专利名称：电磁干扰屏蔽结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电磁干扰屏蔽结构，用于电子装置、线材及组件上，例如印刷电路板的电磁干扰屏蔽结构，特别有关用于软性电子材料基板的抵抗电磁干扰的结构。
背景技术：
目前电子装置朝向轻薄短小的方向发展，印刷电路板是电子装置中不可或缺的材料，当然也须随着朝向薄型化、高密度及耐高电压的方向发展。因此，电磁干扰的问题，将成为电子产品轻薄短小化最大的议题。—般电磁干扰屏蔽结构包含介电层及金属层，如图2所不，电磁干扰屏蔽结构200包含一金属层202,其材质例如银、铜及镍；在金属层202上方的第二介电层204,例如软质性环氧树脂；在第二介电层204上方的第一介电层206，例如高耐磨性压克力树脂；在第一介电层206上方的保护层208,与软性印刷电路板(Flexible Printed Circuit board, FPC)接地回路接合的导电黏着层210，以及用于保护导电黏着层210防止受到外界环境污染的离型膜212。虽然上述电磁干扰屏蔽结构200具有极佳的可弯曲性，但是如此的材质结构设计仍然必须在电磁波来源处增加设计接地铜箔与导电黏着层210黏接。这样，第一增加保护层208 (C0VERLAY)的成本，第二电磁干扰屏蔽结构200增加导电胶的成本。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题在于提供一种电磁干扰屏蔽结构，可以降低电磁干扰屏蔽结构的成本，减少电磁干扰屏蔽结构的厚度及减少FPC的工序。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是这样实现的一种电磁干扰屏蔽结构，该电磁干扰屏蔽结构包含 一介电层，具有一第一面与一第二面；一第一金属层，位于该介电层的该第一面上；及一第二金属层，位于该介电层的该第二面上；其中，该第一金属层的厚度为0. 002^12微米，及该第二金属层的厚度为0. 002^12微米。作为优选方案，该第一金属层为金、银、铜、铁、锡、铅、钴、铝、镍或以上金属为主成份的合金。作为优选方案，该第二金属层为金、银、铜、铁、锡、铅、钴、铝、镍或以上金属为主成份的合金。作为优选方案，该介电层选自由聚酰亚胺、聚乙烯、环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚丙烯、双马来酰亚胺及压克力系统高分子的任一族群所构成的材质。作为优选方案，该介电层的厚度为5 200微米。作为优选方案，该介电层包含一填充材料。作为优选方案，该电磁干扰屏蔽结构更包含一黏着层。作为优选方案，该电磁干扰屏蔽结构更包含一离型层。作为优选方案，该黏着层的厚度为1飞00微米。作为优选方案，该离型层的厚度为f 50微米。[0015]本实用新型达到的技术效果如下1.降低电磁干扰屏蔽结构的成本方面本实用新型结构上在介电层的两侧化学沉积、蒸镀或其他方式在介电层的两侧生成金属膜，厚度范围大于6纳米(nm)，如此可以大大降低成本。2.减少电磁干扰屏蔽结构的厚度方面金属层的厚度下降及介电层的厚度可下降至约I微米，及FPC方面可以节省保护膜(C0VERLAY)使用的厚度。 3.减少FPC的工序的方面FPC方面可以在不用保护层(C0VERLAY)的情况下使用电磁干扰屏蔽结构，有助于降低成本。
图1为本实用新型电磁干扰屏蔽结构的一实施例；图2为传统的电磁干扰屏蔽结构。主要组件符号说明100电磁干扰屏蔽结构102第一金属层104介电层106第二金属层108黏着层110离型膜200电磁干扰屏蔽结构202金属层204第二介电层206第一介电层208保护层210导电黏着层212 离型膜。
具体实施方式
请参考图1，图1为本实用新型电磁干扰屏蔽结构的一实施例，如图1所示，电磁干扰屏蔽结构100由上至下依序是第一金属层102，介电层104，第二金属层106，黏着层108及离型膜110。第一金属层102成份可以是金、银、铜、铁、锡、铅、钴、铝、镍或以上金属为主成份的合金或任何能导电的金属，其厚度例如为0. 002^12微米m)，由于第一金属层102很薄，所以会有空隙让电磁波穿透进入电磁干扰屏蔽结构100。另外，在第一金属层102上可额外包覆一保护层(图1中未示出)，保护层的功能是保护第一金属层102防止受到外界环境的影响(如氧化、灰尘、刮伤、碰撞等等)。介电层104成份可以是内含有聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(PE)、环氧树脂(EPOXY)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、双马来酰亚胺(BMI)及压克力系统高分子等其中一种或一种以上的高分子材料所形成的介电层。此外，介电层104中可以添加填充材料，有助于不同相的电磁波在介电层104中因绕射而加快电磁波消除。介电层104的功用是(I)提供绝缘功能将第一金属层102与第二金属层106区隔；(2)改变电磁波的入射角，使电磁波在介电层104与第一金属层102、第二金属层106间进行绕射,达到电磁波消除的功效。介电层104的厚度例如为5 200微米。第二金属层106成份是金、银、铜、铁、锡、铅、钴、铝、镍或以上金属为主成份的合金或任何能导电的金属。第二金属层106厚度例如为0. 002 12微米(Pm)，由于第二金属层106很薄，所以会有空隙让电磁波穿透进入电磁干扰屏蔽结构100。黏着层108成份是内含有？13 ( ￥、？￡、？￡1\ (、？？、810及压克力系统高分子等其中一种或一种以上的高分子材料。黏着层108中可以添加填充材料，黏着层108的功用是提供绝缘功能，保护线路及将电磁干扰屏蔽材料与基材结合。黏着层108的厚度可为f 500微米。离型膜110成份是内含有？13 ( ￥、？￡、？￡1\ (、？？、810及压克力系统高分子等其中一种或一种以上的高分子材料。离型膜110中可以添加填充材料，离型膜110的功用是保护黏着层防止受到外界环境的污染(如水解、灰尘等等)，电磁干扰屏蔽结构100使用时，会将离型膜110撕去。离型膜110的厚度可为f 50微米。通过本实用新型电磁干扰屏蔽结构的实施，至少可达到下列进步功效—、可将电磁干扰屏蔽结构100(包含第一金属层102、介电层104、第二金属层106、黏着层108及离型膜110)控制在6微米之内，有利于电子产品薄型化的需求。二、可将电磁干扰屏蔽结构100当成具有电磁屏蔽的覆盖层(C0VERLAY)使用，降低生产成本。三、电磁干扰屏 蔽结构100不需要在基板上设计接地大面积的铜片，有助于降低FPC厂商成本及成品轻量化的需求。本实用新型电磁干扰屏蔽结构的具体实施例第一实施例-超薄型电磁干扰屏蔽结构。本实用新型超薄型电磁干扰屏蔽结构，可通过下列的制程步骤完成，其制程步骤如下提供一 6微米厚的聚酰亚胺薄膜以电浆或电晕方式将聚酰亚胺层表面粗化，并在该聚酰亚胺薄膜的任两面以溅镀(或蒸镀)方式涂布上一层银(各约0.5微米)，并在其中的一面涂布3微米厚的环氧树脂，并加以高温(160°C)烘烤去除溶剂后，以离型膜贴合环氧树脂侧，即形成10微米厚的电磁干扰屏蔽结构单元。第二实施例-高屏蔽型电磁干扰屏蔽结构。本实用新型高屏蔽型电磁干扰屏蔽结构，可通过下列的制程步骤完成，其制程步骤如下提供一 36微米厚的无胶聚酰亚胺覆双面铜箔基板，并在其中的一面涂布5微米厚的环氧树脂，并加以高温(160°C )烘烤去除溶剂后，以离型膜贴合环氧树脂侧，即形成41微米厚的电磁干扰屏蔽结构单元。第三实施例-非对称金属型电磁干扰屏蔽结构。本实用新型非对称金属型电磁干扰屏蔽结构，可通过下列的制程步骤完成，其制程步骤如下[0054]提供一 25微米厚的无胶聚酰亚胺覆单面铜箔基板，并在该以电浆或电晕方式将聚酰亚胺层表面粗化，并在该聚酰亚胺薄膜面以溅镀(或蒸镀)方式涂布上一层银约0.5微米，铜箔面或银箔面的任一表面涂布5微米厚的环氧树脂，并加以高温(160°C)烘烤去除溶剂后，以离型膜贴合环氧树脂侧，即形成30微米厚的电磁干扰屏蔽结构单元。以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该电磁干扰屏蔽结构包含一介电层，具有一第一面与一第二面；一第一金属层，位于该介电层的该第一面上 '及一第二金属层，位于该介电层的该第二面上；其中，该第一金属层的厚度为O. 002^12微米，及该第二金属层的厚度为O. 002^12微米。
2.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该第一金属层为金、银、铜、 铁、锡、铅、钴、铝、镍或以上金属为主成份的合金。
3.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该第二金属层为金、银、铜、 铁、锡、铅、钴、铝、镍或以上金属为主成份的合金。
4.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该介电层选自由聚酰亚胺、 聚乙烯、环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚丙烯、双马来酰亚胺及压克力系统高分子的任一族群所构成的材质。
5.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该介电层的厚度为5 200微米。
6.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该介电层包含一填充材料。
7.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该电磁干扰屏蔽结构更包含一黏着层。
8.根据权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该电磁干扰屏蔽结构更包含一离型层。
9.根据权利要求7所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该黏着层的厚度为Γ500微米。
10.根据权利要求8所述的电磁干扰屏蔽结构，其特征在于，该离型层的厚度为f50微米。
专利摘要本实用新型公开了一种电磁干扰屏蔽结构，包含第一金属层、第二金属层、介电层夹置在第一金属层与第二金属层之间、黏着层位于第二金属层上，及离型膜位于黏着层上。本实用新型电磁干扰屏蔽结构可阻止电磁波对邻近线路及组件的干扰，本实用新型利用的原理以电磁波反射为主，电磁波吸收为辅。此外，本实用新型电磁干扰屏蔽结构还可以降低电磁干扰屏蔽结构的成本，减少电磁干扰屏蔽结构的厚度及减少FPC的工序。
文档编号H05K9/00GK202889867SQ20122052552
公开日2013年4月17日 申请日期2012年10月15日 优先权日2012年10月15日
发明者宋云兴 申请人:联茂电子股份有限公司