专利名称：电子装置壳体及其制作方法
技术领域：
本发明是关于一种电子装置壳体及其制作方法，尤其是关于一种具有自清洁功能 的电子装置壳体及其制作方法。
背景技术：
现有电子产品(如手机、PDA等)的壳体常被镀覆一金属层或金属氧化物层而使产 品具有金属质感，从而吸引消费者眼球。该金属层通常以不导电电镀的方式形成，因该金属 层不导电，从而可避免对信号产生干扰。该不导电的金属层或金属氧化物层通常为透明状， 其形成于壳体上之后，与壳体的基材或形成于壳体上的其他油漆层共同使得壳体呈现出多 彩的具金属质感的外观。然而，上述壳体虽然具有美丽的外观，却不具备自清洁功能，实用性欠佳。因为电 子产品在使用过程中，其表面会慢慢的积聚很多灰尘，同时人手上的汗渍、或人手上涂抹的 护手霜等均很容易残留在电子产品的表面上，这些灰尘，特别是按键周围的灰尘及残留的 污染物难以用抹布或其它清洁物彻底的去除。显然，上述壳体亦不能对这些灰尘及残留的 污染物自动进行去除，因而实用性不强，不能给消费者带来附加的使用价值，降低了产品的 竞争力。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种既具有金属质感外观又具有自清洁功能的电子装置壳 体。另外，还有必要提供一种上述电子装置壳体的制作方法。一种电子装置壳体，其包括一基体及形成于基体表面的纳米二氧化钛膜，该纳 米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在 IO-IOOnm 之间。—种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤提供一基体；在该基体的表面真空溅镀一纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格 结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在IO-IOOnm之间。相较于现有技术，本发明电子装置壳体通过真空溅镀的方式在基体表面设置一具 有上述特征的纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜不仅可使壳体呈现出金属外观(且不干 扰电子信号)，且该纳米二氧化钛膜可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面 的灰尘或残留的有机污染物，从而对壳体表面起到清洁的作用。同时由于该纳米二氧化钛 膜具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，该水流还会自动带走壳体上被纳米二氧 化钛膜分解之后的残留污染物。如此，消费者在享受到该壳体美丽及高雅的外观的同时又 可时刻保持壳体表面的清洁，可消除细菌经由电子装置壳体10传播的可能，保证了人体的 健康，大大增强了产品的实用性及竞争力。
图1为本发明一较佳实施方式电子装置壳体的剖视示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种电子装置壳体，其包括一基体及形成于基体表面的纳米二氧化钛膜，其特征在 于该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚 度在IO-IOOnm之间。
2.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于所述基体由塑料、玻璃或陶瓷制成。
3.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于所述纳米二氧化钛膜以真空溅镀 的方式形成。
4.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于所述壳体还包括一形成于基体与 纳米二氧化钛膜之间的底漆层。
5.如权利要求4所述的电子装置壳体，其特征在于所述底漆层为丙烯酸树脂漆层，环 氧树脂漆层、聚氨酯树脂漆层或酚醛树脂漆层，其厚度在1-30 μ m之间。
6.一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤提供一基体；在该基体的表面真空溅镀一纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构 或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在IO-IOOnm之间。
7.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于溅镀该纳米二氧化钛 膜的工艺条件为本底真空度为5 X 10-4 9 X 10-4Pa,真空室内的压力为0. 05 0. 29Pa, 真空室内氧气的分压为0. 01-0. 225Pa。
8.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于溅镀纳米二氧化钛 膜时以金属钛作为靶材，靶材的电源输出功率为3000 4000W，溅镀二氧化钛膜的速率为 0. 3 ~ 0. 5nm/S。
9.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于所述方法还包括在溅 镀二氧化钛膜前在基体表面喷涂一底漆层的步骤。
10.如权利要求9所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于所述底漆层为丙烯酸 树脂漆层、环氧树脂漆层、聚氨酯树脂漆层或酚醛树脂漆层，该底漆层的厚度在1-30 μ m之 间。
全文摘要
本发明提供一种电子装置的壳体及其制作方法。该电子装置壳体包括一基体及形成于基体表面的纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在10-100nm之间。一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤提供一基体；在该基体的表面真空溅镀一纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在10-100nm之间。
文档编号H05K5/00GK102111970SQ20091031242
公开日2011年6月29日 申请日期2009年12月28日 优先权日2009年12月28日
发明者姜传华, 杜琪健 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司