专利名称：生长炉供水系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及生长炉技术领域，特别涉及一种生长炉供水系统，尤其涉及一种碳化硅晶体生 长炉供水系统。
背景技术：
碳化硅晶体生长炉采用感应加热工艺，但由于生长炉的感应线圈采用的是多匝单线圈圆形样式，线圈通径小，匝数多，极易存在水垢等杂质，堵塞线圈，影响电源的正常使用。现有技术，在生长炉电源的进水处装有过滤网，但由于过滤网网格密度大，在水质不好的情况下，过滤网很容易发生堵塞，经常需要拆卸清理。而碳化硅晶体生长炉生长周期长，如果在碳化硅晶体生长期间出现堵塞，水流量低于电源加热时所需水流量，电源将断开加热。碳化硅晶体生长炉将不能正常工作。
实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种生长炉供水系统，采取双过滤管道，双过滤管道交替为电源提供水流，可避免生长炉不因过滤管道堵塞而不能正常工作。(二)技术方案一种生长炉供水系统，所述系统包括并联的多路过滤管道，所述这些过滤管道安装在电源进水总过滤网的上游，所述每路过滤管道中设置有第一过滤网。更好地，所述供水系统包括并联的两路过滤管道。更好地，所述每路过滤管道内还设置有第一截门、第二截门，所述每路过滤管道中的第一过滤网位于所述第一截门和第二截门之间。更好地，在所述第一过滤网和第二截门之间设置T型管，所述T型管上设有第三截门。(三)有益效果本实用新型的生长炉供水系统，采取双过滤管道，双过滤管道交替为电源提供水流，可避免生长炉因过滤管道堵塞而不能正常工作的现象发生。
图I是本实用新型生长炉供水系统结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。[0015]如图I所示，生长炉供水系统，包括并联的多路过滤管道，所述这些过滤管道安装在电源进水总过滤网9的上游。所述供水系统包括并联的两路过滤管道。所述每路过滤管道内还设置有第一截门(1，3)、第二截门(2，4)和第一过滤网(7，8)，所述每路过滤管道中的第一过滤网(7，8)位于所述第一截门(1，3)和第二截门(2，4)之间。在所述第一过滤网(7，8)和第二截门(2，4)之间设置T型管，所述T型管上设有第三截门(5，6)。工作原理工作时，如图I所示，打开过滤管道1’，进水将通过第一截门I、第一过滤网7、第二截门2和总过滤网9进入电源内部进行降温，当第一过滤网7被水垢杂质等堵塞时，水流量迅速降低，电源内部流量传感器检测到水流量低于电源加热所需最小流量时，发出警报信号到生长炉内的控制装置中，如果30秒内传感器检测到的水流量仍然没有达到电源所需最小流量，控制装置将立即控制第一截门I和第二截门2关闭，并打开过滤管道2”的第一截门3和第二截门4，此时水流通过所述第一截门3、第一过滤网7、第二截门4和 总过滤网9进入电源内部进行降温。当过滤管道I’的第一截门I和第二截门2关闭后，操作人员手动打开T型管上的第三截门5，将过滤管道I’内的水排空，并对第一过滤网7进行清洗。同理，当过滤管道2’的第一截门3和第二截门4关闭后，操作人员手动打开T型管上的第三截门6，将过滤管道2’内的水排空，并对第一过滤网8进行清洗。以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
权利要求1.一种生长炉供水系统，其特征在于，所述系统包括并联的多路过滤管道，所述这些过滤管道安装在电源进水总过滤网的上游，所述每路过滤管道中设置有第一过滤网。
2.如权利要求I所述的生长炉供水系统，其特征在于，所述供水系统包括并联的两路过滤管道。
3.如权利要求2所述的生长炉供水系统，其特征在于，所述每路过滤管道内还设置有第一截门、第二截门，所述每路过滤管道中的第一过滤网位于所述第一截门和第二截门之间。
4.如权利要求3所述的生长炉供水系统，其特征在于，在所述第一过滤网和第二截门之间设置T型管，所述T型管上设有第三截门。
专利摘要本实用新型公开了一种生长炉供水系统，所述系统包括并联的多路过滤管道，所述这些过滤管道安装在电源进水总过滤网的上游，所述每路过滤管道中设置有第一过滤网。本实用新型的生长炉供水系统，采取双过滤管道，双过滤管道交替为电源提供水流，可避免生长炉因过滤管道堵塞而不能正常工作的现象发生。
文档编号C30B35/00GK202786515SQ20122032496
公开日2013年3月13日 申请日期2012年7月5日 优先权日2012年7月5日
发明者黄鸣, 谭三成 申请人:北京七星华创电子股份有限公司