专利名称：一种宝石的单晶体生长监控装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及温度监控装置领域，尤其涉及一种宝石的单晶体生长监控装置。
技术背景追求高纯净，晶体完整性好，低成本的蓝宝石晶体一直是科研人员的主要研究方 向。由于导模法具有晶体生长速度快，尺寸可以精确控制，简化了晶体的加工程序，大大降 低了晶体加工难度，节省了材料、时间和能源，降低生产成本，提高经济效益，是人工蓝宝石 当前最主要的生长方法。但在传统的生长方法是利用人工观察调整功率进行控制生长，对 人员技术水平要求较高，温度控制精度差影响结晶界面的稳定影响晶体的完整性，产品质 量一致性差从而限制了工业化、标准化、规模化生产。因此温度控制对于宝石加工至关重要，本实用新型采用红外测温仪，对于精确的 红外测温仪通常精度都是1度以内，用红外测温仪，可快速探测操作温度的微小变化，在其 萌芽之时就可将温度问题解决
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种宝石的单晶体生长监控装置，有效地解决了传统的 人工观察调整功率进行控制生长的方法，对温度控制的稳定性较差的问题。本实用新型的技术方案如下一种宝石的单晶体生长监控装置，包括拉晶机、温场，所述的拉晶机外壁设有视 窗，所述的拉晶机内安装有温场，所述的温场内设有坩埚，其特征在于所述的拉晶机斜上 方安装有一端对准视窗内坩埚的测温仪，所述的测温仪一侧连接温度控制系统。所述的宝石的单晶体生长监控装置，其特征在于所述的温度控制系统一侧连接 有电源，所述的测温仪、温度控制系统、电源之间设有接线，所述的测温仪为红外测温仪。本实用新型的优点是本实用新型的结构简单，采用红外测温仪对拉晶机内的温场的温度进行精确的控 制，有效的保证了结晶界面的稳定性和晶体的完整性。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
一种宝石的单晶体生长监控装置，包括拉晶机1、温场2，拉晶机1外壁设有视窗3， 在拉晶机1内安装有温场2，温场2内设有坩埚4，坩埚4是用来放置宝石加工的原料的，拉 晶机1斜上方安装有一端对准视窗3内坩埚4的测温仪5，测温仪5主要检测坩埚4内的原 料的结晶界面的温度，测温仪5 —侧连接温度控制系统6，温度控制系统6 —侧连接有电源 7，测温仪5、温度控制系统6、电源7之间连接有接线8，测温仪5为双色红外测温仪。
权利要求1.一种宝石的单晶体生长监控装置，包括拉晶机、温场，所述的拉晶机外壁设有视窗， 所述的拉晶机内安装有温场，所述的温场内设有坩埚，其特征在于所述的拉晶机斜上方安 装有一端对准视窗内坩埚的测温仪，所述的测温仪一侧连接温度控制系统。
2.根据权利要求1所述的宝石的单晶体生长监控装置，其特征在于所述的温度控制 系统一侧连接有电源，所述的测温仪、温度控制系统、电源之间连接有接线，所述的测温仪 为红外测温仪。
专利摘要本实用新型公开了一种宝石的单晶体生长监控装置，包括拉晶机、温场，所述的拉晶机外壁设有视窗，所述的拉晶机内安装有温场，所述的温场内设有坩埚，其特征在于所述的拉晶机斜上方安装有一端对准视窗内坩埚的测温仪，所述的测温仪一侧连接温度控制系统，温度控制系统一侧连接有电源，测温仪、温度控制系统、电源之间连接有接线，测温仪为红外测温仪。本实用新型的结构简单，采用红外测温仪对拉晶机内的温场的温度进行精确的控制，有效的保证了结晶界面的稳定性和晶体的完整性。
文档编号C30B15/20GK201850329SQ20102059902
公开日2011年6月1日 申请日期2010年11月8日 优先权日2010年11月8日
发明者梁志安 申请人:鸿福晶体科技(安徽)有限公司