专利名称：直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及18时太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置。
背景技术：
普通的直拉法生产硅单晶的热场装置通常包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，生产过程中，石英坩埚内的原料经过加热和局部冷却并拉伸生长形成圆柱状的硅单晶。传统结构中，热场装置中各部件的相对位置设置不合理，不易形成较好的温度梯度，不利于拉晶过程的稳定和拉晶速度的提高。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种温度梯度合理，气体在装置内的分布合理，可获得的固液界面形状和较高的拉晶速度的直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置。 本实用新型的直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。[0005] 本实用新型通过各个装置部件之间的相对位置，及材料热性能的选择，形成比较
合适的温度梯度，可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示，该直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置包括有外壳1、安装在外壳中心的石墨坩埚2、位于石墨坩埚内的石英坩埚3、位于石墨坩埚外围的加热电极4和位于石英坩埚内侧的导流筒5。所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，形成的加热器上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。
权利要求一种直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，其特征是所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。
专利摘要本实用新型涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。该装置包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。本实用新型可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
文档编号C30B15/14GK201530877SQ20092004295
公开日2010年7月21日 申请日期2009年6月30日 优先权日2009年6月30日
发明者张锦根, 施海明, 鄂林, 陆景刚 申请人:镇江环太硅科技有限公司