专利名称：一种高频电子镇流器控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高频电子镇流器控制电路。
背景技术：
众所周知，高压气体放电灯(High intensity Discharge, HID)是萊、钠、金、氣灯的统称，即汞灯、钠灯、金卤灯、氙灯。其中，陶瓷金卤灯因其发光效率高，显色性好，寿命长等优势在HID灯族中脱引而出，已在照明领域中得到广泛的应用。和一切HID灯镇流器的发展趋势一样，陶瓷金卤灯电子镇流器正逐步取代传统使用的电感镇流器。然而，由于电子镇流器在10KHz-250KHz的工作频段之间存在‘声共振’问题，所以，为了避开‘声共振’的频率窗口，HID电子镇流器又有‘低频方波电子镇流器’和‘高频电子镇流器’之分。采用‘低频方波电子镇流器’，工作频率 大多数被设定栽400HKZ之下，它可以解决‘声共振’和恒功率运行问题，但它采用三级变换电路，逆变器为全桥结构，电路复杂，体积大，成本高，容易产生音频噪音，效率相对较低，方波激励对灯管的寿命也有不利。若采用超出‘声共振’窗口上限的高频正弦波激励，不单可以有效地避免‘声共振’的发生，避免音频噪音，而且可以提高光效，消除频闪，减少无源元器件的体积，减低成本。显然，这种形式的高频电子镇流器，其工作频率应该在数百KHz以上。
实用新型内容本实用新型提出一种高频电子镇流器控制电路，解决了现有技术中有效地避免“声共振”的发生，避免音频噪音，电路复杂，体积大，成本高的问题。本实用新型的技术方案是这样实现的本实用新型公开了一种高频电子镇流器控制电路，包括可变频率振荡器，与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，所述的可变频率振荡器外接调控频率电路，所述的调控频率电路由电阻及与所述的电阻串接的可调电位器组成，所述的调控频率电路一端输入所述的可变频率振荡器，另一端接地。在本实用新所述的高频电子镇流器控制电路中，所述的高频电子镇流器控制电路还包括滤波电路，连接于所述的谐振匹配电路及所述的高压气体放电灯之间，用于对所述的谐振匹配电路进行滤波。在本实用新所述的高频电子镇流器控制电路中，所述的变压器耦合电路具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈，所述的可变频率振荡器产生的振荡电压通过变压器的初级线圈稱合到两个次级线圈。在本实用新所述的高频电子镇流器控制电路中，所述的谐振匹配电路由两组功率场效应管MOSFET源极串接而成，第一组功率场效应管MOSFET的漏极均与所述的初级线圈相连，栅极均与所述的可变频率振荡器相连，第二组功率场效应管MOSFET的栅极均与次级线圈相连，漏极均接地。实施本实用新型的一种高频电子镇流器控制电路，具有以下有益的技术效果远离了 ‘声共振’窗口、而且无频闪、效率高、电路简单、造价低、工作可靠。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本实用新型一种高频电子镇流器控制电路功能模块示意图；图2是本实用新型一种高频电子镇流器控制电路连接示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参阅图I及图2，本实用新型的较佳实施例，一种高频电子镇流器控制电路，包括可变频率振荡器1，与可变频率振荡器I相连的变压器耦合电路2，与变压器耦合电路2相连的谐振匹配电路3，谐振匹配电路3与高压气体放电灯6相连，可变频率振荡器I外接调控频率电路5，调控频率电路5由电阻及与电阻串接的可调电位器组成，调控频率电路5一端输入可变频率振荡器1，另一端接地。在本实用新型的另一实施例中，本实用新型的高频电子镇流器控制电路还包括滤波电路4，连接于谐振匹配电路3及高压气体放电灯6之间，用于对谐振匹配电路3进行滤波。其中，变压器耦合电路2具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈，可变频率振荡器I产生的振荡电压通过变压器的初级线圈耦合到两个次级线圈。谐振匹配电路3由两组功率场效应管MOSFET源极串接而成，第一组功率场效应管MOSFET的漏极均与初级线圈相连，栅极均与可变频率振荡器相连，第二组功率场效应管MOSFET的栅极均与次级线圈相连，漏极均接地。可变频率振荡器I可用集成电路,型号为MC33067来实现，它是一种高性能的谐振型集成IC控制器，该IC的特点是‘可变频率振荡器具有可控死区，准确再触发单稳态定时器’，具有温度补偿基准，准确输出钳位的高增益带宽误差放大器，控制触发器两个高电流图腾柱输出，非常适合于驱动功率M0SFET，MC33067是一种性能极佳的航空电源管理1C，为摩托罗拉公司所生产，其工作频率可在数百KHz-2MHz以上变化，通常用于宽输入范围的降压、稳压、大电流电源管理控制，将MC33067的外围元件和引脚适当处理，就可以改造成恒频输出，用作HID高频电子镇流器的可变频率振荡器1，这种‘移花接木’的设计方案，既可达到优良的设计要求，也使成本降低，将‘可变频率振荡器具有可控死区’改造成‘恒频率振荡器具有可控死区’。为此，只需要将IC的第5脚(电压基准)接至第7脚(误差放大器)，第3脚独立输出，并通过串接一个3K Ω和可调电位器4. 7K Ω对地(调控频率电路5)，第6脚、第8脚各通过一个IOK Ω以上的电阻与第6脚相接接。这样，就构成一个MOSFET管的驱动1C，它具有可编程的工作频率，适当调整第3脚的可调电位器，就可以很方便地改变工作频率。图2中，IC的12、14脚分别接于二个缓冲级的输入端，缓冲级由V2、V3、组成，其输出构成图腾柱，驱动半桥上下臂V4和V5。上下臂的中点输出方波信号，经过匹配、滤波网络，变成高频正弦波，点燃一个容性负载的HID灯管，其电功率可高至250W。作为典型的例子，图2的电路可成功应用于飞利浦210W/930CDM-TMW陶瓷金卤灯，是一种新型、高效、性能优越的HID高频电子镇流器。如果电功率小于150W，缓冲级V2-V3可以不用，直接由IC驱动半桥。图2 中，第 I 脚的 R15 = 2. 7ΚΩ，C18 = 330pf ;第 3 脚的 R16 = 3ΚΩ+2. 2ΚΩ 可调电阻，作为频率微调之用。而第16脚的R20 = 2. 7KQ，C19 = IOOPf，改变R20可以调节‘死时间’的大小，使半桥MOSFET管V4、V5的开关噪音最低，发热最小。C18、C19需用NPO 材料的贴片电容，R15、R16、R20需用金属氧化膜电阻，以确保小的温度系数。本发明用MC33067改造的IC驱动HID高频电子镇流器配飞利浦210W陶瓷金卤灯实测数据如下Vin = 220v, Iin = I. 066A，功率因数=O. 993，直流输出 Vdd = +400v,灯启动时频率f0 = 741KHz，工作频率fl = 703. 5KHz，启动电功率=52W,稳态电功率=232W.工作状态良好，连续点燃48小时不发生故障，热灯重启动时间为6-8分钟。电路输出为高频正弦波，与低频方波电子镇流器实测对比，光效每瓦高出大约6. 5-7Lum/w。这样的结果十分令人满意。实施本实用新型的一种高频电子镇流器控制电路，具有以下有益的技术效果远离了“声共振”窗口、而且无频闪、效率高、电路简单、造价低、工作可靠。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种高频电子镇流器控制电路，包括可变频率振荡器，与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，其特征在于，所述的可变频率振荡器外接调控频率电路，所述的调控频率电路由电阻及与所述的电阻串接的可调电位器组成，所述的调控频率电路一端输入所述的可变频率振荡器，另一端接地。
2.根据权利要求I所述的高频电子镇流器控制电路，其特征在于，所述的高频电子镇流器控制电路还包括滤波电路，连接于所述的谐振匹配电路及所述的高压气体放电灯之间，用于对所述的谐振匹配电路进行滤波。
3.根据权利要求I所述的高频电子镇流器控制电路，其特征在于，所述的变压器耦合电路具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈，所述的可变频率振荡器产生的振荡电压通过变压器的初级线圈耦合到两个次级线圏。
4.根据权利要求3所述的高频电子镇流器控制电路，其特征在于，所述的谐振匹配电路由两组功率场效应管MOSFET源极串接而成，第一组功率场效应管MOSFET的漏极均与所述的初级线圈相连，栅极均与所述的可变频率振荡器相连，第二组功率场效应管MOSFET的栅极均与次级线圈相连，漏极均接地。
专利摘要本实用新型提出了一种高频电子镇流器控制电路，包括可变频率振荡器，与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，所述的可变频率振荡器外接调控频率电路，所述的调控频率电路由电阻及与所述的电阻串接的可调电位器组成，所述的调控频率电路一端输入所述的可变频率振荡器，另一端接地。本实用新型一种高频电子镇流器控制电路远离了“声共振”窗口、而且无频闪、效率高、电路简单、造价低、工作可靠。
文档编号H05B41/282GK202617483SQ20122019556
公开日2012年12月19日 申请日期2012年5月2日 优先权日2012年5月2日
发明者谢立山 申请人:深圳市格林莱电子技术有限公司