专利名称：反射板加钼片的制作方法
技术领域：
反射板加钼片技术领域[0001]本实用新型属于一种降低单晶硅炉能耗的装置背景技术[0002]目前，所知的单晶炉主要用于生产半导体级、太阳能级单晶硅棒材料，单晶硅炉包括机械设备、电气自动控制系统两部分组成。在单晶硅炉内的石英坩埚投放生产制备单晶硅棒的多晶硅料，然后把石墨体坩埚下降至熔硅位置，由电气PLC控制系统通过对石墨坩埚加热至1420°C，使固体多晶硅熔化；再由电气自动化控制系统，把单晶硅炉内熔化的多晶硅料按工艺要求合成单晶硅棒。单晶硅炉的能耗主要受石墨热场保温材料、石墨热场结构、石墨热场系统大小等因素影响。传统的单晶炉石墨热场由石墨樹祸、石墨保温罩、石墨上盖板、石墨炉底护板、加热器组成，目前此种石墨热场结构造成底部散失的热量较多，从而导致单晶硅炉在晶体生长时耗电量增大，生产成本也随之增大。发明内容[0003]本实用新型的目的是设计一种降低单晶硅炉能耗的装置，能有效的降低单晶硅炉晶体生长时的能耗，可大幅度降低单晶硅棒的生产成本。为此本实用新型采用在石墨底护板的上方、加热器的正下方增加上、下反射板，并且在上反射板的上方增加一层鉬片；上、下反射板主要是阻隔加热器产生的热量下炉底板散发出去，同时配合以钥片对热辐射反射作用，最终大幅度的减少了石墨热系统热量的散失，降低了单晶炉的能耗。上述结构达到了本实用新型的目的。[0004]本实用新型的优点是通过采用全新的上、下反射板、并且在上反射板上方增加起反射作用的鉬片，加强了底部保温，减少了石墨热场底部散失的热量，降低了制备单晶硅棒的生产成本；实验证明改进后的石墨热系统比传统的石墨热系统耗能降低了 1.5%，生产成本也随之下降。
[0005]图1是本实用新型的结构示意图具体实施方案[0006]如图1所示，本实用新型的改进部分主要集中在炉底板9上端、加热器6的下端所设的上反射板6、下反射板7以及在上反射板上端的鉬片，其余部位为传统技术，故不在累述，即在炉体下端设电 机带动石墨托杆10,石墨托杆上端设有石墨樹祸5,石墨 甘祸的上端依次设有导流筒2、保温盖1，石墨埚下端设有炉底板9，石墨坩埚外炉体内依次为加热器6、保温筒3，保温层4，加热器为环形加热器，用于包裹石墨埚体，对石英坩埚内的多晶硅料加热。[0007]—种降低单晶硅炉能耗的装置，主要由上反射板6、下反射板7、以及在上反射板上端所设的鉬片所组成。下反射板位于炉底板的上方，上反射板位于下反射板的上方，上、下反射板之间的空隙填充以保温隔热材料，使上、下反射板对加热器向下散失的热量起阻隔作用，同时位于上反射板上端的钨钥材料板对加热器向下散失的热量起向上的辐射作用，进一步减少了加热器向下散失的热量，从而达到了降低了单晶硅炉能耗，降低了生产产本。所述的上、下反射板，其与加热器外圆尺寸比例为1: 1，且位于加热器的正下端25-30_处，此结构设计能有效的阻隔加热器产生的热量向下散失，从而达到单晶硅炉降低能耗的目的。所述的鉬片，对加热器产生的热量向下散失的过程中起到了向上反射的作用，有效的降低了单晶硅炉的能耗，从而达到单晶硅炉降低能耗的目的。所述的一种降低单晶硅炉能耗的装置，其特征在于所述鉬片位于上反射板的上端且板的厚度为0.35-0.5mm。总之，本实用新型能有效的减少加热器热量的向下散失，从而达到单晶硅炉降低能耗的目的。
权利要求1.单晶硅炉反射板加钥片的装置，主要由炉体、石墨埚、石墨托杆、石英坩埚、加热体和上保温盖、炉底板、侧面保温层及反射板加鉬片所组成，其特征在于:在炉底板上方，加热器的下方，所设的上、下反射板；实现降低能耗的目的。
2.按权利要求1所述的单晶硅炉反射板加钥片的装置，其特征在于所述的上、下反射板为双层结构且位于加热体发热电阻片下端25-30mm。
3.按权利要求1所述的单晶硅炉反射板加钥片的装置，其特征在于所述反射板加鉬片装置位于上反射板的上端且板的厚度为0.35-0.5mm。
专利摘要一种降低单晶硅炉能耗的装置。单晶硅炉的耗能主要与单晶炉石墨热场保温性能有关，保温性能好，能耗降低。本实用新型在炉底板上方设双层反射板，并辅以起反射作用的钨钼板；此结构有效的加强了单晶硅炉底部保温，从而降低了晶棒的生产成本，达到了降低能耗的目的。
文档编号C30B15/00GK202989342SQ20112052702
公开日2013年6月12日 申请日期2011年12月16日 优先权日2011年12月16日
发明者朱仁德, 刘旭峰 申请人:北京天能运通晶体技术有限公司