一种带埋盲孔的高密度互连pcb板的预开窗工艺的制作方法

文档序号:8006631阅读:226来源:国知局
专利名称:一种带埋盲孔的高密度互连pcb板的预开窗工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及一种PCB板的预开窗工艺,尤其涉及一种带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺。
背景技术
随着PCB板行业的快速发展,传统的PCB板的钻孔由于受到钻刀影响,当钻孔孔径达到0. 15mm时,制作成本已经非常高,并且很难再次改进,使PCB板的发展受到限制。随着科技的不断进步,出现了一种高密度互连板,即是HDI板。它是利用激光进行钻孔,孔径一般为0. 075 0. 15mm,还降低了加工成本,线路宽度一般为0. 075 0. 1mm,焊盘的尺寸可以大幅度的减小,单位面积内可以得到更多的线路分布。此种HDI板适应并推进了 PCB板行业的进一步发展。HDI板在钻埋孔或盲孔时,利用激光光源钻孔,在钻孔的时候由于不能烧蚀到金属铜,因此,通常的做法是,在激光钻孔位置预先使用化学方式把芯材上的金属铜蚀刻掉,即为预开窗工艺。现有HDI板预开窗工艺的通常做法是在芯板的表面贴负性感光干膜或涂敷负性感光油墨,然后用聚对苯二甲酸乙二酯PET材质的底片曝光成像,曝光区域的干膜或油墨具有抗显影、抗蚀刻性能,使芯板上的铜面得到保护。非曝光区域的负性感光干膜或负性感光油墨可以被显影露出铜箔面进而被蚀刻掉,形成与激光蚀孔位置相对应的圆形窗口,激光蚀孔以后通过电镀等常规工艺,即可形成芯板的内外层互连。现有的加工工艺存在以下不足。I、聚对苯二甲酸乙二酯PET材质具有随温湿度的变化特别是湿度的变化呈现涨缩的现象,其次PET底片在制作、搬运、储存、使用过程中会发生不可逆的物理变形,致使激光窗口与内层的联结盘不能对准,产生多种质量缺陷。2,PET底片和保护膜的厚度通常为200微米,负性感光干膜的厚度为30_50微米(负性感光油墨厚度为10-20微米),当使用非平行光曝光成像时,由于底片保护膜的影响和光线的反复衍射,以及感光抗蚀层厚度大时解像力变差的影响,容易出现开窗直径偏小,甚至消失的现象,造成产品不良,导致产品的良品率低。

发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,有效降低加工难度,减少生广成本,提闻工作效率,大幅提闻广品的良品率。为了解决上述技术问题,本发明采取以下技术方案
一种带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,包括以下步骤(I)在待加工的芯板上表面涂覆正性光刻胶膜层,(2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光,(3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理,(4)对显像后的芯板进行蚀刻处理,(5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉,(6)对芯板进行清洗,(7)对芯板进行干燥,(8)利用激光对芯板钻盲孔,(9)对盲孔进行电镀,然后进行图形转移等后续加工。所述芯板表面涂敷的正性光刻胶膜层的厚度为10 20微米。所述芯板放在曝光机内曝光时的曝光能量为30-70兆焦耳每平方厘米mj/cm2。
所述芯板显像处理时采用质量百分比浓度为1%的NaCO3溶液对芯板进行喷淋,喷淋时间为70 130秒,喷淋温度为30°C。所述芯板剥膜时采用质量百分比浓度为3%的NaHO溶液对芯板喷淋110 130秒,喷淋温度为50°C。所述铝片的厚度为100 150微米。本发明采用铝片替代传统的聚对苯二甲酸乙二酯PET材质的底片,实现高精度的 图像转移,减少了内外层错位、局部偏移导致的内外层接续不良,减少由于对位不准而导致的激光烧蚀过度问题。另外,铝片较薄并且无须贴付保护膜,采用正性光刻胶使解像力提高,避免激光预开窗口的尺寸偏小,提高产品的良品率,保证加工精度,还降低了加工难度,提高了作业效率,降低生产成本。
具体实施例方式为了便于本领域技术人员的理解,下面结合具体实施例对本发明作进一步的描述。本发明揭示了一种带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,即带埋盲孔的DHI PCB板,包括以下步骤(I)在待加工的芯板上表面涂覆正性光刻胶膜层。(2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光,曝光区域为芯板上正对铝片通孔的区域,使该区域的正性光刻胶分解。(3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理,将铝片通孔正对的芯板上的区域的经曝光分解后的正性光刻胶去除,使芯板表面的铜片外露。(4)对显像后的芯板进行蚀刻处理,将芯板上露出的铜片蚀掉,直到看到芯板内的树脂为止。该蚀刻工艺为本领域技术人员公知的常用技术,其采用的蚀刻酸性液为本领域常用的即可,其各项参数也采用现有的公知技术参数即可。(5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉。(6)对芯板进行清洗,采用普通的清水即可。(7)清洗完毕后,对芯板进行干燥,可自然风干,或者用热风进行烘干,或者其他方式烘干,在此不一一列举。(8)利用激光对芯板钻盲孔,将芯板上露出树脂的区域进行激光处理,去掉该区域的树脂,直到见到芯板内的铜片为止,形成盲孔。(9)对盲孔进行电镀,使该盲孔内的铜片与芯板外表面的铜片导通,然后进行图形转移等后续加工。需要说明的是,激光钻盲孔、电镀、图形转移及其他后续加工工艺,其加工过程中涉及到的各项参数采用本领域技术人员公知的现有参数即可,其处理手段也是本领域技术人员公知的技术手段,在此不再作详细的赘述。采用的曝光机也是本领域使用的普通的曝光机。另外,芯板表面涂敷的正性光刻胶膜层的厚度为10 20微米,芯板放在曝光机内曝光时的曝光能量为30-70兆焦耳每平方厘米mj/cm2。芯板显像处理时采用质量百分比浓度为1%的NaCO3溶液对芯板进行喷淋,喷淋时间为70 130秒,喷淋温度为30°C。芯板剥膜时采用质量百分比浓度为3%的NaHO溶液对芯板喷淋110 130秒,喷淋温度为50°C。铝片的厚度为100 150微米。另外,本发明技术方案中提到的芯板,可为经压合后的4层板、6层板、8层板,或更多偶数层板,在此不一一列举。芯板由具有导电图形的基板、半固化片和铜片压合而成,其表面为铜片,内部由含有树脂及含有铜片的导电层组成。下面以具体的实施例进行详细的说明。实施例一,(I)在芯板上表面涂覆厚度为10微米的正性光刻胶膜层。(2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置厚度为100微米的带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光,曝光区域为芯板上正对铝片通孔的区域,使该区域的正性光刻胶分解。曝光机曝光时的能量为30兆焦耳每平方厘米。(3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理,将铝片通孔正对的芯板上的区域的经曝光分解后的正性光刻胶去除,使芯板表面的铜片外露。显像处理时采用质量百分比浓度为1%的NaCO3溶液对芯板进行喷淋,喷淋时间为70秒,喷淋温度为30°C。(4)对显像后的芯板进行蚀刻处理,将芯板上露出的铜片蚀掉,直到看到芯板内的树脂为止。该蚀刻工艺为本领域技术人员公知的常用技术,其采用的蚀刻酸性液为本领域常用的即可,其各项参数也采用现有的公知技术参数即可。(5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉。剥膜时采用质量百分比浓度为3%的NaHO溶液对芯板喷淋110秒,喷淋温度为501。(6)对芯板进行清洗,采用普通的清水即可。(7)清洗完毕后,对芯板进行干燥,可自然风干,或者用热风进行烘干,或者其他方式烘干,在此不一一列举。(8)利用激光对芯板钻盲孔,将芯板上露出树脂的区域进行激光处理,去掉该区域的树月旨,直到见到芯板内的铜片为止,形成盲孔。该激光钻孔工艺采用本领域技术人员公知的工艺即可,其加工过程中涉及的各项工艺参数为公知参数。(9)对盲孔进行电镀,使该盲孔内的铜片与芯板外表面的铜片导通,然后进行图形转移等后续加工。电镀、图形转移及其他后续加工按照本领域技术人员所公知的加工工艺进行即可,同样,在加工过程中涉及到的参数采用公知参数即可。实施例二,(I)在芯板上表面涂覆厚度为15微米的正性光刻胶膜层。(2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置厚度为125微米的带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光,曝光区域为芯板上正对铝片通孔的区域,使该区域的正性光刻胶分解。曝光机曝光时的能量为50兆焦耳每平方厘米。(3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理,将铝片通孔正对的芯板上的区域的经曝光分解后的正性光刻胶去除,使芯板表面的铜片外露。显像处理时采用质量百分比浓度为1%的NaCO3溶液对芯板进行喷淋,喷淋时间为100秒,喷淋温度为30°C。(4)对显像后的芯板进行蚀刻处理,将芯板上露出的铜片蚀掉,直到看到芯板内的树脂为止。该蚀刻工艺为本领域技术人员公知的常用技术,其采用的蚀刻酸性液为本领域常用的即可,其各项参数也采用现有的公知技术参数即可。(5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉。剥膜时采用质量百分比浓度为3%的NaHO溶液对芯板喷淋120秒,喷淋温度为50°C。(6)对芯板进行清洗,采用普通的清水即可。(7)清洗完毕后,对芯板进行干燥,可自然风干,或者用热风进行烘干,或者其他方式烘干,在此不一一列举。(8)利用激光对芯板钻盲孔,将芯板上露出树脂的区域进行激光处理,去掉该区域的树脂, 直到见到芯板内的铜片为止,形成盲孔。该激光钻孔工艺采用本领域技术人员公知的工艺即可,其加工过程中涉及的各项工艺参数为公知参数。(9)对盲孔进行电镀,使该盲孔内的铜片与芯板外表面的铜片导通,然后进行图形转移等后续加工。电镀、图形转移及其他后续加工按照本领域技术人员所公知的加工工艺进行即可,同样,在加工过程中涉及到的参数采用公知参数即可。实施例三,(I)在芯板上表面涂覆厚度为20微米的正性光刻胶膜层。(2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置厚度为150微米的带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光,曝光区域为芯板上正对铝片通孔的区域,使该区域的正性光刻胶分解。曝光机曝光时的能量为70兆焦耳每平方厘米。(3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理,将铝片通孔正对的芯板上的区域的经曝光分解后的正性光刻胶去除,使芯板表面的铜片外露。显像处理时采用质量百分比浓度为1%的NaCO3溶液对芯板进行喷淋,喷淋时间为130秒,喷淋温度为30°C。(4)对显像后的芯板进行蚀刻处理,将芯板上露出的铜片蚀掉,直到看到芯板内的树脂为止。该蚀刻工艺为本领域技术人员公知的常用技术,其采用的蚀刻酸性液为本领域常用的即可,其各项参数也采用现有的公知技术参数即可。(5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉。剥膜时采用质量百分比浓度为3%的NaHO溶液对芯板喷淋130秒,喷淋温度为50°C。(6)对芯板进行清洗,采用普通的清水即可。(7)清洗完毕后,对芯板进行干燥,可自然风干,或者用热风进行烘干,或者其他方式烘干,在此不一一列举。
(8)利用激光对芯板钻盲孔,将芯板上露出树脂的区域进行激光处理,去掉该区域的树脂,直到见到芯板内的铜片为止,形成盲孔。该激光钻孔工艺采用本领域技术人员公知的工艺即可,其加工过程中涉及的各项工艺参数为公知参数。(9)对盲孔进行电镀,使该盲孔内的铜片与芯板外表面的铜片导通,然后进行图形转移等后续加工。电镀、图形转移及其他后续加工按照本领域技术人员所公知的加工工艺进行即可,同样,在加工过程中涉及到的参数采用公知参数即可。
权利要求
1.一种带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,包括以下步骤 (1)在待加工的芯板上表面涂覆正性光刻胶膜层; (2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光; (3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理; (4)对显像后的芯板进行蚀刻处理; (5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉; (6)对芯板进行清洗; (7)对芯板进行干燥; (8)利用激光对芯板钻盲孔; (9)对盲孔进行电镀,然后进行图形转移等后续加工。
2.根据权利要求I所述的带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,其特征在于所述芯板表面涂敷的正性光刻胶膜层的厚度为10 20微米。
3.根据权利要求2所述的带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,其特征在于所述芯板放在曝光机内曝光时的曝光能量为30-70兆焦耳每平方厘米(mj/cm2 )。
4.根据权利要求3所述的带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,其特征在于所述芯板显像处理时采用质量百分比浓度为1%的NaCO3溶液对芯板进行喷淋,喷淋时间为70 130秒,喷淋温度为30°C。
5.根据权利要求4所述的带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,其特征在于所述芯板剥膜时采用质量百分比浓度为3%的NaHO溶液对芯板喷淋110 130秒,喷淋温度为50°C。
6.根据权利要求I所述的带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,其特征在于所述铝片的厚度为100 150微米。
全文摘要
一种带埋盲孔的高密度互连PCB板的预开窗工艺,包括以下步骤(1)在待加工的芯板上表面涂覆正性光刻胶膜层,(2)在涂覆了正性光刻胶的芯板上表面放置带通孔的铝片,然后将芯板及铝片放入曝光机中曝光,(3)曝光完成后取走铝片,对芯板进行显像处理,(4)对显像后的芯板进行蚀刻处理,(5)剥膜,将芯板上剩余的正性光刻胶膜层剥除掉,(6)对芯板进行清洗,(7)对芯板进行干燥,(8)利用激光对芯板钻盲孔,(9)对盲孔进行电镀形成导通孔,然后进行图形转移等后续加工。本发明降低了加工难度,提高加工精度,提高工作效率,减少了生产成本,大幅提高产品的良品率。
文档编号H05K3/00GK102686031SQ20121016505
公开日2012年9月19日 申请日期2012年5月25日 优先权日2012年5月25日
发明者王爱军 申请人:东莞山本电子科技有限公司
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