专利名称：多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及制造多晶硅的坩埚技术领域，具体涉及一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚。
背景技术：
陶瓷坩埚的软化温度高达1700°C (多晶硅生产工艺中化料过程温度为1500°C左右，晶体生长温度在142(T1440°C)，且在此温度以下不繁盛翘曲，尺寸的稳定性和一致性非常好。所以在多晶硅提纯和定向结晶中使用陶瓷坩埚的效果是较好的。在制备铸造多晶硅时，在原料熔化，晶体生长过程中，硅熔体和坩埚长时间接触，会产生黏滞作用，由于两种材料的热膨胀系数不同，如果硅材料和坩埚壁集合紧密，在晶体冷却时很可能造成晶体硅或坩埚破裂；同时，由于硅熔体和坩埚长时间接触，会造成陶瓷坩埚的腐蚀，使多晶硅中的氧浓度升高。利用定向凝固技术生长的铸造多晶硅，在多数情况下，坩埚是消耗件，不能重复循环使用，即每一炉多晶硅需要一支陶瓷坩埚。
实用新型内容鉴于上述不足之处，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，能有效的解决黏滞问题，而且还可以降低多晶硅中的氧，碳杂质浓度。为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，包括陶瓷坩埚本体，所述陶瓷坩埚本体内壁涂覆有Si3N4 (氮化硅)涂层。最优的Si3N4 (氮化硅)涂层厚度为0. 2mnTlmm。本实用新型的有益效果在于将Si3N4 (氮化硅)涂覆在坩埚的内壁，从而隔离了硅熔体和坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧，碳杂质浓度； 进一步地，利用Si3N4 (氮化硅)涂层，还使得陶瓷坩埚可能得到重复使用(即可以反复重新涂覆Si3N4涂层)，陶瓷坩埚的内涂层处理恰当，陶瓷坩埚可以重复使用，达到降低生产成本的目的。
图1为本实用新型的结构示意图。图中1.陶瓷坩埚本体；2. Si3N4涂层。
具体实施方式
下面我们将结合附图对本实用新型做进一步的说明。如图1所示，一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，包括陶瓷坩埚本体1，陶瓷坩埚本体1内壁涂覆有Si3N4涂层2，Si3N4涂层2厚度为0. 5mnTlmm。将Si3N4 (氮化硅)涂覆在坩埚的内壁，从而隔离了硅熔体和坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧，碳杂质浓度；进一步地，利用Si3N4 (氮化硅)涂层，还使得陶瓷坩埚可能得到重复使用(即可以反复重新涂覆Si3N4涂层)。
权利要求1.一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，包括陶瓷坩埚本体(1)，其特征在于所述陶瓷坩埚本体内壁涂覆有Si3N4涂层(2)。
2.根据权利要求1所述的多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，其特征在于所述Si3N4涂层 (2)厚度为 0. 5mnTlmm。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅材料提纯用陶瓷坩埚，包括陶瓷坩埚本体，其特征在于所述陶瓷坩埚本体内壁涂覆有Si3N4涂层；本实用新型的有益效果在于将Si3N4(氮化硅)涂覆在坩埚的内壁，从而隔离了硅熔体和坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧，碳杂质浓度；进一步地，利用Si3N4(氮化硅)涂层，还使得陶瓷坩埚可能得到重复使用(即可以反复重新涂覆Si3N4涂层)，陶瓷坩埚的内涂层处理恰当，陶瓷坩埚可以重复使用，达到降低生产成本的目的。
文档编号C30B11/00GK202204288SQ20112031233
公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月25日 优先权日2011年8月25日
发明者王明云, 罗明树, 赵振元 申请人:信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司