专利名称：多灯丝宽束电子帘的制作方法
技术领域：
本发明涉及辐射加工与核技术加速器，尤其涉及多灯丝宽束电子帘。
背景技术：
能量为80_300keV，宽度为20-350cm的电子帘被广泛地应用于辐射加工领域，例如表面涂层固化，通过在辐射时产生的交联或裂解反应生成特殊性能的新型材料和元器件，工业烟气脱硫，辐射消毒等。辐射加工具有节能，经济效益高，对环境无污染等优点。用电子帘进行辐射加工，尽管在国外自上世纪八十年代后有一个迅猛的发展，但在国内此领域尚未广泛开展，其市场尚十分宽阔。该领域发展的关键就是要研发一台性能好，性价比高，稳定可靠，能提供各种宽度的电子帘。电子帘尽管在国内已有若干研究所或公司进行仿制或与国外合作研制，但尚无具有自主知识产权的多灯丝宽束电子帘。
发明内容
本发明针对现有技术中辐射区束的均勻度无法保证，提供了一种能提供很高的电流密度和很宽的束宽，以适应各种应用领域要求的多灯丝电子帘。为了解决上述技术问题，本发明通过下述技术方案得以解决
阴极工作模式的选择时，为保证辐射区束的均勻度，首先必须保证每个电子枪引出的电流要一致。本电子帘的电子枪是由多根线形热灯丝和引出栅并联构成。第一栅极是包围灯丝的同轴圆筒。阴极和栅极的设计是整个加速器的关键。为保证每个电子枪引出的电流一致，首先要合理选择阴极的工作模式。阴极有两种工作模式可供选择
a.发射限制流发射限制流由阴极温度决定。所有的热电子发射都满足以下公式
权利要求
1.多灯丝宽束电子帘，包括控制系统、供电系统(1)、水冷系统、供氮系统与真空系统 (2)，其特征在于所述的供电系统(1)包括高压电源(11)、头部电源(12)与隔离变压器 (13)，头部电源(12)通过高压引入线(14)与高压陶瓷(15)连接，真空系统(2)包括电子枪 (23)、外筒体(29)、2-150个灯丝(21 )，电子枪(23)与外筒体(29)之间为真空腔(20)，电子枪(23)的下侧设有平板形的第二栅极(24)，第二栅极(24)上设有第二栅孔(241)，第二栅极(24)正下方设有钛箔(26)与加速极(25)，钛箔(26)上设置2-600个相互平行的冷却铜栅格(27)。
2.根据权利要求1所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的灯丝(21)长度为 3-15cm，灯丝(21)外设有圆筒形的第一栅极(22)，第一栅极(22)的端部设置有拉紧弹簧， 灯丝(21)与第一栅极(22)距离的公差为士 1mm，第一栅极(22)的下侧半张角为30-120° 范围内设有电子束通过的第一栅孔(221)，电源的正极与灯丝(21) —端相连，电源的负极与灯丝(21)的另端相连。
3.根据权利要求2所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的第一栅极(22)的直径为l-4cm，第一栅极(22)与第二栅极(24)之间的间距为l_600mm。
4.根据权利要求2所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的第二栅孔(241)为直径为2. 5-6mm的圆形开孔。
5.根据权利要求2所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的第二栅孔(241)为宽度在2. 5-5mm，长度为10_200mm的范围内的长方形开孔。
6.根据权利要求1所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于选择阴极工作模式，并采用空间电荷限制流状态与发射限制流，外筒体(29)上还设置有剂量监测系统(28)，剂量监测系统(28)为检测电子流的测量靶。
7.根据权利要求1所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的冷却铜栅格(27)为平直的或弧形，冷却铜栅格(27)的高度为5-50mm，宽度为0. 6_2mm，相邻冷却铜栅格(27)之间的距离为0. 5-7mm，冷却铜栅格(27)为水冷铜栅，并且通过向钛箔(26)吹气体的方式来冷却钛箔(26)。
8.根据权利要求1所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的钛箔(26)为镀铝的铍箔，钛箔(26)的厚度为5-40 μ m，宽度为2_35cm。
9.根据权利要求1所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的灯丝(21)和第一栅极(22)相对于第二栅极(24)向电源的负极方向偏离5-150mm，灯丝(21)、第一栅极(22)、第二栅极(24)相对于钛箔(26)向电源的负极方向偏离5-350mm。
10.根据权利要求1所述的多灯丝宽束电子帘，其特征在于所述的加速极(25)采用单间隙加速电子，间隙的范围为3-60cm。
全文摘要
本发明涉及辐射加工与核技术加速器，公开了多灯丝宽束电子帘，包括控制系统、供电系统、水冷系统、供氮系统与真空系统，供电系统包括高压电源、头部电源与隔离变压器，头部电源通过高压引入线与高压陶瓷连接，真空系统包括电子枪、外筒体、灯丝，电子枪与外筒体之间为真空腔，电子枪的下侧设有平板形的第二栅极，第二栅极上设有第二栅孔，第二栅极正下方设有钛箔与加速极，钛箔上设置冷却铜栅格。本发明通过合理安排灯丝的密度克服钛箔散射引起的端部束流分布不均匀性，在第二栅极设置第二栅孔，减少钛箔铜栅上的截束，外屏蔽罩上还设置分布靶，可以实时监测束流分布大大提高整个加速器的性能。
文档编号H05H7/06GK102196655SQ20101012222
公开日2011年9月21日 申请日期2010年3月11日 优先权日2010年3月11日
发明者张华顺 申请人:嘉兴兆泓科技有限公司