一种改进的铸锭用坩埚的制作方法

文档序号:8067777阅读:252来源:国知局
一种改进的铸锭用坩埚的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种改进的铸锭用坩埚,包括坩埚本体,其特征在于:坩埚本体的侧壁和底部均设有凹槽,凹槽的侧壁与坩埚本体呈锐角,坩埚本体的内表面设有盐类涂层,盐类涂层上还设有高纯石英玻璃内层。本发明的优点是:凹槽可有效的晶体的浮动,坩埚本体内的涂层可有效抑制坩埚内部杂质的扩散,提高了晶锭的利用率和电池的转换率。
【专利说明】一种改进的铸锭用坩埚
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种坩埚,尤其涉及一种改进的铸锭用坩埚。
【背景技术】
[0002]随着光伏发电技术的逐渐成熟,太阳能电池的应用也蓬勃发展,太阳能电池通常形成于硅衬底上,该硅衬底可以呈现为单晶硅沉底或多晶硅衬底,目前,获得硅衬底的常见方法是通过硅料的熔化,凝固以及切割来完成的。坩埚是用来装载多晶硅原料的容器,但是将晶体在坩埚中熔化的时候,容易出现晶体浮动,影响单晶硅的生成,在铸锭的时候,行业内普遍的在坩埚内表面喷涂高纯的氮化硅,抑制了硅与坩埚的反应,减少了硅锭中氧的引入,同时起到了脱模作用,但是氮化硅并不能有效的抑制坩埚中的金属杂质元素的扩散,造成晶锭的利用率不高,电池效率也受到影响。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是提供一种改进的铸锭用坩埚。
[0004]本发明采用的技术方案是:
一种改进的铸锭用坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体的侧壁和底部均设有凹槽,所述凹槽的侧壁与坩埚本体呈锐角,所述坩埚本体的内表面设有盐类涂层,所述盐类涂层上还设有高纯石英玻璃内层。
[0005]所述锐角的度数为50。≤α≤80。。
[0006]所述坩埚本体为石英陶瓷坩埚。
[0007]所述盐类涂层的厚度为l_2mm。
[0008]所述高纯石英玻璃内层的厚度为3_5mm。
[0009]本发明的优点是:凹槽可有效的晶体的浮动,坩埚本体内的涂层可有效抑制坩埚内部杂质的扩散,提高了晶锭的利用率和电池的转换率。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0011]图1为本发明的结构示意图。
[0012]其中:1、坩埚本体,2、凹槽,3、盐类涂层,4、高纯石英玻璃内层。
【具体实施方式】
[0013]实施例1
如图1所示,本发明的一种改进的铸锭用坩埚,包括坩埚本体I,坩埚本体I的侧壁和底部均设有凹槽2,凹槽2的侧壁与坩埚本体I呈50°角,坩埚本体I的内表面设有盐类涂层3,盐类涂层3上还设有高纯石英玻璃内层4,坩埚本体I为石英陶瓷坩埚,盐类涂层3的厚度为1mm,高纯石英玻璃内层4的厚度为3mm。凹槽2可有效的晶体的浮动,坩埚本体I内的涂层可有效抑制坩埚内部杂质的扩散,提高了晶锭的利用率和电池的转换率。
[0014]实施例2
如图1所示,本发明的一种改进的铸锭用坩埚,包括坩埚本体1,坩埚本体I的侧壁和底部均设有凹槽2,凹槽2的侧壁与坩埚本体I呈65°角,坩埚本体I的内表面设有盐类涂层3,盐类涂层3上还设有高纯石英玻璃内层4,坩埚本体I为石英陶瓷坩埚,盐类涂层3的厚度为1.5_,高纯石英玻璃内层4的厚度为4_。凹槽2可有效的晶体的浮动,坩埚本体I内的涂层可有效抑制坩埚内部杂质的扩散,提高了晶锭的利用率和电池的转换率。
[0015]实施例3
如图1所示,本发明的一种改进的铸锭用坩埚,包括坩埚本体I,坩埚本体I的侧壁和底部均设有凹槽2,凹槽2的侧壁与坩埚本体I呈80°角,坩埚本体I的内表面设有盐类涂层3,盐类涂层3上还设有高纯石英玻璃内层4,坩埚本体I为石英陶瓷坩埚,盐类涂层3的厚度为2mm,高纯石英玻璃内层4的厚度为5mm。凹槽2可有效的晶体的浮动,坩埚本体I内的涂层可有效抑制坩埚内部杂质的扩散,提高了晶锭的利用率和电池的转换率。
【权利要求】
1.一种改进的铸锭用坩埚,包括坩埚本体,其特征在于:所述坩埚本体的侧壁和底部均设有凹槽,所述凹槽的侧壁与坩埚本体呈锐角,所述坩埚本体的内表面设有盐类涂层,所述盐类涂层上还设有高纯石英玻璃内层。
2.根据权利要求1所述的一种改进的铸锭用坩埚,其特征在于:所述锐角的度数为50° ^ a ^ 80°。
3.根据权利要求1所述的一种改进的铸锭用坩埚,其特征在于:所述坩埚本体为石英陶瓷坩埚。
4.根据权利要求1所述的一种改进的铸锭用坩埚,其特征在于:所述盐类涂层的厚度为 1-2mmο
5.根据权利要求1所述的一种改进的铸锭用坩埚,其特征在于:所述高纯石英玻璃内层的厚度为3-5mm。·
【文档编号】C30B29/06GK103849925SQ201210502639
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年11月30日 优先权日:2012年11月30日
【发明者】王金青 申请人:王金青
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