专利名称：针对低成本通孔的选择性图案化的制作方法
技术领域：
本发明大体涉及集成电路。更具体来说，本发明涉及制造集成电路。
背景技术：
半导体装置中使用的硅衬底与其它材料相比具有高成本。举例来说，在玻璃衬底上建置无源装置将产生较低成本组件。堆叠在例如玻璃衬底等衬底上的装置利用通孔来与其它组件连通。玻璃衬底和通孔的一个潜在应用是液晶显示器。在衬底中使用各向异性或各向同性蚀刻来制造通孔。各向异性蚀刻沿着不同方向以不同速率发生且产生穿过衬底的大体直线的侧壁。各向异性蚀刻包含等离子体蚀刻、激光钻孔和机械钻孔。各向异性蚀刻是减小制造工艺的产量的缓慢工艺。各向同性蚀刻在衬底的每一方向上大体相等地蚀刻材料。各向同性蚀刻·包含湿式蚀刻和气体蚀刻。各向同性蚀刻与各向异性蚀刻相比成本较低且产量较高,但由于所有方向上的蚀刻引起的底部切割可能导致衬底上的金属线短路。在图IA-C中说明用于使用各向同性蚀刻制造通孔的常规工艺。参看图1A，金属线104沉积在玻璃衬底102上。各向同性蚀刻在图IB中所示的玻璃衬底102中形成通孔106。通过各向同性蚀刻对通孔106的底部切割暴露多条金属线104。参看图1C，通孔金属108沉积在通孔106内部。通孔金属108接触多条金属线104，从而导致金属线104短路和所制造的装置发生故障。因此，需要一种使用各向同性蚀刻在不使衬底上的金属线短路的情况下在衬底中制造通孔的工艺。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种制造通孔的方法包含在衬底的第一侧上图案化阻挡层。所述方法还包含暴露阻挡层中的开口。所述方法进一步包含在阻挡层上沉积第一导电材料。所述方法还包含在衬底的与第一侧相对的第二侧上制造通孔。所述方法进一步包含在通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触第一导电材料。根据本发明的另一方面，一种集成电路包含衬底。所述集成电路还包含在衬底的第一侧上具有开口的阻挡层。所述集成电路进一步包含在衬底的第二侧上延伸穿过衬底的通孔。所述集成电路还包含在阻挡层上延伸到开口中的第一导电层。所述集成电路进一步包含在通孔上经由阻挡层中的开口与第一导电层耦合的第二导电层。根据本发明的又一方面，一种制造集成电路的方法包含在衬底的第一侧上图案化阻挡层以形成开口的步骤。所述方法还包含在阻挡层上沉积第一导电材料的步骤。所述方法进一步包含在衬底的与第一侧相对的第二侧上制造通孔的步骤。所述方法还包含在通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触第一导电材料的步骤。根据本发明的再一方面，一种集成电路包含衬底。所述集成电路还包含用于防止衬底的第一侧上具有开口的金属线短路的装置。所述集成电路进一步包含在衬底的第二侧上延伸穿过衬底的通孔。所述集成电路还包含在所述防止装置上延伸到开口中的第一导电层。所述集成电路进一步包含在通孔上与第一导电层耦合的第二导电层。上文已相当广泛地概述本发明的特征和技术优点以便可较好地理解以下详细描述。下文将描述形成本发明的权利要求书的主题的额外特征和优点。所属领域的技术人员应了解，所揭示的概念和特定实施例可容易地用作用于修改或设计用于实行本发明的相同目的的其它结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离在所附权利要求书中所阐述的本发明的技术。当结合附图进行考虑时，将从以下描述更好地理解据信为本发明的特性的新颖特征(均关于其组织和操作方法)连同另外的目标和优点。然而，应明确地理解，仅出于说明和描述的目的而提供各图中的每一者，且其不希望作为对本发明的限制的界定。
为更完整地理解本发明，现参考结合附图作出的以下描述。图IA-C是说明衬底中通孔的常规制造的横截面图。·图2是说明根据一个实施例的通孔的示范性制造工艺的流程图。图3A-E是说明根据一个实施例的通孔的示范性制造工艺的横截面图。图4是展示其中可有利地采用本发明的实施例的示范性无线通信系统的框图。图5是说明根据一个实施例的用于半导体组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。
具体实施例方式呈现用于在衬底中使用各向同性蚀刻制造通孔的示范性工艺。通过在衬底上沉积金属线之前在衬底上图案化阻挡层来防止各向同性蚀刻之后衬底上的金属线的短路。经图案化的阻挡层抑制针对通孔形成的开口暴露单条以上金属线。因此，每一通孔仅接触单条金属线。所述用于制造通孔的示范性工艺改进所制造装置的可靠性且增加制造工艺的良率。所述示范性工艺还通过使用各向同性蚀刻和例如玻璃等低成本衬底材料而减小所制造装置的成本。图2是说明根据一个实施例的通孔的示范性制造工艺的流程图。所述示范性工艺在框205处以图案化阻挡层开始。图3A是说明根据一个实施例在图案化阻挡层之后的衬底的横截面图。阻挡层304图案化在衬底302上。阻挡层304可为例如氮化硅或碳化硅。阻挡层304中经图案化的开口 312可对应于稍后形成在衬底302中的通孔。根据一个实施例，开口 312不一直图案化到衬底302。在此实施例中，阻挡层304的一部分保持在开口 312中直到稍后的工艺移除剩余的阻挡层304为止。所述示范性工艺继续到框210，其中沉积第一导电层。图3B是说明根据一个实施例在沉积第一导电层之后的衬底的横截面图。第一导电层308沉积在阻挡层304上。第一导电层308填充开口 312且接触衬底302。第一导电层308可图案化到金属线中。第一导电层308可例如为铜、铝或钨。根据一个实施例，第一导电层308为O. 02-10微米厚且阻挡层304为O. 02-5微米厚。在沉积第一导电层308之后，所述示范性工艺在框215处蚀刻通孔。图3C是说明根据一个实施例在蚀刻通孔之后的衬底的横截面图。在衬底302中蚀刻通孔306。根据一个实施例，衬底302为玻璃衬底，且通孔306为玻璃通孔(TGV)。然而，衬底302可为例如硅或蓝宝石等其它材料。通孔306可利用各向同性蚀刻来蚀刻从而产生如图3C中说明的通孔306的底部切割。根据一个实施例，通孔306的位置对应于阻挡层304中的开口 312。所述示范性工艺继续到框220且沉积第二导电层。图3D是说明根据一个实施例在沉积第二导电层之后的衬底的横截面图。在衬底302的与阻挡层304相对的一侧上沉积第二导电层310。第二导电层310作为通孔306的内部的衬垫。根据一个实施例,第二导电层310经由阻挡层304中的开口 312接触第一导电层308的一条金属线。在此实施例中，防止第一导电层308的金属线的短路，而不管通孔306的底部切割如何。第二导电层310可为例如与第一导电层308相同的材料或不同的材料。在图2中说明的示范性工艺的另一实施例中，可在蚀刻通孔306之后且在沉积第二导电层310之前沉积隔离层。图3E是说明根据一个实施例拥有隔离层和第二导电层的具 有通孔的衬底的横截面图。隔离层314可在沉积第二导电层310之前沉积在通孔306中。在此实施例中，隔离层314经图案化以将第一导电层308暴露于第二导电层310。隔离层314将第二导电层310与衬底302隔离。根据一个实施例，隔离层314防止第二导电层310向衬底302短路。根据另一实施例，隔离层314改进第二导电层310到衬底302的粘合。隔离层314可为例如氮化硅、氧化硅或碳化硅。上文描述的用于利用阻挡层在衬底中形成通孔的示范性工艺允许使用各向同性蚀刻工艺形成通孔，而不显著降低所制造的装置的可靠性且不显著减小制造工艺的良率。示范性工艺期间图案化的阻挡层抑制衬底上的金属线之间的短路。根据示范性工艺的一个实施例，使用低成本各向同性蚀刻在玻璃衬底中制造玻璃通孔。具有根据上文描述的工艺制造的通孔的衬底可集成到集成电路(IC)中。所述通孔可用于耦合堆叠在衬底上的装置。举例来说，例如电容器和电感器等无源装置和例如RF滤波器等MEMS装置可形成在玻璃衬底上且耦合到通孔。根据一个实施例，玻璃衬底堆叠在层压封装衬底上。根据另一实施例，玻璃衬底连接到印刷电路板。图4展示其中可有利地采用本发明的实施例的示范性无线通信系统400。为了说明的目的，图4展示三个远程单元420、430和450，以及两个基站440。将认识到，无线通信系统可具有更多远程单元和基站。远程单元420、430和450分别包含IC 425A、425C和425B中的通孔，其为如上文论述的实施例。图4展示从基站440到远程单元420、430和450的前向链路信号480，以及从远程单元420、430和450到基站440的反向链路信号490。在图4中，远程单元420展示为移动电话，远程单元430展示为便携式计算机，且远程单元450展示为无线本地回路系统中的计算机。举例来说，远程单元可为蜂窝式电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(例如，个人数据助理)、固定位置数据单元(例如，仪表读取设备)、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置或计算机。虽然图4说明根据本发明的教示的远程单元，但本发明不限于这些示范性所说明单元。本发明可适当用于包含制造有通孔的IC的任何装置中。图5是说明如下文所揭示用于裸片或实施在裸片上的电路的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。设计工作站500包含硬盘501，硬盘501含有操作系统软件、支持文件和例如Cadence或OrCAD的设计软件。设计工作站500还包含显示器以促进电路510或组件512(例如，晶片或裸片)的设计。提供存储媒体504用于有形地存储电路设计510或组件512。电路设计510或组件512可以例如⑶SII或GERBER等文件格式存储在存储媒体504上。存储媒体504可为⑶-ROM、DVD、硬盘、快闪存储器或其它适当装置。此外，设计工作站500包含驱动设备503，其用于接受来自存储媒体504的输入或将输出写入到存储媒体 504。记录在存储媒体504上的数据可规定逻辑电路配置、光刻掩模的图案数据或例如电子射束光刻等串行写入工具的掩模图案数据。所述数据可进一步包含例如与逻辑仿真相关联的时序图或网状电路的逻辑验证数据。在存储媒体504上提供数据通过减小用于设计集成电路的工艺的数目而促进电路设计510或组件512的设计。本文描述的方法可依据应用由各种组件来实施。举例来说，这些方法可实施在硬件、固件、软件或其任何组合中。对于硬件实施方案，处理单元可实施在一个或一个以上专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理装置(DSro)、可编程逻辑装置(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器、电子装置，经设计·以执行本文描述的功能的其它电子单元或其组合内。对于固件和/或软件实施方案，所述方法可用执行本文描述的功能的模块(例如，程序、函数等)来实施。任何有形地体现指令的机器可读媒体可用于实施本文描述的方法。举例来说，软件代码可存储在存储器中并由处理器单元执行。存储器可实施在处理器单元内或处理器单元外部。如本文所使用，术语“存储器”指代任何类型的长期、短期、易失性、非易失性或其它存储器，且不限于任何特定类型的存储器或特定数目的存储器或上面存储存储器的媒体类型。如果以固件和/或软件实施，那么所述功能可作为一个或一个以上指令或代码存储在计算机可读媒体上。实例包含以数据结构编码的计算机可读媒体和以计算机程序编码的计算机可读媒体。计算机可读媒体包含物理计算机存储媒体。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。借助实例而非限制，此类计算机可读媒体可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或任何其它可用于存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码且可通过计算机存取的媒体；如本文使用的磁盘(disk)与光盘(disc)包含紧密光盘(⑶)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。上文的组合也应包含在计算机可读媒体的范围内。除了存储在计算机可读媒体上外，指令和/或数据还可作为信号提供在包含在通信设备中的发射媒体上。举例来说，通信设备可包含具有指示指令和数据的信号的收发器。所述指令和数据经配置以致使一个或一个以上处理器实施权利要求书中概述的功能。虽然已详细描述本发明和其优点，但应理解，在不脱离如所附权利要求书所界定的本发明的技术的情况下，可在本文中作出各种改变、替代和变更。此外，本申请案的范围既定不限制于说明书中所描述的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤的特定实施例。如所属领域的技术人员将容易从本发明了解的，可根据本发明利用目前现有或稍后将开发的执行与本文中所描述的对应实施例大体上相同的功能或实现与其大体上相同的结果的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求书既定在其范围内包含此些过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。
权利要求
1.一种制造通孔的方法，所述方法包括 在衬底的第一侧上图案化阻挡层； 暴露所述阻挡层中的开口； 在所述阻挡层上沉积第一导电材料； 在所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧上制造所述通孔；以及 在所述通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触所述第一导电材料。
2.根据权利要求I所述的方法，其进一步包括在沉积所述第二导电材料之前在所述通孔中沉积隔离材料。
3.根据权利要求I所述的方法，其中图案化所述阻挡层包括图案化所述开口以对应于所述通孔的位置。
4.根据权利要求I所述的方法，其中制造所述通孔包括湿式蚀刻所述衬底以形成所述通孔。
5.根据权利要求I所述的方法，其中图案化所述阻挡层包括图案化氮化硅和碳化硅中的至少一者。
6.根据权利要求I所述的方法，其中制造所述通孔包括制造玻璃通孔。
7.根据权利要求I所述的方法，其进一步包括将所述通孔集成到集成电路中。
8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括将所述集成电路集成到以下各项中的至少一者中移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。
9.一种集成电路，其包括 衬底； 阻挡层，其在所述衬底的第一侧上具有开口 ； 通孔，其在所述衬底的第二侧上延伸穿过所述衬底； 第一导电层，其在所述阻挡层上延伸到所述开口中；以及 第二导电层，其在所述通孔上经由所述阻挡层中的所述开口与所述第一导电层耦合。
10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述通孔的位置对应于所述阻挡层中的所述开口。
11.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述阻挡层是氮化硅和碳化硅中的至少一者。
12.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述衬底是玻璃。
13.根据权利要求9所述的集成电路，其中将所述集成电路并入到以下各项中的至少一者中移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。
14.一种制造集成电路的方法，所述方法包括以下步骤 在衬底的第一侧上图案化阻挡层以形成开口； 在所述阻挡层上沉积第一导电材料； 在所述衬底的与所述第一侧相对面向的第二侧上制造通孔； 在所述通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触所述第一导电材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在沉积所述第二导电材料之前在所述通孔中沉积隔离层的步骤。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述图案化所述阻挡层的步骤包括图案化所述开口以对应于所述通孔的位置。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述图案化所述阻挡层的步骤包括图案化氮化娃和碳化娃中的至少一者。
18.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括将所述集成电路集成到以下各项中的至少一者中移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。
19.一种集成电路，其包括 衬底；· 用于防止所述衬底的第一侧上具有开口的金属线短路的装置； 通孔，其在所述衬底的第二侧上延伸穿过所述衬底； 第一导电层，其在所述防止装置上延伸到所述开口中；以及 第二导电层，其在所述通孔上与所述第一导电层耦合。
20.根据权利要求19所述的集成电路，其中将所述集成电路并入到以下各项中的至少一者中移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。
全文摘要
在金属线(308)的沉积和通孔(306)的蚀刻之前在衬底(302)上沉积阻挡层(304)实现在衬底中使用各向同性蚀刻工艺低成本制造通孔。举例来说，玻璃衬底(302)的湿式蚀刻可用于在由于所述湿式蚀刻引起的底部切割不使所述玻璃衬底(302)上的金属线(308)短路的情况下制造玻璃通孔(306)。所述阻挡层(304)防止作为所述通孔(306)的衬垫的导电层(310)与所述衬底(302)上的一条以上金属线(308)之间的接触。所述制造工艺允许例如玻璃衬底等衬底上的装置的堆叠以及用通孔连接所述装置。
文档编号H05K3/00GK102884870SQ201180023268
公开日2013年1月16日 申请日期2011年4月5日 优先权日2010年4月9日
发明者李易明, 马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹, 顾时群 申请人:高通股份有限公司