专利名称：单晶炉导流罩的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶硅制备中使用的单晶炉导流罩。
背景技术：
在单晶硅的制备过程中，需要使用单晶炉拉制单晶硅。现有的单晶炉由炉体、石英坩埚和用于向石英坩埚中导入氮气的单晶炉导流罩组成，所述的单晶炉导流罩顶端设有边沿。在使用时 ，将单晶炉导流罩的边沿搭在石英坩埚上，并向其中通入氮气，氮气经过导流罩进入石英坩埚。其缺点是单晶炉导流罩伸入石英坩埚内且不能移动，石英坩埚内的原料最多只能与单晶炉导流罩的下表面平齐，石英坩埚的装料量少，单晶硅的生产效率低，生产成本高。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种单晶炉导流罩，以增加石英坩埚的装料量，提高单晶硅的生产效率，降低生产成本。本实用新型是这样实现的一种单晶炉导流罩，包括导流罩本体，在导流罩本体顶端设有边沿，其特殊之处是在边沿上端面沿圆周方向均匀地设有三个提环，在导流罩本体上方设有提拉杆和与提拉杆铰接的三个爪臂，在爪臂上设有外翻并可钩在提环上的爪钩。本实用新型的有益效果是由于设有提拉杆和爪臂，导流罩本体通过爪臂悬置石英坩埚上，通过提升导流罩本体，可加大石英坩埚的装料量；每炉可拉制更多单晶硅，提高了单晶硅的生产效率；生产单位质量的单晶硅耗费的人力、能源少，降低了生产成本。
图I是本实用新型的结构示意图。图中导流罩本体1，边沿101，提环2，爪臂3，爪钩301，提拉杆4，销轴5。
具体实施方式
如图所示，该单晶炉导流罩包括导流罩本体1，在导流罩本体I顶端设有边沿101， 在边沿101上沿圆周方向均匀地通过螺栓连接有三个提环2，在导流罩本体I上方设有提拉杆4，在提拉杆4上与提环2对应位置通过销轴5设有可在竖直平面内转动的爪臂3，在爪臂3上设有外翻并可钩在提环上的钩爪301。使用时，将钩爪301分别勾在提环2上，并通过提拉杆4提升导流罩本体1，加入原料，装满石英坩埚，通过提拉杆4降低导流罩本体I至导流罩本体I的下表面与石英坩埚的上表面平齐，向导流罩本体I中通入氮气。
权利要求1.一种单晶炉导流罩，包括导流罩本体，在导流罩本体顶端设有边沿，其特征是在边沿上端面沿圆周方向均匀地设有三个提环，在导流罩本体上方设有提拉杆和与提拉杆铰接的三个爪臂，在爪臂上设有外翻并可钩在提环上的爪钩。
专利摘要一种单晶炉导流罩，包括导流罩本体，在导流罩本体顶端设有边沿，其特殊之处是在边沿上端面沿圆周方向均匀地设有三个提环，在导流罩本体上方设有提拉杆和与提拉杆铰接的三个爪臂，在爪臂上设有外翻并可钩在提环上的爪钩。优点是由于设有提拉杆和爪臂，导流罩本体通过爪臂悬置石英坩埚上，通过提升导流罩本体，可加大石英坩埚的装料量；每炉可拉制更多单晶硅，提高了单晶硅的生产效率；生产单位质量的单晶硅耗费的人力、能源少，降低了生产成本。
文档编号C30B29/06GK202465947SQ20122006287
公开日2012年10月3日 申请日期2012年2月25日 优先权日2012年2月25日
发明者潘强, 王存, 赵极 申请人:锦州佑华硅材料有限公司