专利名称：一种超高频高功率因数节能灯的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及的是一种节能灯，尤其是一种超高频高功率因数节能灯。
技术背景 在现有技术中，公知的技术是现有的节能灯的功率输出有限，效率低，在工作过程 中产生的热量大，极易烧毁，影响了节能灯的使用寿命，这是现有技术所存在的不足之处。
发明内容 本实用新型的目的，就是针对现有技术所存在的不足，而提供一种超高频高功率 因数节能灯的技术方案，该方案的的节能灯，效率高，频率高。 本方案是通过如下技术措施来实现的一种超高频高功率因数节能灯，包括有灯 管，桥式整流器，本方案的特点是有第一电容C1和第二电容C2串联后，串接在所述桥式整 流器D3的输出端，所述的灯管E的一端与第一电容C1和第二电容C2的连接点处连接，灯 管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一 mosfet管Ql的源极连接，第一 mosfet管Ql的源极和栅极间串联有第一触发二极管Dl，第一 mosfet管Ql的源极还通过 变压器T的第一次级线圈Nl、第一电阻Rl与第一 mosfet管Ql的栅极连接，第一 mosfet管 Ql的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一 mosfet管Q1的源极与第二 mosfet 管Q2的漏极连接，第二 mosfet管Q2的栅极通过第二电阻R2、变压器T的第二次级线圈N2 与第二 mosfet管Q2的源极连接，第二 mosfet管Q2的栅极通过第二触发二极管D2、第三电 容C3与第二 mosfet管Q2的源极连接，第二 mosfet管Q2的源极还与桥式整流器D3的负 极连接，第二触发二极管D2和第三电容C3的连接点通过第三电阻R3与桥式整流器D3的 正极连接，另外还有第四电容C4与灯管E并联。 第一电解电容C5的正极与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5负极通过 第一个二极管D4与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的负极与桥式整流器D3 的负极连接，第二电解电容C6的正极通过第二个二极管D5与桥式整流器D3的正极连接， 第一电解电容C5的负极还通过第三个二极管D6、第四个二极管D7与第二电解电容C6的正 极连接，另外，第三个二极管D6和第四个二极管D7的连接点与第一电容Cl和第二电容C2 的连接点连接。所述的变压器的磁环为纳米晶加磁磁环。 本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，由于在该方案中采用mosfet 管为功率器件，具有更大的功率输出，两个mosfet管轮流工作，使得频率较高，有效的消除 了节能灯频闪效应，采用了纳米晶加磁磁环，具有更高的温度稳定性。由此可见，本实用新 型与现有技术相比，具有实质性特点和进步，其实施的有益效果也是显而易见的。
图1为本实用新型具体实施方式
的电路图。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过一个具体实施方式
，并结合其附图，对本方案进行阐述。 通过附图可以看出，本方案的超高频高功率因数节能灯，包括有灯管，桥式整流器，本方案的特点是有第一电容C1和第二电容C2串联后，串接在所述桥式整流器D3的输出端，所述的灯管E的一端与第一电容Cl和第二电容C2的连接点处连接，灯管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一 mosfet管Ql的源极连接，第一 mosfet管Ql的源极和栅极间串联有第一触发二极管Dl，第一mosfet管Ql的源极还通过变压器T的第一次级线圈N1、第一电阻R1与第一 mosfet管Q1的栅极连接，第一 mosfet管Ql的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一 mosfet管Ql的源极与第二 mosfet管Q2的漏极连接，第二 mosfet管Q2的栅极通过第二电阻R2、变压器T的第二次级线圈N2与第二mosfet管Q2的源极连接，第二 mosfet管Q2的栅极通过第二触发二极管D2、第三电容C3与第二 mosfet管Q2的源极连接，第二 mosfet管Q2的源极还与桥式整流器D3的负极连接，第二触发二极管D2和第三电容C3的连接点通过第三电阻R3与桥式整流器D3的正极连接，另外还有第四电容C4与灯管E并联。 第一电解电容C5的正极与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5负极通过第一个二极管D4与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的负极与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的正极通过第二个二极管D5与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5的负极还通过第三个二极管D6、第四个二极管D7与第二电解电容C6的正极连接，另外，第三个二极管D6和第四个二极管D7的连接点与第一电容Cl和第二电容C2的连接点连接。所述的变压器的磁环为纳米晶加磁磁环。 使用时，高频电流的一部分经过Cl 、C2返回电源，另一部分经过D6、D7整流，由Cl 、C2滤波，形成正负两个辅助电压，经由D4、 D5与桥式整流器D3的脉动直流电压叠加，形成一个波峰比比较小的供电电源为灯管及mosfet管供电，由于高频电流得到再生利用，所以电路工作效率较高；mosfetQl、 Q2组成有源半桥支路，电容Cl、 C2组成无源半桥支路，半桥的中点电压为直流的一半，灯管E与电感L串联，与C4并联跨接在两个半桥的中点间；电路加电后，直流电压经R3为电容C3充电，当电压达到并超过触发二极管D2的转折电压后，二极管D2导通，有电压加到Q2的栅极，Q2导通，Q2源极电流的增长，在变压器T的初级线圈N上产生感应电动势，同时在其次级线圈Nl、 N2上也产生感应电动势，其同名端如图所示，从而使Q2的栅极电位升高，栅极电压、源极电流进一步加大，当Q2电流增加使得变压器T磁环趋向饱和时，各绕组的感应电动势下降，变压器T磁环中将产生与原来极性相反的电动势，从而使Q1的栅极电位上升，Q2源极电流增力n，流过电感L的电流与Ql导通时的电流方向相反，上述过程周而复始的重复，在电路中产生振荡。
权利要求一种超高频高功率因数节能灯，包括有灯管，桥式整流器，其特征是有第一电容C1和第二电容C2串联后，串接在所述桥式整流器D3的输出端，所述的灯管E的一端与第一电容C1和第二电容C2的连接点处连接，灯管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一mosfet管Q1的源极连接，第一mosfet管Q1的源极和栅极间串联有第一触发二极管D1，第一mosfet管Q1的源极还通过变压器T的第一次级线圈N1、第一电阻R1与第一mosfet管Q1的栅极连接，第一mosfet管Q1的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一mosfet管Q1的源极与第二mosfet管Q2的漏极连接，第二mosfet管Q2的栅极通过第二电阻R2、变压器T的第二次级线圈N2与第二mosfet管Q2的源极连接，第二mosfet管Q2的栅极通过第二触发二极管D2、第三电容C3与第二mosfet管Q2的源极连接，第二mosfet管Q2的源极还与桥式整流器D3的负极连接，第二触发二极管D2和第三电容C3的连接点通过第三电阻R3与桥式整流器D3的正极连接，另外还有第四电容C4与灯管E并联。
2. 根据权利要求1所述的超高频高功率因数节能灯，其特征是第一电解电容C5的正 极与桥式整流器D3的正极连接，第一 电解电容C5负极通过第一个二极管D4与桥式整流器 D3的负极连接，第二电解电容C6的负极与桥式整流器D3的负极连接，第二电解电容C6的 正极通过第二个二极管D5与桥式整流器D3的正极连接，第一电解电容C5的负极还通过第 三个二极管D6、第四个二极管D7与第二电解电容C6的正极连接，另外，第三个二极管D6和 第四个二极管D7的连接点与第一电容Cl和第二电容C2的连接点连接。
3. 根据权利要求1所述的超高频高功率因数节能灯，其特征是所述的变压器的磁环 为纳米晶加磁磁环。
专利摘要本实用新型提供了一种超高频高功率因数节能灯的技术方案，该方案的超高频高功率因数节能灯，采用mosfet管为功率器件，具有更大的功率输出，两个mosfet管轮流工作，使得频率较高，有效的消除了节能灯频闪效应，采用了纳米晶加磁磁环，具有更高的温度稳定性。
文档编号H05B41/282GK201444717SQ200920030320
公开日2010年4月28日 申请日期2009年7月22日 优先权日2009年7月22日
发明者孔令志, 林永生 申请人:兖州市金盛科技有限公