述基准部。
另外，在本发明的带电路的悬挂基板的制造方法中，较为理想的是，上述 中介层是绝缘层，形成上述导体图案和上述基准部的工序包括在上述绝缘层 及从上述绝缘层露出的上述金属支承基板上形成种膜的工序；在上述种膜上层 叠光致抗蚀膜的工序；将上述光致抗蚀膜通过光掩模曝光，之后通过显影，形 成与上述导体图案及上述基准部相反图案的抗镀膜的工序；在从上述抗镀膜露 出的上述种膜上，层叠上述导体图案与上述基准部的工序；去除上述抗镀膜的 工序；以及去除从上述导体图案及上述基准部露出的上述种膜的工序。
另外，在本发明的带电路的悬挂基板的制造方法中，较为理想的是，上述 中介层是绝缘层，形成上述导体图案和上述基准部的工序包括在层叠在上述 绝缘层上的上述导体层上层叠光致抗蚀膜的工序；将上述光致抗蚀膜通过光掩 模曝光，之后通过显影，形成与上述导体图案及上述基准部相同图案的蚀刻抗 蚀膜的工序；通过对从上述蚀刻抗蚀膜露出的上述导体层进行蚀刻，形成上述 导体图案和上述基准部的工序；以及去除上述蚀刻抗蚀膜的工序。
另外，在本发明的带电路的悬挂基板的制造方法中，较为理想的是，在形 成上述导体图案和上述基准部的工序中，通过一片光掩模将上述光致抗蚀膜曝光。
另外，在本发明的带电路的悬挂基板的制造方法中，较为理想的是，上述 基准部包含沿厚度方向贯穿上述导体层的基准孔，上述带电路的悬挂基板的制 造方法包括在上述中介层上形成沿厚度方向贯穿上述中介层的中介孔，使其 在沿厚度方向投影时与上述基准孔为同一位置、或者包含上述基准孔的工序； 以及在上述金属支承基板形成沿厚度方向贯穿上述金属支承基板的基板孔，使 其在沿厚度方向投影时包含上述基准孔的工序。
另外，本发明的带电路的悬挂基板的定位方法的特征是，将上述的带电路 的悬挂基板通过使用上述基准部作为定位基准而定位于上述承载梁。
在通过本发明的带电路的悬挂基板的制造方法得到的、本发明的带电路的 悬挂基板中，基准部与导体图案一起都由导体层作为同一层形成。
因此，作为用于将带电路的悬挂基板设置于承载梁的定位的基准的基准 部、以及与滑块连接的导体图案能以优良的精度相对配置。
而且，在本发明的带电路的悬挂基板的定位方法中，若将本发明的带电路 的悬挂基板定位于将基准部作为定位基准的承载梁，并将滑块与导体图案连 接，则可以将承载梁、带电路的悬挂基板、滑块以优良的位置精度相互相对配 置。


图1是本发明的带电路的悬挂基板的一个实施方式的局部切除俯视图。
图2是图1所示的带电路的悬挂基板的基准部的放大俯视图。
图3是沿着图2所示的第一基准部的A—A线的剖视图。
图4是用于说明图3所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图，
(a) 表示准备金属支承基板的工序，
(b) 表示将基底绝缘层形成于金属支承基板上的工序，
(c) 表示形成种膜的工序，
(d) 表示在种膜上层叠光致抗蚀膜的工序。
图5是接着图4、用于说明图3所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制 造工序图，(e) 表示将光致抗蚀膜通过光掩模曝光的工序，
(f) 表示将光致抗蚀膜显影、形成抗镀膜的工序，
(g) 表示在从抗镀膜露出的种膜上、层叠导体层的工序，
(h) 表示去除抗镀膜及种膜的工序。
图6是接着图5、用于说明图3所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制 造工序图，
(i) 表示将覆盖绝缘层形成于基底绝缘层上的工序， (j)表示将金属支承基板开口、形成基板孔的工序， (k)表示将基底绝缘层开口、形成基底孔的工序， (1)表示形成增强层的工序。
图7是用于说明将带电路的悬挂基板设置于承载梁的方法的侧视图。 图8是本发明的带电路的悬挂基板的其他实施方式的沿着第一基准部的宽 度方向的剖视图。
图9是用于说明图8所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图，
(a) 表示准备三层基体材料的工序，
(b) 表示将光致抗蚀膜形成于导体层上的工序，
(c) 表示将光致抗蚀膜通过光掩模曝光的工序，
(d) 表示将光致抗蚀膜显影、形成蚀刻抗蚀膜的工序。
图10是接着图9、用于说明图8所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制 造工序图，
(e) 表示将从蚀刻抗蚀膜露出的导体层进行蚀刻的工序，
(f) 表示去除蚀刻抗蚀膜的工序，
(g) 表示形成覆盖绝缘层的工序。
图11是接着图10、用于说明图8所示的带电路的悬挂基板的制造方法的 制造工序图，
(h) 表示将金属支承基板开口、形成基板孔的工序，
(i) 表示将基底绝缘层开口、形成基底孔的工序， (j)表示形成增强层的工序。
图12是本发明的带电路的悬挂基板的其他实施方式的沿着第一基准部的宽度方向的剖视图。
图13是用于说明图12所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序
图，
(a) 表示将基底绝缘层形成于金属支承基板上的工序，
(b) 表示形成导体图案及基准部的工序，
(c) 表示将覆盖绝缘层形成于基底绝缘层上的工序，
(d) 表示将金属支承基板开口、形成基板孔的工序，
(e) 表示形成增强层的工序。
图14是表示本发明的带电路的悬挂基板的其他实施方式的基准部的放大 俯视图。
具体实施例方式
图l是本发明的带电路的悬挂基板的一个实施方式的局部切除俯视图，图 2是图1所示的带电路的悬挂基板的基准部的放大俯视图，图3是沿着图2所 示的第一基准部的A—A线的剖视图，图4 图6是用于说明图3所示的带电路 的悬挂基板的制造方法的制造工序图，图7是用于说明将带电路的悬挂基板设 置于后述的承载梁的方法的侧视图。
另夕卜，图1及图2中，为了明确表示后述的导体图案38及基准部17的相 对配置，省略后述的基底绝缘层30、种膜31、覆盖绝缘层33及增强层34。
图1中，该带电路的悬挂基板1设置于承载梁2 (参照图7)，安装在硬 盘(未图示)上。另外，在该带电路的悬挂基板l上，装载安装有磁头4 (参 照图7)的滑块3 (参照图7)。
带电路的悬挂基板1形成为沿长度方向延伸的俯视近似扁平带状。金属支 承基板29 (后述)与该带电路的悬挂基板l的外形形状对应而形成。
带电路的悬挂基板l包括本体部7;形成于本体部7的前端侧(长度方 向一端侧)的延伸部8;以及形成于本体部7及延伸部8之间的去除部9，并 形成一体。
本体部7形成为沿长度方向延伸的俯视近似扁平带状。
延伸部8在前端侧与本体部7隔开间隔而形成，其宽度(与长度方向垂直的宽度方向长度)比本体部7的前端部的宽度略宽，形成为俯视近似矩形。
去除部9架设在本体部7的前端及延伸部8的后端之间那样，存在于其间。 另外，去除部9的宽度比本体部7的前端部及延伸部8的后端部的宽度窄，形 成为俯视近似矩形。据此，在将带电路的悬挂基板1设置在承载梁2之后，容 易去除为了分离本体部7与延伸部8的去除部9。
另外，在该带电路的悬挂基板1上，形成用于连接磁头4 (参照图7)与 读写基板等外部基板(未图示)的导体图案38。
导体图案38形成于本体部7，包括用于与磁头4的端子(未图示)连接 的头部侧端子10;用于与读写基板等外部基板的端子(未图示)连接的外部侧 端子ll;以及用于连接头部侧端子10及外部侧端子11的多条布线5，并形成 一体。
头部侧端子10配置在本体部7的前端部，作为较宽的连接盘并列设置多 个，以分别连接各条布线5的前端部。
另外，设置有头部侧端子10的本体部7的前端部形成为万向支架13。另 外，在万向支架13形成在长度方向夹住头部侧端子10的狭缝14。
狭缝14形成为俯视近似U形，在前后方向夹住头部侧端子10而配置，使 其开口侧相对。
外部侧端子11配置在本体部7的后端部，作为较宽的连接盘并列设置多 个，以分别连接各条布线5的后端部。
布线5沿着本体部7的长度方向设置多条(例如四条)，在本体部7的宽 度方向互相隔开间隔相对，并列配置。更详细而言，布线5从宽度方向一侧向 宽度方向另一侧依次并列配置第一布线5a、第二布线5b、第三布线5c及第 四布线5d。
更具体而言，第一布线5a及第二布线5b (第一对布线5e)配置在宽度方 向一侧，第三布线5c及第四布线5d (第二对布线5f)配置在宽度方向另一侧。
而且，该带电路的悬挂基板1如图3所示，包括金属支承基板29;形成 于金属支承基板29上的作为中介层的绝缘层即基底绝缘层30;形成于基底绝 缘层30上的导体图案38;以及在基底绝缘层30上、覆盖导体图案38而形成 的覆盖绝缘层33。金属支承基板29由金属箔或金属薄板形成，如上所述，形成为构成带电 路的悬挂基板1的外形形状。
基底绝缘层30形成于本体部7及延伸部8的金属支承基板29的几乎整个 表面。
导体图案38如图1所示，作为由头部侧端子10、外部侧端子11及布线5 形成的布线电路图案，由导体层32 (后述)形成。
覆盖绝缘层33如图3所示，在本体部7中，形成于基底绝缘层30的表面。 另外，覆盖绝缘层33覆盖布线5，且形成作为使头部侧端子10及外部侧端子 ll露出的图案。
然后，如图1所示，在该带电路的悬挂基板1上，设置成为用于将带电路 的悬挂基板1设置于承载梁2的定位基准的基准部17。
基准部17包括第一基准部18及第二基准部19，由导体层32 (后述)形成。
第一基准部18形成于本体部7的长度方向中央及宽度方向中央，即头部 侧端子10与外部侧端子1之间，在第一对布线5e (第二布线5b)与第二对 布线5f (第三布线5c)之间，与其隔开间隔而配置。
第一基准部18如图2所示，形成为俯视近似圆环形。更详细而言，第一 基准部18在俯视下，形成为径向长度在整个周向近似相同的圆框形。
另外，第一基准部18由其内周面划分出第一基准孔22，作为沿厚度方向
贯穿第一基准部18的基准孔。
另外，在形成于第一基准部18下的基底绝缘层30，如图3所示，形成基 底孔48，作为直径比第一基准孔22大的中介孔。
基底孔48与第一基准孔22在厚度方向连通，形成为与第一基准孔22大 致同轴的、俯视近似圆形。
另外，基底孔48由形成于基底绝缘层30的上半侧部分、直径比第一基 准孔22大的上部孔50;以及形成于基底绝缘层30的下半侧部分、直径比上部 孔50大的下部孔49形成。据此，对基底绝缘层30在仰视下，从下部孔49的 周面向上部孔50的周面伸出的伸出部26形成为近似圆环形。
具体而言，第一基准部18包括配置在伸出部26的上表面的外周部25、以及从伸出部26的内周面向内侧突出的内周部24,并形成一体，使得内周部 24相对于外周部25向下方下降一级那样配置。另外，在形成于基底孔48下的金属支承基板29,形成与下部孔49同轴同 直径的基板孔47。基板孔47与基底孔48在厚度方向连通。另外，基板孔47仰视(沿厚度 方向投影时)下包含第一基准孔22。另外，在第一基准部18形成种膜31及增强层34。在外周部25的第一基准部18与基底绝缘层30相对的部分中，种膜31存 在于其间。另外，在内周部24，种膜31形成于第一基准部18的下表面。增强层34形成于第一基准部18的表面及种膜31的表面(外周部25的除 了种膜31的表面)。第二基准部19如图1及图2所示，形成于延伸部8的长度方向中央及宽 度方向中央。第二基准部19形成为在长度方向略长的俯视近似环形。更详细而言，第 二基准部19在俯视下，形成为宽度方向长度在整个长度方向近似相同的长孔 框形。另外，第二基准部19由其内周面划分出第二基准孔23，作为沿厚度方向贯穿第二基准部19的基准孔。另外，在第二基准部19下，如图3所示，与第一基准部18下的基底孔48及基板孔47—样，形成将基底绝缘层30开口的基底孔48、以及将金属支承基板29开口的基板孔47。另外，在第二基准部19，与第一基准部18同样形成种膜31及增强层34。接下来，参照图4 图6说明该带电路的悬挂基板1的制造方法。 首先，在本方法中，如图4 (a)所示，准备金属支承基板29。 作为形成金属支承基板29的金属材料，例如可以使用不锈钢、42合金等，较为理想的是使用不锈钢。金属支承基板29的厚度例如是10 60um，较为理想的是15 30um。接下来，在本方法中，如图4 (b)所示，在金属支承基板29上形成基底绝缘层30。基底绝缘层30以具有基底凹部16的图案形成。在作为伸出部26的部分的内侧划分基底凹部16。作为形成基底绝缘层30的绝缘材料，例如可以使用聚酰亚胺、聚酰胺酰 亚胺、丙烯酸、聚醚腈、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇 酯、聚氯乙烯、氟树脂等合成树脂，较为理想的是使用感光性的合成树脂，更 为理想的是使用感光性聚酰亚胺。例如，为了使用感光性聚酰亚胺形成基底绝缘层30，首先，将感光性聚酰 亚胺树脂前体的清漆(感光性聚酰胺酸树脂溶液)均匀涂布在金属支承基板29 的表面，例如，在70 12(TC下加热、干燥，形成基底皮膜。接下来，将该基 底皮膜通过未图示的分级曝光光掩模进行曝光。分级曝光光掩模包括遮光部 分、半透光部分及全透光部分的图案，对于基底皮膜，在形成基底绝缘层30 (除了形成基底凹部16的部分)的部分相对配置全透光部分，在形成基底凹 部16的部分相对配置半透光部分，在不形成基底绝缘层30的部分相对配置遮 光部分。之后，通过将基底皮膜显影，根据需要使其固化，形成具有基底凹部 16的基底绝缘层30。另外，为了形成基底绝缘层30，例如也可以将上述的合 成树脂的溶液(清漆)均匀涂布在金属支承基板29的整个上表面后，进行干 燥，接下来根据需要，通过进行加热而固化后，利用蚀刻等形成基底凹部16。关于基底绝缘层30的厚度，在基底凹部16，例如是l 8um，较为理想 的是l 4ym,在其他部分，例如是10 30nm，较为理想的是5 20 u m。另 外，关于基底凹部16的尺寸，其最大内径例如是80 3500nra，较为理想的是 100 2500lim。接下来，在本方法中，如图4 (c) 图5 (h)所示，利用加成法，依次 形成种膜31、导体图案38及基准部17 (第一基准部18及第二基准部19)。种膜31如图4 (c)所示，形成于基底绝缘层30及从基底绝缘层30露出 的金属支承基板29上。作为形成种膜31的材料，例如可以使用铬、金、银、铂、镍、钛、硅、 锰、锆、以及它们的合金、或者它们的氧化物等金属材料。较为理想的是使用 铬。另外，种膜31也可以由多层形成。种膜31例如由溅射法、电解镀覆或者非电解镀覆等形成。较为理想的是 由溅射法形成。作为溅射法，例如可以使用将上述的金属作为靶的溅射法，较为理想的是 使用铬溅射法，据此层叠铬薄膜。种膜31的厚度例如是0. 01 1 u m，较为理想的是0. 01 0. 1 n m。 接下来，如图4 (d)所示，在种膜31上层叠光致抗蚀膜42。 光致抗蚀膜42例如将干膜抗蚀膜层叠在种膜31的表面。 接下来，如图5 (e)所示，将光致抗蚀膜42通过光掩模43进行曝光，之后如图5(f)所示，通过显影，以导体图案38及基准部17的相反图案形成抗镀膜44。在光掩模43中，如图5 (e)所示，将用于形成导体图案38的图案、和 用于形成基准部17的图案形成在一片光掩模中，而形成一体。具体而言，光 掩模43包括不透过光的遮光部分46、透过光的透光部分45的上述图案，在以 负像形成图案时，这样配置光掩模43，使得在形成导体图案38及基准部17 的部分与遮光部分46相对，在不形成导体图案38及基准部17的部分与透光 部分45相对，然后进行曝光。之后，如图5 (f)所示，将与遮光部分46相对的未曝光部分、即形成导 体图案38及基准部17的部分通过显影去除。显影例如使用浸渍法或者喷涂法 等。据此，抗镀膜42由与导体图案38及基准部17相反的图案形成在种膜31的表面。另外，在以正像形成图案时，虽然未图示，但是与上述相反，即在形成导 体图案38及基准部17的部分与光掩模43的透光部分45相对，曝光后，进行显影。接下来，如图5 (g)所示，在从抗镀膜44露出的种膜31上层叠导体层32。作为形成导体层32的导体材料，例如可以使用铜、镍、金、焊锡、或者 它们的合金(例如铜合金)等金属。这其中，较为理想的是使用铜。导体层32例如通过电解镀覆，较为理想的是通过电解镀铜进行层叠。导体层32的厚度例如是5 20 u m，较为理想的是5 15 u m。接下来，如图5 (h)所示，将抗镀膜44例如通过蚀刻、剥离等去除，接下来，将从导体层32露出的种膜31例如通过蚀刻、剥离等去除。 据此，同时形成由导体层32形成的导体图案38及基准部17。 基准部17 (第一基准部18及第二基准部19)的最大内径(基准孔(第一 基准孔22及第二基准孔23)的最大内径)形成得比后述的销(第一销27及第 二销28)的外径大例如1 20ixm，具体而言，例如是50 3000nm，较为理想 的是100 2000 n m。另外，基准部17 (第一基准部18及第二基准部19)的最 大外径例如是80 5000 n m，较为理想的是150 2600 y m。另外，各条布线5的宽度例如是10 150ixm,较为理想的是20 100um。 各条布线5间的间隔例如是10 200um，较为理想的是20 150um。接下来，在本方法中，如图6 (i)所示，在基底绝缘层30上以上述的图 案形成覆盖绝缘层33。作为形成覆盖绝缘层33的绝缘材料，可以使用与上述的基底绝缘层30 同样的绝缘材料。例如，为了使用感光性聚酰亚胺形成覆盖绝缘层33，首先，将感光性聚酰 亚胺树脂前体的清漆(感光性聚酰胺酸树脂溶液)均匀涂布在包含导体图案38 及基准部17的基底绝缘层30的表面，例如，在70 12(TC下加热、干燥，形 成覆盖皮膜。接下来，将该覆盖皮膜通过未图示的光掩模曝光后，进行显影， 接下来，将其例如在30(TC以上加热，进行固化(酰亚胺化)，从而以上述的 图案形成覆盖绝缘层33。覆盖绝缘层33的厚度例如是2 10 u m，较为理想的是3 6 u m。 接下来，如图6 (j)所示，将金属支承基板29开口，形成基板孔47及狭 缝14。为了将金属支承基板29开口，例如可以使用化学蚀刻等湿法蚀刻。作 为用于湿法蚀刻的蚀刻液，例如可以使用氯化铁的水溶液等已知的蚀刻液。另 外，在湿法蚀刻中，将金属支承基板29的与基板孔47及狭缝14对应的部分 以外用蚀刻抗蚀膜覆盖后，蚀刻金属支承基板29。基板孔47的内径例如是80 4000nm，较为理想的是140 2600wm。 接下来，如图6 (k)所示，将基底绝缘层30开口，形成基底孔48。为了 将基底绝缘层30开口，例如可以使用等离子蚀刻等干法蚀刻等，该干法蚀刻 等使用金属支承基板29作为蚀刻抗蚀膜(掩模)。在将基底绝缘层30开口时，参照图6 (j)，蚀刻与基板孔47在仰视下为同一位置的基底绝缘层30的厚度 方向下半部分，直到去除基底凹部16为止。据此，可以形成由下部孔49及上部孔50形成的基底孔48。另外，参照图3，伸出部26的长度(上部孔50的周面与下部孔49的周面 的间隔)Ll例如是5 100um，较为理想的是20 50ym。另外，从伸出部26突出的内周部24的长度(第一基准孔22的周面与上 部孔50的周面的间隔)L2例如是5 100um，较为理想的是10 50"m。另夕卜， 第一基准孔22的周面与基板孔47的周面的间隔L3例如是5 200 u m，较为理 想的是10 100um。接下来，在本方法中，如图6(1)所示，将增强层34形成于种膜31及基 准部17的表面。增强层34例如由镍、金等金属材料、例如与基底绝缘层30 同样的绝缘材料等形成。增强层34由金属材料形成时，例如是通过电解镀覆或者非电解镀覆等形 成的。另外，增强层34由绝缘材料形成时，例如是通过电沉积等形成的。如 果是电沉积，则可以形成均匀厚度的增强层34。通过这样形成的增强层34的厚度例如是0. 01 1 u ra，较为理想的是0. l 0. 5 u m。之后，通过利用蚀刻等外形加工，得到包括本体部7、延伸部8及去除部 9的带电路的悬挂基板1。接下来，参照图7说明将得到的带电路的悬挂基板1定位于使用基准部 17作为定位基准的承载梁2、并将滑块3与导体图案38连接的方法。承载梁2形成为沿前后方向延伸的近似平板形，在其前后方向中途形成贯 穿厚度方向的第一贯穿孔40，在其前侧形成贯穿厚度方向的第二贯穿孔41。然后，在对第一贯穿孔40插入第一销27、对第二贯穿孔41插入第二销 28的承载梁2中，将第一销27插入带电路的悬挂基板1的第一基准孔22，并 将第二销28插入第二基准孔23。此时，由于第二基准孔23形成为在长度方向略长的长孔，因此限制了延 伸部8相对于第二销28在宽度方向的移动，另一方面，对于第二销28能够与 第二基准孔23相对应地在长度方向游动。另一方面，由于第一基准孔22形成作为圆孔，因此限制了本体部7相对 于第一销27在长度方向及宽度方向的移动。而且，由于延伸部8与本体部7 是一体形成的，因此也限制了延伸部8相对于第一销27在长度方向的移动。据此，可以同时进行延伸部8相对于承载梁2在宽度方向及长度方向的定 位、以及本体部7相对于承载梁2在宽度方向及长度方向的定位。另外，在带电路的悬挂基板1的万向支架13装载滑块3。在滑块3上安装 磁头4，与磁头4的端子连接头部侧端子10 (参照图l)。之后，通过将去除部9利用切断等去除，将本体部7与延伸部8分离，去 除延伸部8。之后，将滑块3、带电路的悬挂基板1及承载梁2安装在硬盘驱 动器中。然后，在该带电路的悬挂基板l中，基准部17与导体图案38—起都由导 体层32同时作为同一层形成。因此，作为用于将带电路的悬挂基板1设置于承载梁2的定位的基准的基 准部17、和与滑块3连接的导体图案38 (头部侧端子IO)以优良的精度相对配置。尤其是，在上述的方法中，使用形成为一体的用于形成导体图案38 (头部 侧端子IO)的图案、和用于形成基准部17的图案的一片光掩模43 (参照图5 (e))，利用一次曝光按照图案形成抗镀膜44，之后，根据抗镀膜44的图案 同时形成基准部17与导体图案38。因此，可以使头部侧端子10与基准部17 精密地相对配置。因此，根据上述的带电路的悬挂基板l的定位方法，通过将带电路的悬挂 基板1定位于将基准部17的第一基准孔22及第二基准孔23作为定位基准的 承载梁2，并将滑块3的磁头4的端子与头部侧端子10连接，可以将承载梁2、 带电路的悬挂基板l、磁头4以优良的位置精度相互相对配置。另外，由于在该带电路的悬挂基板1的基准部17分别形成贯穿基准部17 的第一基准孔22及第二基准孔23，因此，只需将第一销27及第二销28插入 其中，就可以容易定位。并且，另外由于基底孔48及基板孔47的直径分别形成得比第一基准孔22 及第二基准孔23大，因此在插入第一销27及第二销28时，其外周面不会与基底孔48或基板孔47的内周面抵接，只与第一基准孔22及第二基准孔23的 内周面抵接。因此，通过将第一销27及第二销28插入第一基准孔22及第二 基准孔23，可以将带电路的悬挂基板1更加准确地定位。另外，在上述的方法中，由于在基底绝缘层30形成基底凹部16、在之后 形成基底孔48时，只需蚀刻基底凹部16、即基底绝缘层30的厚度方向下侧部 分即可，因此可以縮短蚀刻时间，可以使生产率提高。图8是本发明的带电路的悬挂基板的其他实施方式的沿着第一基准部的宽 度方向的剖视图，图9 图11是说明图8所示的带电路的悬挂基板的制造方法 用的制造工序图。另外，关于与上述各部分对应的构件，在以后的各图中标注 同一参照标号，省略其详细的说明。在上述的说明中，是在基底绝缘层30形成基底凹部16，但例如，如图8 图11所示，也可以不形成基底凹部16，将基底绝缘层30形成为平坦状。图8中，第一基准部18形成为同一厚度的俯视近似圆环形。另外，第一 基准部18的外周部25配置在基底绝缘层30的基底孔48的内周端部的上表面， 第一基准部18的内周部24从基底绝缘层30的基底孔48的内周端部向内侧突 出那样配置。另外，基底孔48的直径形成得比第一基准孔22大，另外，形成得与基板 孔47的直径相同。另外，基底孔48的周面与基板孔47的周面在厚度方向形 成为同一面。接下来，参照图9 图11说明该带电路的悬挂基板1的制造方法。首先，如图9 (a)所示，准备依次层叠金属支承基板29、基底绝缘层30 及导体层32的三层基体材料35。更具体而言，三层基体材料35是在金属支承基板29上层叠基底绝缘层30， 在基底绝缘层30上形成导体层32。形成金属支承基板29的金属材料、形成基 底绝缘层30的绝缘材料、形成导体层32的导体材料与上述相同。另外，金属 支承基板29、基底绝缘层30及导体层32的厚度也与上述相同。接下来，如图9 (b) 图10 (f)所示，通过减成法形成导体图案38及 基准部17。在减成法中，首先，如图9 (b)所示，在导体层32 (层叠在基底绝缘层30的整个上表面的导体层32)上层叠光致抗蚀膜42。光致抗蚀膜42利用与上 述同样的方法层叠。接下来，如图9 (c)所示，将光致抗蚀膜42通过一片光掩模43进行曝光， 之后，如图9 (d)所示，将光致抗蚀膜42进行显影。更详细而言，使导体层32的形成导体图案38及基准部17的部分与一片 光掩模43的透光部分45相对，曝光后，进行显影。据此，蚀刻抗蚀膜39在导体层32的表面，由与导体图案38及基准部17 相同的图案形成。接下来，如图10 (e)所示，蚀刻从蚀刻抗蚀膜39露出的导体层32。作 为导体层32的蚀刻，例如可以使用通过蚀刻液所进行的化学蚀刻等。据此，同时形成由导体层32形成的导体图案38及基准部17。接下来，如图IO (f)所示，例如通过蚀刻、剥离等去除蚀刻抗蚀膜39。接下来，如图10 (g)所示，在基底绝缘层30上形成覆盖绝缘层33。覆 盖绝缘层33的形成使用与上述同样的方法。接下来，在本方法中，如图11 (h)所示，将金属支承基板29开口，形成 基板孔47及狭缝14接下来，在本方法中，如图ll (i)所示，将基底绝缘层30开口，形成基 底孔48。在将基底绝缘层30开口时，蚀刻与基板孔47在俯视下为同一位置的 基底绝缘层30的厚度方向的全部。另外，在蚀刻基底绝缘层30时，金属支承 基板29成为防止基底孔48以外部分的基底绝缘层30被蚀刻的蚀刻抗蚀膜。接下来，在本方法中，如图11 (j)所示，在基准部17的表面形成增强层34。之后，通过利用蚀刻等外形加工，得到包括本体部7、延伸部8及去除部 9的带电路的悬挂基板1。然后，在上述的方法中，由于使用三层基体材料35利用减成法形成导体 图案38及基准部17，因此可以力图减少用于形成导体层32及种膜31的工序数。在上述的图9 图11的说明中，是利用减成法形成图8所示的导体图案 38及基准部17，但例如也可以利用上述的加成法形成。图12是本发明的带电路的悬挂基板的其他实施方式的沿着第一基准部的宽度方向的剖视图，图13是用于说明图12所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图。图12中，在本体部7中，只在与导体图案38对应的部分形成基底绝缘层30。第一基准部18形成于作为中介层的种膜31的上表面。 更详细而言，第一基准部18的外周部25通过种膜31配置在金属支承基 板29的基板孔47的内周端部上。另外，第一基准部18的内周部24从金属支 承基板29的基板孔47的内周端部向内侧突出那样配置，其下表面被种膜31覆盖。另外，种膜31由其内周面划分作为沿厚度方向贯穿种膜31的中介孔的种 膜孔21。种膜孔21在仰视(沿厚度方向投影时)下，形成于与第一基准孔22同一位置。另外，作为形成种膜31的材料，可以根据后述的蚀刻工序(参照图13(d)) 的蚀刻液而适当选择，例如选择具有抗蚀刻液性质的材料(例如铬等)。接下来，参照图13说明该带电路的悬挂基板1的制造方法。首先，在本方法中，如图13 (a)所示，准备金属支承基板29，接下来， 以与上述的导体图案38对应的图案，在金属支承基板29上形成基底绝缘层30。接下来，在本方法中，如图13 (b)所示，利用加成法在基底绝缘层30 及金属支承基板29上形成种膜31，在基底绝缘层30上的种膜31上形成导体 图案38，在金属支承基板29上的种膜31上形成基准部17。接下来，在本方法中，如图13 (c)所示，在基底绝缘层30上形成覆盖绝 缘层33。接下来，在本方法中，如图13 (d)所示，将金属支承基板29开口，形成 基板孔47及狭缝14。在用于将金属支承基板29开口的湿法蚀刻中，种膜31 成为防止基准部17被蚀刻的蚀刻抗蚀膜。之后，在本方法中，如图13 (e)所示，在种膜31及基准部17的表面形 成增强层34。之后，通过利用蚀刻等外形加工，得到包括本体部7、延伸部8及去除部9的带电路的悬挂基板1。然后，在本方法中，由于在基准部17下不形成基底绝缘层30，因此可以 省略在基底绝缘层30形成基底孔48的工序。另外，在该带电路的悬挂基板1中，由于第一基准孔22在仰视下形成于 与种膜孔21为同一位置，因此，可以充分保护第一基准部18的内周部24的 下表面。另外，在上述的说明中，是将第一基准部18形成为俯视近似圆环形，将 第二基准部19形成为俯视长孔框形，但虽然未图示，例如也能以互相相反的 形状形成第一基准部18及第二基准部19。并且，也可以将第一基准部18及第 二基准部19这两者形成为俯视近似圆环形或者俯视长孔框形。较为理想的是，将第一基准部18及第二基准部19的至少一个形成为俯视 近似圆环形。据此，相对于销而言，可以确实进行带电路的悬挂基板l在长度 方向的定位。图14是本发明的带电路的悬挂基板的其他实施方式的第一基准部的放大 俯视图。另外，基准部17的形状也可以形成为上述形状以外的适当的形状。基准部17在俯视下，也可以形成为例如如图14 (a)所示的前侧三角形、 后侧U形的形状，例如如图14 (b)所示的前侧变细的椭圆形(顶点配置在前 侧的卵形)，例如如图14 (c)所示的三角形(顶点配置在前侧的正三角形)， 以及例如如图14 (d)所示的矩形(例如正方形)。另外，若将基准部17形成为具有内接圆的、俯视三角形(参照图14 (c)) 或俯视正方形(参照图14 (d))，则在该基准部17中插入圆柱状的销(第一 销27及第二销28)，可以准确定位。较为理想的是，两个基准部17中， 一个形成为圆环形，另一个形成为长 孔框形。另外，在上述的说明中，是设置了两个基准部17，但其数量没有特别的限 制，例如，也可以设置一个、或者三个以上。在设置一个基准部时，较为理想 的是设置在延伸部8。延伸部8由于靠近头部侧端子10，因此可以高精度地安 装滑块3。并且，在上述的说明中，是将基准部17在周向连续形成，但例如如图14 (e)所示，也可以在周向不连续地形成。在图14 (e)中，也可以将基准部17形成分离为配置在宽度方向一侧的 第一半圆弧部36、和在宽度方向另一侧的第二半圆弧部37的形状。另外，在上述的说明中，是将基准部17设置于金属支承基板2的表面(上 表面)侦(j,但例如也可以设置于金属支承基板2的两面(上表面及下表面)。并且，虽然未图示，但在导体图案38的布线5在厚度方向分离为两层、 它们在厚度方向相对配置时，即，在下侧的布线5上设置第二绝缘层、在该第 二基底绝缘层上设置上侧的布线5时，由与头部侧端子10同一层的导体层32 形成基准部17。据此，可以使头部侧端子10与基准部17精密地相对配置。另 外，上述说明是提供了作为本发明例举的实施方式，但这只是单纯的例举，并 非限定性的解释。对于该技术领域的从业人员明显是本发明的变形例，则包含 在权利要求范围内。 '
权利要求
1.一种带电路的悬挂基板，包括金属支承基板；层叠在所述金属支承基板上的导体层；以及存在于所述金属支承基板与所述导体层之间的中介层，其特征在于，所述导体层包括导体图案；以及作为用于将带电路的悬挂基板设置于承载梁的定位基准的基准部。
2. 如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，所述基准部包 含沿厚度方向贯穿所述导体层的基准孔。
3. 如权利要求2所述的带电路的悬挂基板，其特征在于， 在所述中介层上形成有沿厚度方向贯穿所述中介层的中介孔， 所述中介孔在沿厚度方向投影时与所述基准孔形成于同一位置，或者包含所述基准孔，在所述金属支承基板上形成有沿厚度方向贯穿所述金属支承基板的基板孔，在沿厚度方向投影时，所述基板孔包含所述基准孔。
4. 一种带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于， 包括在形成在金属支承基板上的中介层上，由导体层形成导体图案、以及作为用于将带电路的悬挂基板设置于承载梁的定位基准的基准部的工序，在形成所述导体图案和所述基准部的工序中，同时形成所述导体图案和所 述基准部。
5. 如权利要求4所述的带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于， 所述中介层是绝缘层，形成所述导体图案和所述基准部的工序包括在所述绝缘层及从所述绝缘层露出的所述金属支承基板上形成种膜的工序；在所述种膜上层叠光致抗蚀膜的工序；将所述光致抗蚀膜通过光掩模曝光，之后通过显影，形成与所述导体图案及所述基准部相反图案的抗镀膜的工序；在从所述抗镀膜露出的所述种膜上，层叠所述导体图案和所述基准部的工序；去除所述抗镀膜的工序；以及去除从所述导体图案及所述基准部露出的所述种膜的工序。
6. 如权利要求4所述的带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于， 所述中介层是绝缘层，形成所述导体图案和所述基准部的工序包括 在层叠在所述绝缘层上的所述导体层上层叠光致抗蚀膜的工序； 将所述光致抗蚀膜通过光掩模曝光，之后通过显影，形成与所述导体图案及所述基准部相同图案的蚀刻抗蚀膜的工序；通过对从所述蚀刻抗蚀膜露出的所述导体层进行蚀刻，形成所述导体图案和所述基准部的工序；以及去除所述蚀刻抗蚀膜的工序。
7. 如权利要求5或6所述的带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于， 在形成所述导体图案和所述基准部的工序中，通过一片光掩模将所述光致抗蚀 膜曝光。
8. 如权利要求4所述的带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于， 所述基准部包含沿厚度方向贯穿所述导体层的基准孔， 所述带电路的悬挂基板的制造方法包括在所述中介层上形成沿厚度方向贯穿所述中介层的中介孔，使其在沿厚度 方向投影时与所述基准孔为同一位置、或者包含所述基准孔的工序；以及在所述金属支承基板上形成沿厚度方向贯穿所述金属支承基板的基板孔， 使其在沿厚度方向投影时包含所述基准孔的工序。
9. 一种带电路的悬挂基板的定位方法，将权利要求1所述的带电路的悬 挂基板通过使用所述基准部作为定位基准而定位于所述承载梁。
全文摘要
本发明涉及一种带电路的悬挂基板、其制造方法及定位方法。带电路的悬挂基板包括金属支承基板；层叠在金属支承基板上的导体层；以及存在于金属支承基板及导体层之间的中介层。导体层包括导体图案；以及作为用于将带电路的悬挂基板设置于承载梁的定位基准的基准部。
文档编号H05K1/02GK101646299SQ20091015927
公开日2010年2月10日 申请日期2009年8月5日 优先权日2008年8月6日
发明者大泽彻也, 大薮恭也, 谷惠海子 申请人:日东电工株式会社