专利名称：高频线路基板及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高频线路基板及其制作方法。
背景技术：
目前，线路板(PCB)普遍运用于各制造领域，是电子产品必不可少的重要组件之 一，随着电子技术的不断进步，电子信息产品不断向高频化、高速化的方向发展，传统的线 路基板逐渐被高速化、高可靠性的高频线路基板替代，近几年，聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔层 压基板因其低介电、低介质损耗、低吸水率、使用温度广等优良的特性在高频线路基板中得 到广泛的运用，但因聚四氟乙烯树脂(PTFE)其分子外有一层惰性的含氟外壳，使它具有突 出的不粘性能，导致与铜箔粘结力差、剥离强度低，从而影响线路板的使用效果，在使用过 程中，线路容易脱落或断裂，严重影响线路板的使用功能，这一直是困绕这种基板生产的一 个关键性能指标。综上所述，现有的高频线路基板存在剥离强度低、线路容易脱落或断裂的技术缺 陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种剥离强度高、线路 不易脱落或断裂的高频线路基板，本发明的另一个目的是提供一种所述高频线路基板的制 作方法。本发明所述高频线路基板所采用的技术方案是所述高频线路基板包括铜箔、绝 缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述铜箔的下方，所述绝缘介质层包括若干浸胶布及若 干层纯PTFE薄膜，所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最上层 为浸胶布，所述铜箔与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接。进一步，所述铜箔包括光亮面I和粗糙面I，所述铜箔的光亮面I朝下，所述绝缘介 质层最上层的所述浸胶布与所述铜箔的光亮面I相粘接，在满足剥离强度要求的前提下， 将所述铜箔的光亮面I与绝缘介质层接触，可使信号在线路传送过程中，不会因铜箔的粗 糙面的粗糙不平造成信号传递不均勻，从而改善无源互调等性能指标。所述高频线路板还包括下层铜箔，所述绝缘介质层的最底层为浸胶布，所述下层 铜箔与所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布相粘接，从而作为双面铜箔的高频线路基板， 满足不同使用要求。所述下层铜箔包括光亮面II和粗糙面II，所述下层铜箔的光亮面II朝上，所述绝 缘介质层最底层的所述浸胶布与所述下层铜箔的光亮面II相粘接。本发明所述高频线路基板的制作方法所采用的技术方案是本发明所述高频线路 基板的制作方法包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述 浸胶布；
B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺 序进行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，粘接、垫层若干层所述浸胶布及 所述纯PTFE薄膜后，使所述绝缘介质层达到所需厚度，即制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，并进行层压，从而制得高频线路基板。优化地，所述步骤B)中，以浸胶布作为绝缘介质层的最底层；所述步骤C)中，在绝 缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔，然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔， 再进行层压，制得双面铜箔的高频线路基板。本发明的有益效果是本发明中，所述绝缘介质层包括若干浸胶布及若干层纯 PTFE薄膜，所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最上层为浸胶 布，所述铜箔与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接，通过预浸渍PTFE树脂的玻璃 纤维布即所述浸胶布与纯PTFE薄膜垫层，再覆设铜箔进行层压而制成的高频线路基板，可 增强铜箔与介质间的剥离强度，线路不易脱落或断裂，提高了作为线路的铜箔与绝缘介质 层的粘结强度，防止铜箔与绝缘介质层产生脱离，确保高频信号传输的稳定性，大大延长线 路板的使用寿命。在同等参数和同等条件下，进行剥离强度的检测，本发明所述高频线路基板的剥 离强度可达25N/Cm2以上，比普通基板的剥离强度(要求15N/Cm2以上)提高了 60%;常规 的高频线路基板均采用铜箔的粗糙面与绝缘介质层接触，从而提高线路基板的剥离强度， 但其弊端是容易导致信号传递不均勻，传输效果较差，而本发明所述高频线路基板的剥离 强度与普通线路基板相比提高了 60%以上，因此，可实现反向设置铜箔，使铜箔的光亮面与 绝缘介质层接触、粘接，其粘结强度仍能达到标准规定的要求(剥离强度15N/Cm2以上)， 从而可以实现信号在线路传送过程中，不会因铜箔的粗糙面的粗糙不平造成信号传递不均 勻，有效改善无源互调等性能指标。
图1是本发明实施例一的结构剖示图；图2是本发明实施例二的结构剖示图；图3是本发明的高频线路基板剥离强度测试图。
具体实施例方式实施例一如图1所示，本实施例为单面铜箔的高频线路基板，本实施例的高频线路基极包 括铜箔1、绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述铜箔1的下方，所述绝缘介质层包括若 干层浸胶布21和若干层纯PTFE薄膜22，所述浸胶布21与所述纯PTFE薄膜22相间隔并粘 接，所述绝缘介质层的最上层为浸胶布21，所述铜箔1与所述绝缘介质层最上层的所述浸 胶布21相粘接，所述铜箔1包括光亮面I和粗糙面I，所述铜箔1的光亮面I朝下，所述绝 缘介质层最上层的所述浸胶布21与所述铜箔1的光亮面I相粘接。本实施例所述高频线路基板的制作方法包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述浸胶布；B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺 序进行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，粘接、垫层若干层所述浸胶布及 所述纯PTFE薄膜后，达到所需厚度，从而制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，并进行层压，从而制得单面铜箔的高频线路基板。实施例二 如图2所示，本实施例为双面铜箔的高频线路基板，与实施例一相比，本实施例还 包括下层铜箔3，所述绝缘介质层的最底层为浸胶布21，所述下层铜箔3与所述绝缘介质层 最底层的所述浸胶布21相粘接；所述下层铜箔3包括光亮面II和粗糙面II，所述下层铜 箔3的光亮面II朝上，所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布21与所述下层铜箔3的光亮 面II相粘接。本实施例所述高频线路基板的制作方法包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述 浸胶布；B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的 顺序进行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，并以所述浸胶布作为绝缘介质 层，若干层所述浸胶布与所述纯PTFE粘接、垫层达到所需厚度，即制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔，再进行层压，制得双面 铜箔的高频线路基板。本实施例的其他特征与实施例一一致。现有技术中，采用纯聚四氟乙烯薄膜与铜箔粘接形成线路基板，其剥离强度低，而 本发明用玻璃纤维布浸渍PTFE树脂制得的浸胶布21与纯PTFE薄膜22相间隔粘接形成绝 缘介质层，再与铜箔1粘接、层压，从而使剥离强度显著增大，现有纯聚四氟乙烯薄膜与铜 箔进行剥离破坏试验时，剥离的方向沿纵向线性方向，且应力比较集中，因此其粘结强度较 低导致剥离强度不高，而本发明的高频线路基板加入玻璃纤维布浸渍PTFE树脂形成的浸 胶布21后，绝缘介质层的材料界面层增多，界面层起着传递应力、减缓应力集中、阻止铜箔 1与绝缘介质层剥离的作用，纵向与横向都有纤维传递应力，剥离的方向是形成网络状发展 而不是只沿纵向线性方向，有利于能量的消耗和阻止剥离的继续发展，宏观上体现所述绝 缘材料与所述铜箔1的剥离强度增大。在高频线路基板层压前，为了确保所述铜箔与浸胶布接触以增强基板的剥离强 度，垫层时需按如下顺序进行(以本实施例的双面铜箔为例)第一层铜箔1
第二层浸胶布21
第二层纯PTFE薄膜22
第四层浸胶布21
第五层纯PTFE薄膜22
..倒数第二层浸胶布21最底层下层铜箔3所述铜箔1及下层铜箔3都与所述浸胶布21直接接触，从而增强了铜箔与绝缘介 质层的剥离强度。效果验证在同等参数和同等条件下，进行剥离强度的检测，本发明所述高频线路基板的剥 离强度可达25N/Cm2以上，比普通基板的剥离强度(要求15N/Cm2以上)提高了 60%;因此， 本发明所述高频线路基板可实现反向设置铜箔，使铜箔的光亮面与绝缘介质层接触、粘接， 其粘结强度仍能达到标准规定的要求(剥离强度15N/Cm2以上)，从而在满足剥离强度要求 的前提下，可实现信号在线路传送过程中，不会因铜箔的粗糙面的粗糙不平造成信号传递 不均勻，有效改善无源互调等性能指标。剥离强度测试报告(表1) 从图3所示高频线路基板剥离强度测试图及表1显示的测试数据中可以看出，在 25mm长度剥离过程中，最小剥离拉力为23. 03N，最大剥离拉力达到34. 22N，平均值在30N， 远远大于标准中要求的15N以上。本发明可广泛应用于高频线路基板及其制作领域。
权利要求
一种高频线路基板，其特征在于它包括铜箔(1)、绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述铜箔(1)的下方，所述绝缘介质层包括若干层浸胶布(21)及若干层纯PTFE薄膜(22)，所述浸胶布(21)与所述纯PTFE薄膜(22)相间隔并粘接，所述绝缘介质层的最上层为浸胶布(21)，所述铜箔(1)与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布(21)相粘接。
2.根据权利要求1所述的高频线路基板，其特征在于所述铜箔(1)包括光亮面I和 粗糙面I，所述铜箔(1)的光亮面I朝下，所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布与所述铜箔 (1)的光亮面I相粘接。
3.根据权利要求1或2所述的高频线路基板，其特征在于所述高频线路板还包括下 层铜箔(3)，所述绝缘介质层的最底层为浸胶布(21)，所述下层铜箔(3)与所述绝缘介质层 最底层的所述浸胶布(21)相粘接。
4.根据权利要求3所述的高频线路基板，其特征在于所述下层铜箔(3)包括光亮面 II和粗糙面II，所述下层铜箔(3)的光亮面II朝上，所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布 (21)与所述下层铜箔(3)的光亮面II相粘接。
5.一种权利要求1所述高频线路基板的制作方法，其特征在于包括以下步骤A)、制取浸胶布取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍，预浸渍后制得所述浸胶布；B)、制取绝缘介质层取上一步骤制得的所述浸胶布与电PTFE薄膜以相间隔的顺序进 行粘接、垫层，以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层，粘接、垫层若干层所述浸胶布及所述 纯PTFE薄膜后，制得绝缘介质层C)、制取高频线路基板取上一步骤制得的绝缘介质层，在所述绝缘介质层首层的浸胶 布上覆设铜箔，并进行层压，从而制得高频线路基板。
6.根据权利要求5所述的高频线路基板的制作方法，其特征在于所述步骤B)中，以 所述浸胶布作为绝缘介质层的最底层；所述步骤C)中，在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设 铜箔，然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔，再进行层压，制得双面铜箔的高 频线路基板。
全文摘要
本发明公开了一种高频线路基板及其制作方法，旨在提供一种剥离强度高、线路不易脱落或断裂的高频线路基板及其制作方法。所述高频线路基板包括铜箔(1)和设置在所述铜箔(1)下方的绝缘介质层，绝缘介质层包括若干层浸胶布(21)及若干层纯PTFE薄膜(22)，浸胶布(21)与纯PTFE薄膜(22)相间隔并粘接，绝缘介质层的最上层为浸胶布(21)，铜箔(1)与绝缘介质层最上层的浸胶布(21)相粘接，所述高频线路基板的制作方法利用玻璃纤维布浸渍PTFE树脂制得的浸胶布与纯PTFE薄膜相间隔、粘接，制得绝缘介质层，在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔，层压制得高频线路基板。本发明可广泛应用于高频线路基板及其制作领域。
文档编号H05K3/38GK101868118SQ20101019112
公开日2010年10月20日 申请日期2010年5月28日 优先权日2010年5月28日
发明者刘庆辉, 李勋山, 葛凯 申请人:珠海国能电力科技发展有限公司