专利名称：单晶炉保温盖板边口的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于直拉硅单晶炉的保温设备，特别是涉及一种单晶炉的保温盖板边口。
技术背景硅单晶的大部分用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中，多晶硅被装进石英坩埚，加热熔化，然后，将熔硅略作降温，给予一定的过冷度，把一只特定晶向的硅单晶体(籽晶)与熔体硅接触，通过调整熔体的温度和籽晶向上提升的速度，使籽晶缩颈排除位错后长大至目标直径时，提高提升速度，使单晶体恒直径生长。在生长过程的尾期，此时埚内的硅熔体尚未完全消失，通过增加晶体的提升速度和调节向埚的供热量将晶体直径逐渐减小而形成一个尾形锥体，当锥体的尖足足够小时，晶体就会与熔体脱离，从而完成晶体的生长过程。直径硅单晶在制造时大致分为这么几个阶段装多晶料、抽空、多晶硅熔化、 晶和肩的生长、等直径生长、尾部晶体生长、晶体冷却，其中大部分过程是吸热过程，也就是说外部供给热量。单晶炉中一般有一个主发热体(石墨制)，在其两端通上直流电，产生热量。已有的主发热体由多片组成，使用时，使用时将各片围成圆型(与石英坩埚配合)。每片呈波浪状，波浪状的两个端部带有电极，电极接直流电源，根据炉子所需功率大小，考虑各片之间的电路的串、并联连接方式。所述的每片波浪状转弯处的内壁和外壁均呈直角。发热体处在吸热体的外面，也就是说，热量是由外向内传导(径向)。随着硅单晶直径的加大， 单晶炉热场的尺寸变得越来越大，相对应的，发热体的尺寸变大，重量增加了，在运输和使用过程中损坏它的可能性也增加了。北京有色金属研究院和有研半导体材料股份有限公司联合实用新型的“一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体”(专利号ZL200720169560. 5)， 该实用新型提供一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体。该主发热体由石墨制成，它用在一种名为切克劳斯基(或直拉)法制造的硅单晶生长制备中，用于供给维持热场用的热量。 本发热体呈波浪状，在波浪转弯处的外壁做成直边倒角，直边与发热体轴线的倾角为10 80度或者波浪转弯处的外壁做成圆弧倒角，其波浪波浪转弯处的内壁为圆弧倒角。该实用新型中提供的主发热体，可以减轻它的自重和延长它的使用寿命，但是，不能解决能耗高和热场等问题。
发明内容本实用新型主要将下保温盖板进行改造，在盖板等于上保温罩外径处设计一个向下的槽口，可以将下保温罩边口都罩住，接口处严密。本实用新型所设计的保温盖板，能够解决原保温盖板不严密，氧化物溢出的缺点， 有助于改善气流方向，提高保温效果，减少氧化物的污染。本实用新型主要将下保温盖板进行改造，在盖板等于上保温罩外径处设计一个向下的槽口，可以将下保温罩边口都罩住，接口处严密。这样的设计可以改变原来下保温盖板与上保温罩接口处不严密，在晶体生长过程中有气流从缝隙处溢出，导致炉内气流不稳，热量丧失，同时由于气流中有硅氧化物，会对炉体造成污染，影响成晶和炉体清洁。本实用新型技术使炉内气流稳定，更加保温，功率有所下降；同时由于气流沿上保温罩下来，将不在污染上保温罩碳毡，有利于清洁。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。附图1本实用新型结构示意图的主剖视图；附图2为传统硅单晶炉上下保温盖、上保温罩相对联接结构示意图；附图3为本实用新型硅单晶炉上下保温盖、上保温罩相对联接结构示意图；附图中1是上保温罩、2是下保温盖板、2-1是向下改进的凹槽、3是导流筒、石4是英坩埚、5是石墨坩埚、6是晶棒、7是籽晶、8是重锤及籽晶夹头。
具体实施方式
本设计主要包括上保温罩(1)，下保温盖板(2)，在下保温盖板等于上保温罩外径处设计一个向下的凹槽0-1)，将上保温罩(1)套住，接口严密。晶棒(6)成晶过程中，气流通过导流筒(3)，经过液面后沿石英坩埚(4)内壁向上，一部分沿石墨坩埚( 外侧向下，一部分经过下保温盖( 下表面后沿上保温罩(1)内壁向下。这样下保温盖板( 与上保温罩(1)联接更严密，氧化物无法溢出，改善了气流方向，提高保温效果，减少氧化物的污染。
权利要求1. 一种单晶炉的保温盖板边口，由保温罩、下保温盖板等组成，其特征在于在盖板等于上保温罩外径处设计一个向下的槽口。
专利摘要本实用新型涉及一种单晶炉的保温盖板边口，主要将下保温盖板进行改造，在盖板等于上保温罩外径处设计一个向下的槽口，可以将下保温罩边口都罩住，接口处严密，使炉内气流稳定，更加保温，功率有所下降；同时由于气流沿上保温罩下来，将不在污染上保温罩碳毡，有利于清洁。
文档编号C30B15/00GK201933194SQ201020557169
公开日2011年8月17日 申请日期2010年10月9日 优先权日2010年10月9日
发明者殷国庆 申请人:常州益鑫新能源科技有限公司