专利名称：一种智能超变频磁流子加热装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种智能超变频磁流子加热装置。
背景技术：
随着世界气候的逐渐变暖，中国明确表示“将继续坚定不移地为应对气候变化作 出切实努力”，同时强调将进一步采取四项强有力的措施应对气候变化，其中之一就是“积 极发展低碳经济”。我国是发展中大国，经济发展过分依赖化石能源资源的消耗，导致碳排放总量不 断增加、环境污染日益加重等问题，已经严重影响到经济增长的质量效益和发展的可持续 性。低碳经济就是节能减排。目前我国在工业领域所用的电加热设备和民用领域所使用的电加热采暖设备大 都是使用电阻丝(片)或带进行加热，使用这些电阻丝(片)或带加热主要弊病是电能的 转换效率低，因为电阻丝(片)或带在发热的同时还发光(有的电阻丝被封装在装满石英 砂的管内发光外面看不到)，发光部分也是由电能装换过来的，这部分在加热领域是无法利 用的，再者电阻丝(片)或带在加热时是全身发热，在给别的被加热物体加热时只有很少电 热被利用，其它的都传到了空气里。也即本身发热的部分也没有全部利用了。因而效率低 下。近年来出现了用民用电磁灶改装的适合以上领域使用的电磁感应加热设备，有些干脆 就用电磁炉板直接应用了。电磁炉是民用产品，所套用的标准是民用品标准，从电路的设计 到元器件的选用都不能满足工业的需求。这样的应用往往得不偿失。
发明内容针对上述现有技术，本实用新型提供了一种智能超变频磁流子加热装置，其可有 效的代替现有技术中落后的间接加热方式，节约能源，改善生活质量与生产环境。本实用新型是通过以下技术方案实现的—种智能超变频磁流子加热装置，包括机壳及装在其内部的电源转换电路，其中， 机壳外侧面设有供输入与输出的接线端子、外部通讯接口和散热风扇，机壳正面设有指示 系统；所述电源转换电路包括智能主控板、高压主电路、散热装置，智能主控板与高压主电 路由控制信号线连接，高压主电路装设在散热装置上。高压主电路上设有接线端子可以通 过导线与外部的接线端子连接，智能主控板上设有与外部通讯的接口，可以通过信号导线 与外部通讯接口连接。所述智能主控板是由CPU单片机主控器、全桥(半桥)逆变整形驱动系统、过流负 载检测系统、延时启动半控整流系统、启动电压检测系统组成的。这些都是由市售的电阻、 电容等元器件以及单片机厂家生产的适合本实用新型使用的MCU单片机，把他们焊接在一 块PCB电路板上，组成有一定功能的电路。PCB板上有他们之间可以通讯的连接的导线。至 于线路连接原理图属于公知技术，不属于本实用新型申请的范畴，故不再论述。所述高压主电路是由高压主电路板、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT)、整流滤波电容CA、半控整流桥系统以及与电源相匹配的一定电感的 螺旋绕制在铁质材料上的磁流子发生器组成的，其中，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ、绝缘 栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT)、整流滤波电容CA和半控整流桥系统均固定连接在高压主电路 板上。所述补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14、整流滤 波电容CA15、半控整流桥系统16和磁流子发生器19的连接方式有以下四种(1)如图2、图3所示，谐振电容CQ的A端与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT)中的 Q3的E级、Q4的C级用绝缘导线相连，其B端用绝缘导线与输出端子的内端相连接。输出 端子的外端再通过绝缘导线与磁流子发生器的A端连接，磁流子发生器的B端再通过绝缘 导线连接到输出端子的外端，输出端子的内端与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的 E级、Q2的C级用绝缘导线相连。绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql、Q3的C级与半 控整流桥+A端及整流滤波电容CA的A端连接。绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT)中的Q2、 Q4的E级与半控整流桥-A端及整流滤波电容CA的B端连接。半控整流桥的A、B、C与通 过绝缘导线与输入接线端子的内部相连，输入接线端子的外部接380V、50-60Hz的市电。即半控整流桥系统16的进线端与输入输出接线端子10连接，出线端+A与整流 滤波电容CA15的一端、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql与Q3的C级连接，绝缘栅 双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql与Q3的E级又分别与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q2、Q4的C级连接，半控整流桥系统16的出线端-A与整流滤波电容CA15的另一端、绝 缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2、Q4的E级连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Ql、Q2的连接点通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的一端连接，绝缘栅双 极晶体管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q3、Q4的连接点与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ 的一端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ的另一端通过输入输出接线端子10 与磁流子发生器19的另一端连接。(2)如图2、图4所示，谐振电容CQ的A端与补偿电容C1-C4中的Cl的B端、C2 的A端连接，其B端用绝缘导线与输出端子的内端相连接。输出端子的外端再通过绝缘导 线与磁流子发生器的A端连接，磁流子发生器的B端再通过绝缘导线连接到输出端子的外 端，输出端子的内端与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的E级、Q2的C级用绝缘导 线相连。即半控整流桥系统16的进线端与输入输出接线端子10连接，出线端+A与整 流滤波电容CA15的一端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT) 14中的Ql的C级以及补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ13中的Cl的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql的 E级与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2的C级连接，半控整流桥系统16的出线 端-A与整流滤波电容CA15的另一端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q2的E级 以及补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的另一端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容 CQ13中的Cl的另一端与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的一端相连接并连接到 补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ的一端，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的 CQ的另一端通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的一端连接，绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Q1、Q2的连接点通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的另一 端连接。[0015](3)如图2、图5所示，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT)中的Q3的E级、Q4的C级 用绝缘导线与输出端子的内端相连接。输出端子的外端再通过绝缘导线与磁流子发生器的 A端连接，磁流子发生器的B端再通过绝缘导线连接到输出端子的外端，输出端子的内端与 绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的E级、Q2的C级用绝缘导线相连。即半控整流桥系统16的进线端与输入输出接线端子10连接，出线端+A与整流 滤波电容CA15的一端、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql与Q3的C级连接，绝缘栅 双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql与Q3的E级又分别与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q2、Q4的C级连接，半控整流桥系统16的出线端-A与整流滤波电容CA15的另一端、绝 缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2、Q4的E级连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q3、Q4的连接点通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的一端连接，补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ的另一端通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的 另一端连接。(4)如图2、图6所示，补偿电容C1-C4中的Cl的B端、C2的A端用绝缘导线与输 出端子的内端相连接。输出端子的外端再通过绝缘导线与磁流子发生器的A端连接，磁流 子发生器的B端再通过绝缘导线连接到输出端子的外端，输出端子的内端与绝缘栅双极晶 体管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的E级、Q2的C级用绝缘导线相连。即半控整流桥系统16的进线端与输入输出接线端子10连接，出线端+A与整 流滤波电容CA15的一端、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql的C级以及补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ13中的Cl的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql 的E级与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2的C级连接，半控整流桥系统16的出 线端-A与整流滤波电容CA15的另一端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q2的E级 以及补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的另一端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容 CQ13中的Cl的另一端与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的一端相连接并直接通 过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q1、Q2的连接点通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19的另一端连接。所述高压主电路的绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT)、半控整流桥系统的散热基板 与散热装置之间涂抹有一定量的导热硅脂。是为了更有效的降低绝缘栅双极晶体管与半控 整流桥系统的工作温度。所述绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT)、半控整流桥系统的散热基板下部通过螺丝 与散热装置固定连接。 所述散热装置可设置在机壳内，也可设置在机壳外。所述供输入的接线端子可不分相序接380V，50_60Hz市电，零线接零线端子。供输 出的接线端子接用户的负载，负载是与电源相匹配的一定电感的螺旋绕制在铁质材料上的 磁流子发生器。所述外部通讯接口为用户提供可供外部操作的开关接口，可与温控、时控等控制 装置衔接。本实用新型的智能超变频磁流子加热装置是一种结构合理，可以通过调整绝缘栅 双极晶体管Q1-Q4 (IGBT)为全桥或半桥，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ的容量的大小与磁 流子发生器的电感量的大小及匝数的多少来调整功率的电源。[0025]本实用新型利用最先进的智能数字单片机CPU控制方式替代了原来的模拟控制 方式，使控制电路更简单更人性化。能把现有生产与生活中的间接加热传导方式改为直 接加热方式。如部分用煤、油、气加热的设备、用电阻片、电阻丝加热的设备等，使用本技术 可有效提高热能的利用率，如在塑料、电缆加工与管道加热等领域，热能的利用率可提高 30-75%，在民用的采暖、洗浴、饮水等生活中热能的利用率可提高10-30%。本实用新型结 构合理，新颖独特，电能的转换效率高，用户使用加热效果非常好。
图1为本实用新型的外部结构示意图；图2为本实用新型的内部剖视图；图3为本实用新型的高压主电路图与智能主控板结构方块图(实施例1)；图4为本实用新型的高压主电路图与智能主控板结构方块图(实施例2)；图5为本实用新型的高压主电路图与智能主控板结构方块图(实施例3)；图6为本实用新型的高压主电路图与智能主控板结构方块图(实施例4)。其中，1、智能主控板；2、CPU单片机主控器；3、全桥(半桥)逆变整形驱动系统；4、 过流负载检测系统；5、高压主电路板；6、延时启动半控整流系统；7、启动电压检测系统；8、 机壳；9、外部通讯接口 ；10、输入、输出接线端子；11、散热风扇；12、指示系统；13、补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ ； 14、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) ； 15、高频无极滤波电容CA ； 16、 半控整流桥系统；17、散热装置；18、绝缘支架；19、磁流子发生器。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步的说明实施例1 一种智能超变频磁流子加热装置一种智能超变频磁流子加热装置包括机壳8及装在其内部的电源转换电路，，如 图1、图2、图3所示，其中，机壳8外侧面有供输入与输出的接线端子10、外部通讯接口 9、 散热风扇11，机壳8正面有指示系统12。所述电源转换电路包括智能主控板1、高压主电路、散热装置17，其中，智能主控 板1与高压主电路由控制信号线连接，高压主电路装设在散热装置17上，高压主电路上设 有接线端子可以通过导线与外部的接线端子10连接，智能主控板上设有与外部通讯的接 口，可以通过信号导线与外部通讯接口 9连接。所述智能主控板1是由CPU单片机主控器2、全桥(半桥)逆变整形驱动系统3、 过流负载检测系统4、延时启动半控整流系统6、启动电压检测系统7组成的。所述高压主电路是由高压主电路板5、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13、绝缘栅双 极晶体管Q1_Q4(IGBT)14、整流滤波电容CA15、半控整流桥系统16以及与电源相匹配的一 定电感的螺旋绕制在铁质材料上的感应线圈19组成的，其中，补偿电容C1-C2与谐振电容 CQ13、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT) 14、整流滤波电容CA15和半控整流桥系统16均固定 连接在高压主电路板5上。所述的半控整流桥系统16、整流滤波电容CA15、绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4(IGBT)14、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13、磁流子发生器19，它们的连接方式是半控整流桥系统16的进线端A、B、C分别于与输入、输出接线端子10相应端子连接，出线端 +A与整流滤波电容CA15的A端、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql与Q3的C级相 连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql与Q3的E级又分别与绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Q2、Q4的C级相连接，半控整流桥系统16的出线端-A与整流滤波电 容CA15的B端、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2、Q4的E级相连接，绝缘栅双极 晶体管Q1-Q4(IGBT) 14中的Q1、Q2的连接点通过输入输出接线端子10与磁流子发生器19 的B端连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q3、Q4的连接点与补偿电容C1-C2与 谐振电容CQ13中的CQ的A端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ的B端通过输 入、输出接线端子10与磁流子发生器19的A连接。在绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14、 半控整流桥系统16的散热基板下部用螺丝与散热装置17固定。在绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4(IGBT)14、半控整流桥系统16的散热基板与散热装置17之间涂抹一定量的导热硅 脂。所述智能主控板的工作控制方式是CPU单片机主控器2接收到由外部通讯端口 传来的开机信号后，由启动电压检测系统7检测高压主电路有无高压电压存在，如果有则 会打开启动电压检测系统7内部的放电电路进行放电。如果无高压存在则首先输出试探性 的PWM到全桥(半桥)逆变整形驱动系统3，使绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14试探性工 作，同时过流负载检测系统4检测反馈绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14是否有损坏，如有 则终止PWM输出，指示系统12发出报警信号。如检测一切正常，则首先正常输出PWM使绝 缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT) 14正常工作，再启动延时启动半控整流系统6使半控整流桥 系统16正常工作，至此完成了控制系统的开机与开机前的检测保护程序。在运行中过流负 载检测系统4与启动电压检测系统7不断检测负载的运行状态并将数据传回CPU单片机主 控器2中，CPU单片机主控器2将检测的数据与自身内部的最理想的数据进行比较，然后输 出与运行负载相适宜的最优化的PWM。如果检测回来的数据与自身内部的理想数据相差太 远则启动保护电路，切断延时启动半控整流系统6与全桥(半桥)逆变整形驱动系统3并 在指示系统12输出报警信号。所述高压主电路组成工作方式是市电380V经接线端子10过导线到半控整流 桥系统16，整流成脉动的直流电经过高频无极滤波电容CA15滤波后到达绝缘栅双极晶体 管Q1-Q4 (IGBT) 14，经绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14逆变成频率为超音频范围的电压 与电流经补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13后通过接线端子10连接到有一定电感的螺旋 绕制的磁流子发生器19上使其周围生成磁流子，使至于其中的铁质材料自身产生热量达 到加热的目的。所说的半控整流桥系统16只起到开关作用而不进行移向调功。调功部分 由绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT) 14、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13与磁流子发生器 19以及磁流子发生器19中的铁质材料决定。因此可方便的通过改变绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Q1-Q4的容量、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ的容量与磁 流子发生器19的电感大小来调整本实用新型的工作频率与功率。实施例2 —种智能超变频磁流子加热装置如图1、图2、图4所示，其结构与实施例1中的一致，唯一不同之处为半控整流 桥系统16的出线端+A与整流滤波电容CA15的A端、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中 的Ql的C级、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的Cl的A端连接。半控整流桥系统16的出线端-A与整流滤波电容CA15的B端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q2的E 级以及补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的B端连接。补偿电容C1-C2与谐振电容 CQ13中的Cl的B端与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的A端相连接并连接到补 偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的CQ的A端。功率调整可以通过调整绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql、Q2的容量、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中Cl、C2、CQ的容量 更好的与磁流子发生器19相匹配，以期得到更好的加热效果，满足不同负载不同加热的需 求。提高电能的转换利用率。为低碳生活、生产创造条件。实施例3 —种智能超变频磁流子加热装置如图1、图2、图5所示，其结构与实施例1中的一致，唯一不同之处为绝缘栅双极 晶体管Q1-Q4(IGBT) 14中的Q3、Q4的连接点直接通过导线、输入输出接线端子10与磁流 子发生器19的A端连接。功率调整可以通过调整绝缘栅双极晶体管Q1-Q4 (IGBT) 14中的 Q1-Q4的容量更好的与磁流子发生器19相匹配，以期得到更好的加热效果，满足不同负载 不同加热的需求。提高电能的转换利用率。为低碳生活、生产创造条件。实施例4 一种智能超变频磁流子加热装置如图1、图2、图6所示，其结构与实施例2中的一致，唯一不同之处为补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ13中的Cl的B端与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ13中的C2的A端 相连接并直接通过导线、输入、输出接线端子10与磁流子发生器19的A端连接。功率调整 可以通过调整绝缘栅双极晶体管Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql、Q2的容量、补偿电容C1-C2与谐 振电容CQ13中的Cl、C2的容量更好的与磁流子发生器19相匹配，以期得到更好的加热效 果，满足不同负载不同加热的需求。提高电能的转换利用率。为低碳生活、生产创造条件。
权利要求一种智能超变频磁流子加热装置，包括机壳(8)及装在其内部的电源转换电路，其特征在于所述机壳外侧面设有供输入与输出的接线端子(10)、外部通讯接口(9)和散热风扇(11)，机壳正面设有有指示系统(12)；所述电源转换电路包括智能主控板(1)、高压主电路、散热装置(17)，智能主控板(1)与高压主电路由控制信号线连接，高压主电路装设在散热装置(17)上，高压主电路通过导线与输入输出接线端子(10)连接，智能主控板(1)通过信号导线与外部通讯接口(9)连接。
2.根据权利要求1所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述智能主 控板(1)是由CPU单片机主控器(2)、全桥半桥逆变整形驱动系统(3)、过流负载检测系统 (4)、延时启动半控整流系统(6)、启动电压检测系统(7)组成的。
3.根据权利要求1所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述高压 主电路是由高压主电路板(5)、补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)、绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4IGBT(14)、整流滤波电容CA(15)、半控整流桥系统(16)以及磁流子发生器(19)组成 的，其中，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)、绝缘栅双极晶体管Q1-Q4IGBT(14)、整流滤波 电容CA(15)和半控整流桥系统(16)均固定连接在高压主电路板(5)上。
4.根据权利要求3所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述补偿电 容C1-C2与谐振电容CQ (13)、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)、整流滤波电容CA (15)、半 控整流桥系统(16)和磁流子发生器(19)的连接方式是半控整流桥系统(16)的进线端与 输入输出接线端子(10)连接，出线端+A与整流滤波电容CA(15)的一端、绝缘栅双极晶体 管Q1-Q4IGBT(14)中的Ql与Q3的C级连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4IGBT (14)中的Ql与 Q3的E级又分别与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4IGBT(14)中的Q2、Q4的C级连接，半控整流桥系 统(16)的出线端-A与整流滤波电容CA(15)的另一端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q2、Q4的E级连接，绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Q1、Q2的连接点通过输入 输出接线端子(10)与磁流子发生器(19)的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q3、Q4的连接点与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)中的CQ的一端连接，补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ(13)中的CQ的另一端通过输入输出接线端子(10)与磁流子发生器 (19)的另一端连接。
5.根据权利要求3所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述补偿电 容C1-C2与谐振电容CQ(13)、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)、整流滤波电容CA(15)、 半控整流桥系统(16)和磁流子发生器(19)的连接方式是半控整流桥系统(16)的进 线端与输入输出接线端子(10)连接，出线端+A与整流滤波电容CA(15)的一端、绝缘栅 双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Ql的C级以及补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)中的 Cl的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Ql的E级与绝缘栅双极晶体管 Q1-Q4IGBT(14)中的Q2的C级连接，半控整流桥系统(16)的出线端-A与整流滤波电容 CA(15)的另一端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Q2的E级以及补偿电容C1-C2 与谐振电容CQ(13)中的C2的另一端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)中的Cl 的另一端与补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)中的C2的一端相连接并连接到补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ (13)中的CQ的一端，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ (13)中的CQ的 另一端通过输入输出接线端子(10)与磁流子发生器(19)的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4IGBT(14)中的Q1、Q2的连接点通过输入输出接线端子(10)与磁流子发生器(19)的另一端连接。
6.根据权利要求3所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述补偿电 容C1-C2与谐振电容CQ (13)、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)、整流滤波电容CA (15)、半 控整流桥系统(16)和磁流子发生器(19)的连接方式是半控整流桥系统(16)的进线端与 输入输出接线端子(10)连接，出线端+A与整流滤波电容CA(15)的一端、绝缘栅双极晶体 管Q1-Q4IGBT(14)中的Ql与Q3的C级连接，绝缘栅双极晶体管Q1-Q4IGBT (14)中的Ql与 Q3的E级又分别与绝缘栅双极晶体管Q1-Q4IGBT(14)中的Q2、Q4的C级连接，半控整流桥系 统(16)的出线端-A与整流滤波电容CA(15)的另一端、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q2、Q4的E级连接，绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Q3、Q4的连接点通过输入 输出接线端子(10)与磁流子发生器(19)的一端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13) 中的CQ的另一端通过输入输出接线端子(10)与磁流子发生器(19)的另一端连接。
7.根据权利要求3所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述补偿电 容C1-C2与谐振电容CQ (13)、绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)、整流滤波电容CA (15)、半 控整流桥系统(16)和磁流子发生器(19)的连接方式是半控整流桥系统(16)的进线端与 输入输出接线端子(10)连接，出线端+A与整流滤波电容CA(15)的一端、绝缘栅双极晶体 管Q1-Q4IGBT(14)中的Ql的C级以及补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)中的Cl的一端连 接，绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Ql的E级与绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q2的C级连接，半控整流桥系统(16)的出线端-A与整流滤波电容CA(15)的另一端、 绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Q2的E级以及补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13) 中的C2的另一端连接，补偿电容C1-C2与谐振电容CQ(13)中的Cl的另一端与补偿电容 C1-C2与谐振电容CQ(13)中的C2的一端相连接并直接通过输入输出接线端子(10)与磁流 子发生器(19)的一端连接，绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)中的Q1、Q2的连接点通过输 入输出接线端子(10)与磁流子发生器(19)的另一端连接。
8.根据权利要求3所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述高压主 电路的绝缘栅双极晶体管Q1_Q4IGBT(14)、半控整流桥系统(16)的散热基板与散热装置 (17)之间涂抹有导热硅脂。
9.根据权利要求3所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述绝缘栅 双极晶体管Q1-Q4IGBT(14)、半控整流桥系统(16)的散热基板下部通过螺丝与散热装置 (17)固定连接。
10.根据权利要求1所述的一种智能超变频磁流子加热装置，其特征在于所述散热装 置(17)设在机壳内或外。
专利摘要本实用新型公开了一种智能超变频磁流子加热装置，包括机壳及装在其内部的电源转换电路，其中，机壳外侧面设有供输入与输出的接线端子、外部通讯接口和散热风扇，机壳正面设有指示系统；所述电源转换电路包括智能主控板、高压主电路、散热装置，智能主控板与高压主电路由控制信号线连接，高压主电路装设在散热装置上。本实用新型利用最先进的智能数字单片机CPU控制方式替代了原来的模拟控制方式，使控制电路更简单更人性化。能把现有生产与生活中的间接加热传导方式改为直接加热方式。本实用新型结构合理，新颖独特，电能的转换效率高，用户使用加热效果非常好。
文档编号H05B6/04GK201682642SQ20092029099
公开日2010年12月22日 申请日期2009年12月29日 优先权日2009年12月29日
发明者俞正峰, 高宝爱 申请人:高宝爱;俞正峰