专利名称：石墨坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一 种石墨坩埚，特别是一种石墨双悬浮坩埚。
背景技术：
从丘克拉斯基法(直拉法)生长锗晶体以来，在所使用的石墨坩埚上发生了一系列演变。从单坩埚，双坩埚，悬浮坩埚，使用这些坩埚存在的一些缺点是明显的。
发明内容为了解决现有技术中存在的缺陷，本实用新型采用如下技术方案一种石墨坩埚，它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚，所述外浮埚置于所述单坩埚内，所述内浮埚置于所述外浮埚内，所述外浮埚为石墨浮动套筒，外浮埚也可以装料。本发明创造的有益效果在晶体生长时，两只浮埚可以随着熔体液面的高度而同步变化，因此，两只浮埚的高度差在晶体生长过程中始终保持不变，有利于晶体生长时的结晶潜热的散发，使热场的稳定性大为提高，双悬浮坩埚集中了多种类型坩埚的优点，便于控制晶体的生长。1)已经完全解决了在氩气氛中生长长晶体和超长晶体产生晶体棱线变宽的问题；2)在晶体生长时，减少了电阻率不均勻性和小角晶界；3)每段单晶上下端面位错< 200/cm2已达90%左右。
图1为本实用新型单坩埚结构示意图；图2为本实用新型外浮埚结构示意图；图3为本实用新型外浮埚另一结构示意图；图4为本实用新型内浮埚结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图通过具体实施例对本实用新型技术方案做进一步的说明。石墨坩埚由一只单坩埚，外浮埚(石墨浮动套筒)，内浮埚构成，当单坩埚半径R 很大时，内浮埚R比较小时，则单坩埚壁对晶体生长的影响就可以忽略不计。外浮埚和内浮埚的高度之差在晶体生长过程中始终保持不变，因此大大提高了晶体生长过程中的热稳定性，有利于结晶潜热的散发，生长出令人满意的晶体。在通常情况下，在晶体生长过程中，坩埚中液面位置不断下降，坩埚壁不断的裸露出来，由于裸露埚壁温度很高，所以对晶体和熔体温度的变化影响很大，晶体表面热的发射效率，熔体液面上的发射效率强烈地依赖于裸壁高度，当裸壁高度大到一定程度时，晶体表面的发射效率甚至为负值，熔体表面的发射效率也大大下降，这样对晶体生长极为不利，而在石墨双悬浮坩埚中，单坩埚直径比较大，内浮埚直径比较小，可以忽略单坩埚壁对晶体生长的影响，而两只内外浮埚的裸壁高度可以事先确定，并在晶体生长过程中始终保持不变， 这样创造了了一个基本上处于恒定不便的热场，对于稳定工艺参数，保证产品质量，提高产品的合格率是一个很大的突破。
权利要求1. 一种石墨坩埚，其特征在于，它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚，所述外浮埚置于所述单坩埚内，所述 内浮埚置于所述外浮埚内，所述外浮埚为石墨浮动套筒。
专利摘要本实用新型涉及一种石墨坩埚。它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚，所述外浮埚置于所述单坩埚内，所述内浮埚置于所述外浮埚内，所述外浮埚是一种石墨浮动套筒，外浮埚也可以装料。本实用新型创造的有益效果在晶体生长时，两只浮埚可以随着熔体液面的高度而同步变化，因此，两只浮埚的高度差在晶体生长过程中始终保持不变，有利于晶体生长时的结晶潜热的散发，使热场的稳定性大为提高，双悬浮坩埚集中了多种类型坩埚的优点，便于控制晶体的生长。
文档编号C30B15/10GK202039155SQ201120105600
公开日2011年11月16日 申请日期2011年4月3日 优先权日2011年4月3日
发明者彭轩 申请人:湖南省长宇新型炭材料有限公司