专利名称：具有热解氮化硼保护层的加热器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及加热器技术领域，具体地说是一种具有热解氮化硼保护层的加热器。
背景技术：
随着科技的发展，对材料质量，特别是纯度的要求也进一步提高。因此在一些对纯净度要求较高的高温反应或处理过程中都是在一定的密闭空间内完成。但用于加热的加热器一般都在同一密闭空间内，所以就要求加热器在加热过程中不能有任何物质挥发出来，以免挥发出的物质混入反应物或被处理的物质中形成杂质，影响材料的纯度及质量。为此，人们选用性质稳定的材料来制造加热器，使其在高温条件下也不易挥发。但现有的加热器仍存在诸多问题。如制造成本高，或在高温下难免有物质挥发出来从而产生坏的影响。有鉴于上述现有的加热器存在的诸多问题，本实用新型的设计人依靠多年的工作经验和丰富的专业知识积极加以研究和创新，最终研发出一种具有热解氮化硼保护层的加热器，有效控制物质挥发。
实用新型内容为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种具有热解氮化硼保护层的加热器，有效控制物质挥发。为了解决上述技术问题，本实用新型采用了如下技术方案具有热解氮化硼保护层的加热器，包括加热器本体，所述加热器本体的表面覆有热解氮化硼保护层。进一步，所述加热器本体呈迂回的折线形。进一步，所述热解氮化硼保护层的厚度为O. 01_3mm。进一步，所述热解氮化硼保护层通过化学气相沉积法覆于加热器本体的表面。进一步，所述加热器本体为石墨加热器或陶瓷加热器。与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于本实用新型的具有热解氮化硼保护层的加热器在表面覆有热解氮化硼保护层，由于热解氮化硼的性质在高温条件也极其稳定，所以在蒸发过程中不会挥发而影响蒸发所得材料的纯度。另外，热解氮化硼结构致密，有效地阻止了加热器本体所含的物质的挥发，提高了高温条件下高温空间环境的纯净度，提高了高温蒸发生成材料的纯度。
图1为本实用新型的具有热解氮化硼保护层的加热器的实施例的结构剖图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述，但不作为对本实用新型的限定。图1为本实用新型的具有热解氮化硼保护层的加热器的实施例的结构剖图。如图1所示，具有热解氮化硼保护层的加热器，包括加热器本体1，加热器本体I的表面覆有热解氮化硼保护层2。作为上述实施例的优选，热解氮化硼保护层的厚度为O. 01_3mm。热解氮化硼保护层的厚度越薄，成本就越低。厚度达到O. Olmm即可有效阻止加热器本体中的物质挥发。热解氮化硼保护层通过化学气相沉积法覆于加热器本体的表面。加热器本体为石墨或陶瓷制成。由于石墨的性质比较稳定，耐高温，所以在一定程度上也限制了加热器本体中物质的挥发。陶瓷成本较低，加上热解氮化硼保护层后具有良好的防挥发性，同时保证了低成本。加热器本体呈迂回的折线形增加了加热体的总体长度，能够适应不同的加热空间。化学气相沉积(Chemical vapor deposition,简称CVD)是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其他气体引入反应室，在衬底材料表面生成薄膜的过程。本实用新型利用化学气相沉积法在加热器表面覆上热解氮化硼保护层，易于实施。热解氮化硼具有熔点高、导热、绝缘性能良好，抗弯强度高、抗热冲击性能好、耐化学腐蚀等特性，且热解氮化硼结构致密，在高温条件下性质稳定，是非常优异的加热器的表面涂层材料。有效阻止加热器物质挥发，提高了高温条件下高温空间环境的纯净度，提高了高温蒸发生成材料的纯度。以上实施例仅为本实用新型的示例性实施例，不用于限制本实用新型，本实用新型的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围内，对本实用新型做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.具有热解氮化硼保护层的加热器，包括加热器本体，其特征在于，所述加热器本体的表面覆有热解氮化硼保护层。
2.根据权利要求1所述的具有热解氮化硼保护层的加热器，其特征在于，所述加热器本体呈迂回的折线形。
3.根据权利要求1所述的具有热解氮化硼保护层的加热器，其特征在于，所述热解氮化硼保护层的厚度为O. 01-3mm。
4.根据权利要求1所述的具有热解氮化硼保护层的加热器，其特征在于，所述加热器本体为石墨加热器或陶瓷加热器。
专利摘要本实用新型公开了一种具有热解氮化硼保护层的加热器，所述加热器本体的表面覆有热解氮化硼保护层。所述加热器本体呈迂回的折线形。所述热解氮化硼保护层的厚度为0.01-3mm。所述热解氮化硼保护层通过化学气相沉积法覆于加热器本体的表面。所述加热器本体为石墨加热器或陶瓷加热器。本实用新型的具有热解氮化硼保护层的加热器有效控制物质挥发。
文档编号H05B3/10GK202873091SQ201220428478
公开日2013年4月10日 申请日期2012年8月27日 优先权日2012年8月27日
发明者何军舫, 王军勇 申请人:北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司