专利名称：一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法。
背景技术：
自从有人在上世纪末提出一种硬度可能超过金刚石的亚稳相β-C3N4后，这种材料的研究就一直是材料学的一个研究热点，后来科学家又陆续的计算出了 C3N4的其他几种相态α相、立方相、准立方相和类石墨相，这五种相态除类石墨相外，其余相态都比金刚石硬，其原理在于氮化碳中的碳是SP3杂化形成的，和金刚石中的碳的杂化情况相同，且氮化碳中的碳氮键比金刚石中的碳碳键短，且键能大，因此氮化碳比金刚石硬。氮化碳除了具备高硬度和高弹性外，还具有耐磨损、防腐蚀、耐高温等特性，能很好的运用于机械加工领域；它具有宽能带间隙和高导热性，是半导体和光学器件的候选材料。但是要把氮化碳从理论变为实际，科学家们尝试了多种方法，如等离子体辅助化学气相沉积法、反应溅射法、激光烧蚀法等，但制作出来的氮化碳薄膜多呈非晶结构，其原因在于当这五种晶相同时无序的生长，会导致最后形成的薄膜出现非晶的结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，该方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的薄膜结构完整。为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤 将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；
向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；
所述吸附在所述硅衬底上的碳原子与通入含氮的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。上述方案中，所述将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中的步骤之前还包括 所述硅衬底的表面经过标准液和氢氟酸处理，在所述硅衬底的表面形成硅氢键。上述方案中，所述碳源气体为四氯化碳。上述方案中，所述第二反应前驱体为氨气；所述氨气中的氢原子与所述四氯化碳中的氯原子发生卤代反应，使得所述四氯化碳中除碳以外的其他官能团被氮原子取代。上述方案中，所述在向原子层沉积设备反应腔通入第一反应前驱体、第二反应前驱体步骤之前还包括向原子层沉积设备反应腔通入惰性气体。上述方案中，所述惰性气体为氩气或氦气。与现有技术方案相比，本发明采用的技术方案产生的有益效果如下本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。
图1为本发明实施例中硅衬底表面经过处理的形成Si-H键的示意图； 图2为本发明实施例中四氯化碳与硅衬底进行碳化学吸附的示意图3为本发明实施例中硅衬底表面完全被碳吸附后的示意图； 图4为本发明实施例中氨气与硅衬底上的碳原子发生卤代反应形成C-N键的示意图； 图5为本发明实施例提供的单晶立方型薄膜的原子结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明技术方案进行详细描述。本发明实施例提供一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，具体包括如下步骤 步骤101，掺杂后的硅衬底通过标准液和氢氟酸处理表面，在硅衬底表面形成硅氢键，
如图ι所示，其中，标准液是指1号液，浓硫酸双氧水=4:1 ;2号液，氨水纯净水双氧水=1 5 1 ;3号液，盐酸双氧水纯净水=1:1:6 ；将进行氢化处理后的硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；
步骤102，向原子层沉积设备反应腔中通入氩气或氦气，对反应腔进行清洗； 步骤103，开启原子层沉积设备，调整工作参数，达到实验所需工作环境；向原子层沉积反应腔中通入四氯化碳，如图2所示，四氯化碳和硅衬底表面的氢原子发生反应，碳原子吸附在衬底表面；此步骤直至硅衬底表面完全被碳吸附后结束，如图3所示；
步骤104，向原子层沉积设备反应腔中通入氩气或氦气，惰性气体用于清洗腔体并带走未反应的前躯体；
步骤105，向原子层沉积设备反应腔中通入氨气，速率为5SCCm-50SCCm，氨气中的氢原子与吸附在硅衬底上的氯原子发生卤代反应，使得四氯化碳中除碳以外的其他官能团被氨气中的氮原子取代，如图4所示；直到硅衬底表面的碳原子被完全消耗完，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜，如图5所示；
步骤106，根据需要生长的薄膜的厚度，重复步骤102至步骤105，即可在硅衬底表面逐层生长单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用衬底和立方型氮化碳薄膜的匹配关系，先进行单层薄膜的生长，利用第一层和第二层薄膜的相关性来进行第二层薄膜的生长，依次类推，逐渐生长出具有完整单晶结构的立方型氮化碳薄膜。以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；所述吸附在所述硅衬底上的碳原子与通入含氮的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。
2.如权利要求1所述单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中的步骤之前还包括所述硅衬底的表面经过标准液和氢氟酸处理，在所述硅衬底的表面形成硅氢键。
3.如权利要求1所述单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源气体为四氯化碳。
4.如权利要求2所述单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二反应前驱体为氨气；所述氨气中的氢原子与所述四氯化碳中的氯原子发生卤代反应，使得所述四氯化碳中除碳以外的其他官能团被氮原子取代。
5.如权利要求1所述单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述在向原子层沉积设备反应腔通入碳源气体、第二反应前驱体步骤之前还包括向原子层沉积设备反应腔通入惰性气体。
6.如权利要求5所述单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或氦气。
全文摘要
本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，碳源气体中的碳原子吸附在硅衬底上；吸附在硅衬底上的碳原子与通入含氮的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。
文档编号C30B25/02GK102321919SQ20111028689
公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月23日 优先权日2011年9月23日
发明者万军, 刘键, 夏洋, 李勇滔, 李超波, 石莎莉, 陈波, 饶志鹏, 黄成强 申请人:中国科学院微电子研究所