专利名称：一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法
技术领域：
本发明涉及一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，尤其是单晶炉中下保温筒上的抽气孔。
背景技术：
在单晶直拉的等晶过程中，单晶炉内温度在1420°C左右，炉内会产生大量的粉尘、 氧化物和其它杂质，它们会沉积下来，一旦堵塞单晶炉下保温筒上的抽气孔，会影响成晶， 增加能耗，降低成品率。通常情况下，需要在该炉直拉完后，采用停炉拆卸，清理完沉积物后再重新开炉的办法。这样，既耗能，又费时。
发明内容
本发明的目的是提供能在等晶过程中直接排除抽气孔处的沉积物的一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法。本发明采取的技术方案是一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，其特征在于当等晶过程中出现抽气孔堵塞时，采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物A、降下单晶炉内温度至硅的结晶温度。B、关闭单晶炉主室的电磁球阀；(电磁球阀的作用是什么)C、将单晶炉内的气体压力从600 800帕升至8万 9. 5万帕，然后关闭进气口 ；D、打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被气流冲走；E、打开进气口，重新调节单晶炉内的气体压力至600 800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度。所述的一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，应在打开单晶炉主室的电磁球阀前敲打抽气管或使之震动，使沉积物松动。采用本发明方法，可以在不停炉的情况下直接排除抽气孔处的粉尘、氧化物和其它杂质等沉积物，减少了能耗，提高了成品率和生产效率。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。实施例当等晶过程中出现抽气孔堵塞时，采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物一、将单晶炉内温度从1420°C降至1200°C，即从硅的溶点温度降至结晶温度。二、关闭单晶炉主室的电磁球阀；三、将单晶炉内的惰性气体(如氩气)压力从600 800帕升至8万 9. 5万帕， 然后关闭惰性气体(如氩气)进气口；四、用木棒等软质重物敲打下保温筒处的抽气管，或采用震动设备使下保温筒处的抽气管轻微震动，使沉积物松动。
五、打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被惰性气体(如氩气)气流冲走；五、打开惰性气体(如氩气)进气口，重新调节单晶炉内的惰性气体(如氩气)的压力至600 800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度即可。 在上述中，步骤四也可以在步骤三、步骤二、步骤一之前进行。
权利要求
1.一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，其特征在于当等晶过程中出现抽气孔堵塞时， 采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物A、降下单晶炉内温度至硅的结晶温度。B、关闭单晶炉主室的电磁球阀；C、将单晶炉内的气体压力从600 800帕升至8万 9.5万帕，然后关闭进气口 ；D、打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被气流冲走；E、打开进气口，重新调节单晶炉内的气体压力至600 800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，其特征在于应在打开单晶炉主室的电磁球阀前敲打抽气管或使之震动，使沉积物松动。
全文摘要
本发明涉及一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，当等晶过程中出现抽气孔堵塞时，采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物A、降下单晶炉内温度至硅的结晶温度。B、关闭单晶炉主室的电磁球阀；C、将单晶炉内的气体压力从600～800帕升至8万～9.5万帕，然后关闭进气口；D、敲打抽气管或使之震动，使沉积物松动，打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被气流冲走；E、打开进气口，重新调节单晶炉内的气体压力至600～800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度。采用本发明方法，可以在不停炉的情况下直接排除抽气孔处的粉尘、氧化物和其它杂质等沉积物，减少了能耗，提高了成品率和生产效率。
文档编号C30B15/00GK102251274SQ201110202469
公开日2011年11月23日 申请日期2011年7月15日 优先权日2011年7月15日
发明者徐建军, 钱荣林 申请人:浙江荣马电子科技有限公司