专利名称：制造内嵌式细线路的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造内嵌式细线路的方法，具体涉及ー种使用暂时性保护层以制造内嵌式细线路的方法。这些暂时性保护层，不但对于酸碱处理以及有机溶剂具有良好的耐受性，同时又不妨碍晶种层的形成，而具有生产、制造与电路结构上的优势。
背景技术：
电路板是电子装置中ー种重要的组件。电路板的功能是用来界定在一固体表面上的预定图案。在电子装置不断追求尺寸縮小的趋势下，电路板上导线的线宽与导线间的距离于是变的越来越小。为了追求更薄的成品厚度、因应细线路的需求、突破蚀刻与信赖性的缺陷，嵌入式结构已经逐渐兴起。由于嵌入式结构是将线路图案全部埋入基材中，因此有助于减少封装成品的厚度。随着电子产品朝轻薄短小发展，在各种不同的应用场合中，例如，无线通信领域、 携帯型电子产品、汽车仪表板等等，电路板往往被置放于有限的产品内部空间中，或者是另通过排线及模块化的接头，将电子产品的电子组件外接至电路板，例如汽车仪表板或者设有电子功能的方向盘。就目前的技术而言，有两种符合需求的方法以形成这种电路板。第一种称为转印法，是将图案化线路转印至一介电层上。另外ー种方法则是使用激光方式将基材图案化，来定义ー镶嵌形式的结构，再使用ー导电材料来填满在基材上所形成的凹穴，以完成一理入式结构。就现有的技术方案而言，其制作方式是线路的直接设计。例如前述使用激光将基材图案化，来定义ー镶嵌形式的结构，再使用ー导电材料来填满形成在基材上的凹穴，以完成一嵌入式结构。为了满足细线路开发的需求，图1-5例示ー种形成制造内嵌式细线路的公知方法。如图1所示，首先，提供基材101。基材101包含一介电层110、一内层板111与 ー内连接线路112。内连接线路112位于内层板111的上，而介电层110则同时覆盖内层板 111与内连接线路112。另外，介电层110中还包含与内连接线路112电连接的盲孔柱113。其次，如图2所示，使用一掩膜层114以完全覆盖介电层110与盲孔柱113。掩膜层114必须要有多种特殊的性质，才能使得后续的制作エ艺步骤顺利进行。掩膜层114的多种特殊性质，将在以下段落中一一描述。再来，如图3所示，使用激光来图案化掩膜层114。激光可以用来界定所需线路的位置与图案。例如，激光图案化掩膜层114后，会形成宽窄不一的沟槽115。其中部分的沟槽115会暴露盲孔柱113。然后，如图4所示，进行一前处理步骤。由于激光图案化掩膜层114后可能还留有残渣116，而且会妨碍后续形成的电性连接质量，因此还需要进行一前处理步骤，以移除激光图案化掩膜层114后可能留下的残渣，以有利于后续形成的电性连接。前处理步骤时可能会使用到有机溶剂或是氧化剂，因此掩膜层114必须要能抵抗有机溶剂或是氧化剂的侵蚀。另外，前处理步骤时也可能会使用到酸或是碱，所以掩膜层114还要能抵抗酸或是碱的侵蚀。然后，如图5所示，进行晶种层117的形成步骤。晶种层117可以诱导并协助日后在沟槽115中形成所需的铜线路(图未示)。由于铜线路必须而且只能形成在沟槽115中，所以晶种层117也只能选择性、专一地形成在沟槽115中，而不覆盖掩膜层114。借由掩膜层114与介电层110材料间性质的差异，于是希望能够将晶种层117选择性又专一地形成在暴露出来的介电层110上，但是又不会形成在掩膜层114上。经由以上的叙述可知，掩膜层114不但要能抵抗有机溶剂或是氧化剂的侵蚀，还要能抵抗酸或是碱的侵蚀，同时又要能排斥晶种层117的形成现象，使得晶种层117可以选择性又专一地只形成在暴露出来的介电层110上。如此多的材料性质要求，大大地增加了掩膜层114的开发难度。还有，为了避免掩膜层114在前处理步骤中因为药剂的攻击而脱落，因此需要使用攻击性较低的药剂。但是，如果药剂的攻击性较低，同时也意味着掩膜层114还留有残渣的可能性会增加，于是大大地减损了产品的信赖度。线路层的不良质量危及埋入式结构、电路板、与其所制得的电子装置的可靠度，这绝对不是本领域的技术人员所希望看到的结果。因此，仍然需要一种制造内嵌式细线路的方法，以提供一种具有良好可靠度的电路板产品。
发明内容
本发明在于提出一种制造内嵌式细线路的方法，以提供一种具有良好可靠度的电路板产品。在本发明方法中，使用一种暂时性的保护层以制造内嵌式细线路。这些暂时性保护层，不但对于酸碱处理以及有机溶剂具有良好的耐受性，同时还无需牵就晶种层的形成，而具有生产、制造与电路结构上的优势。本发明于是提出一种制造内嵌式细线路的方法。首先，提供包含介电层的基材。其次，以一暂时性保护层全面覆盖介电层。接着，图案化暂时性保护层，并同步于介电层中形成一沟槽。再来，形成一晶种层，以全面覆盖暂时性保护层与沟槽。然后，移除暂时性保护层，同时移除覆盖暂时性保护层的晶种层，但留下沟槽中的晶种层。继续，于沟槽中填入一金属层，以形成嵌入介电层中的内嵌式细线路。在本发明一实施态样中，基材包含内层板、内线路以及介电层。内线路位于内层板上，介电层则同时覆盖内层板与内线路。在本发明另一实施态样中，由于暂时性保护层不是光致抗蚀剂材料，所以暂时性保护层不含光敏性的材料。在本发明又一实施态样中，可以使用化学方法或是物理方法其中的至少一者，以移除暂时性保护层。在本发明又再一实施态样中，在移除暂时性保护层时，实质上不影响沟槽中的晶种层。在本发明一其它实施态样中，内嵌式细线路具有小于30 μ m的线宽。在本发明另一其它实施态样中，内嵌式细线路具有小于30 μ m的间距。
图1-5例示一种形成制造内嵌式细线路的公知方法。图6-13例示本发明制造内嵌式细线路的方法。其中，附图标记说明如下
101基材111内层板113盲孔柱115沟槽117晶种层119金属层
110介电层112内连接线路
114掩膜层116残渣
118暂时性保护层120内嵌式细线路
具体实施例方式本发明方法可以提供一种制造内嵌式细线路的方法，以生产一种具有良好可靠度的电路板产品。在本发明方法中，使用一种暂时性的保护层以制造内嵌式细线路。这些暂时性保护层，不但不含光敏性的物质，还对于酸碱处理以及有机溶剂具有良好的耐受性，同时其材料特性亦无需牵就晶种层的形成，而具有生产、制造与电路结构上的优势。图6-12例示本发明制造内嵌式细线路的方法。如图6所示，首先，提供基材101。基材101至少包含一介电层110。请参考图1，在本发明另一实施例中，基材101还可以包含一介电层110、一内层板111与一内连接线路112。介电层110与内层板111分别可以是一种绝缘材料。内连接线路112则位于内层板111的上，通常包含金属，例如铜。而介电层110则同时覆盖内层板111与内连接线路112。另外，视情况需要，介电层110中还可以包含与内连接线路112电连接的盲孔柱113，如图1所示。其次，如图7所示，使用一暂时性保护层118以完全覆盖介电层110与盲孔柱113。暂时性保护层118是一种一热聚合性材料，而且为一种低聚合的高分子材料。暂时性保护层118在熟化前可以含有多种聚合单体，并使用烘烤步骤促使其低度聚合。在聚合后，暂时性保护层118会含有多种高分子基团，例如经(人工)橡胶改质的环氧基团(印oxy)、丙烯酸基团、酰亚胺基团与酰胺基团…等等，还可以含有视情况需要的助剂、消泡剂与流平剂(wetting agent)…等等。所以在聚合后，暂时性保护层118是一种低聚合的共聚物。例如，暂时性保护层118会经过70°C -120°C，30分钟以内的烘烤步骤而熟化(curing)，使得暂时性保护层118具有0.5 4!11-3(^111(微米)的厚度。请注意，暂时性保护层118的熟化步骤，并不涉及光起始的聚合反应。接着，如图8所示，使用激光来图案化暂时性保护层118，激光也会移除部份的介电层110，而同步于介电层110中形成沟槽115。可以使用紫外光激光或是准分子激光(excimer)，来界定所需线路的位置与图案。例如，激光图案化暂时性保护层118后，会形成宽窄不一的沟槽115。沟槽115本身具有适当的线宽或是间距。例如，沟槽115本身具有小于30 μ m的线宽，另夕卜，沟槽115间还可以具有小于30 μ m的间距。其中部分的沟槽115会暴露盲孔柱113。暂时性保护层118并不使用光影像转移方式而加以图案化，所以暂时性保护层118并不是一种光致抗蚀剂。再来，如图9所示，进行一前处理步骤(desmear)。由于激光在图案化暂时性保护层118后可能还留有残渣116，而且会妨碍后续形成的电性连接质量，因此会进行一前处理步骤，以移除激光图案化暂时性保护层118后可能留下的残渣116，以有利于后续形成的电性连接。前处理步骤时可能会使用到电浆处理、有机溶剂，例如醇类、醚类、二甲亚砜(DMSO)或是氮、氮-二甲基甲酰胺(DMF)…等等，其可以膨润图案化的暂时性保护层118，或是氧化剂，例如硫酸/双氧水与过锰酸根…等等，因此暂时性保护层118必须要能抵抗有机溶剂或是氧化剂的侵蚀。另外，前处理步骤时也可能会使用到酸，例如硫酸，或是弱碱，所以暂时性保护层118还要能抵抗酸或是弱碱的侵蚀。然后，如图10所示，进行晶种层117的形成步骤。所形成的晶种层117可以诱导并协助日后在沟槽115中形成所需的铜线路(图未示)。由于本发明暂时性保护层118材料特性的缘故，所以既允许晶种层117形成在沟槽115中，也允许晶种层117覆盖沟槽115所露出的部份介电层110表面与暂时性保护层118。例如，将沟槽115所露出的部份介电层110表面浸泡在含有贵金属，例如至少包含有钼、钯、金、铑的溶液中，使得所形成的晶种层117得以完全覆盖沟槽115以及沟槽115所露出的部份介电层110表面。当然，所形成的晶种层117也可以只选择性地覆盖沟槽115以及沟槽115所露出的部份介电层110表面。接下来，如图11所示，完全去除暂时性保护层118。由于有部份的晶种层117覆盖暂时性保护层118，所以完全去除暂时性保护层118时，也会同时去除位于暂时性保护层118部份的晶种层117。例如，可以使用化学方法或是物理方法以移除暂时性保护层118。化学方法可以是使用一碱性溶液以移除暂时性保护层118。碱性溶液可以是强无机碱，例如氢氧化钠。碱性溶液可以具有大于11的PH值，优选PH值介于11-13间。物理方法可以负责或是辅助移除暂时性保护层118。例如，物理方法包含使用刷磨法、研磨法、电浆处理法、超声波。请注意，移除暂时性保护层118时，优选时实质上还会不影响沟槽115中晶种层117的质量。继续，如图12所示，使用无电电镀法，在沟槽115中形成足够厚度的金属层119，使得金属层119形成嵌入介电层110中的内嵌式细线路120。请参考图13，嵌入介电层110中的金属层119可以有多种实施方式。例如，金属层119的顶部较介电层110的顶部为略低，或是，金属层119的顶部与介电层110的顶部差不多等高，或是，金属层119的顶部较介电层110的顶部为略高。金属层119通常为化学方法所制得的化学铜，而非电镀方法所制得的电镀铜。视情况需要，在使用无电电镀法形成足够厚度的金属层119的前，还可以进行一预无电电镀步骤，例如先形成厚度约为2微米(μπι)以内的预镀层，以促进内嵌式细线路120的形成过程，再形成厚度约为5-30微米的化学铜层。在经过前述的步骤后，即可得到嵌入介电层110中的内嵌式细线路120。内嵌式细线路120包含化学方法所制得的金属层119化学铜，位于沟槽115中与晶种层117的上。优选者，前处理步骤还会使得沟槽115所露出的部份，即介电层110表面，具有适当的粗糙度，例如粗糙度Ra为介于自0. 5 μ m至5. 0 μ m的范围间，其中定义此参数Ra的细节部份，请参考JIS B0601-1982的规定。或是，前处理步骤会使得最后化学方法所制得的金属层119，具有大于0. 5公斤/公分的剥离应力(peel stress)。本发明方法使用一种暂时性的保护层以制造内嵌式细线路。由于这些暂时性保护层，不但对于酸碱处理以及有机溶剂具有良好的耐受性，同时还无需牵就晶种层的形成，而具有生产、制造与电路结构上的优势。以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，包括 提供一基材，包含一介电层；以ー暂时性保护层全面覆盖所述介电层；图案化所述暂时性保护层，并同步于所述介电层中形成一沟槽； 形成一晶种层，以全面覆盖所述暂时性保护层与所述沟槽；移除所述暂时性保护层，同时移除覆盖所述暂时性保护层的所述晶种层；以及于所述沟槽中填入一金属层，以形成嵌入所述介电层中的所述内嵌式细线路。
2.如权利要求1所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述基材包含ー内层板、位于所述内层板上的一内连接线路以及覆盖所述内层板与所述内连接线路的所述介电広。
3.如权利要求2所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在于，还包括 形成穿过所述介电层而暴露所述内线路的ー盲孔；以及于所述盲孔中填满所述金属层。
4.如权利要求3所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述内连接线路与所述盲孔中的所述金属层电连接。
5.如权利要求1所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述暂时性保护层是 ー热聚合性材料。
6.如权利要求1或5所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述暂时性保护层的厚度为0.5微米-30微米。
7.如权利要求1所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，使用一激光与一准分子激光中的至少ー种，图案化所述暂时性保护层，并同步于所述介电层中形成所述沟槽。
8.如权利要求1所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述晶种层至少包含钼、钯、金、铑的至少ー种。
9.如权利要求1所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，使用一化学方法以移除所述暂时性保护层。
10.如权利要求9所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述化学方法使用一碱性溶液以移除所述暂时性保护层。
11.如权利要求10所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述碱性溶液包含 ー无机碱。
12.如权利要求1所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，使用一物理方法以辅助移除所述暂时性保护层。
13.—种制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，包括 提供一基材，包含一介电层；以ー暂时性保护层全面覆盖所述介电层；图案化所述暂时性保护层，并同步于所述介电层中形成一沟槽；形成一晶种层，而仅选择性地覆盖所述沟槽以及所述沟槽所暴露出所述介电层的表移除所述暂时性保护层；以及于所述沟槽中填入一金属层，以形成嵌入所述介电层中的所述内嵌式细线路。
14.如权利要求13所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在于，还包括 形成穿过所述介电层而暴露所述内线路的ー盲孔；以及于所述盲孔中填满所述金属层。
15.如权利要求14所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，所述内连接线路与所述盲孔中的所述金属层电连接。
16.如权利要求13所述的制造内嵌式细线路的方法，其特征在干，使用一化学方法、一物理方法或其组合以移除所述暂时性保护层。
全文摘要
本发明公开了一种制造内嵌式细线路的方法。首先，提供包含介电层的基材。其次，以一暂时性保护层全面覆盖介电层。接着，图案化暂时性保护层，并同步于介电层中形成一沟槽。再来，形成一晶种层，以全面覆盖暂时性保护层与沟槽。然后，移除暂时性保护层，同时移除覆盖暂时性保护层的晶种层。继续，于沟槽中填入一金属层，以形成嵌入介电层中的内嵌式细线路。
文档编号H05K3/10GK102573310SQ20111009976
公开日2012年7月11日 申请日期2011年4月19日 优先权日2010年12月29日
发明者余丞博, 张启民 申请人:欣兴电子股份有限公司