专利名称：杂料硅铸多晶硅锭专用炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光电领域，具体涉及一种杂料硅铸多晶硅锭专用炉。
背景技术：
光电领域中，硅是非常重要和常用的半导体原料，是太阳能电池最理想的原材料。硅原料一般要经过清洗、铸锭、切块、粘胶、切片、脱胶、清洗等工序后，才能用于太阳能电池。由于铸锭硅炉生产的多晶硅锭质量稳定，铸锭工艺比较成熟，现已经被广泛应用。多晶硅锭的质量好坏以及单炉产量直接影响着企业的而生产效率，但目前行业上多晶硅锭的利用率比较低，单炉产量也比较低，同时能耗较高，铸锭成本较高。
实用新型内容本实用新型的目的在于:克服现有技术的不足，提供一种利用杂料硅铸多晶硅锭专用炉，使铸定生产成本降低、铸锭产量提高。本实用新型所采取的技术方案是: 杂料硅铸多晶硅锭专用炉，包括炉体，所述炉体设有进气口和出气口，炉体内设有石墨台，所述石墨台上放置有坩埚，还包括罩盖于坩埚的加热器，罩盖于加热器的隔热笼，所述隔热笼内顶部与石墨台上表面之间的距离略小于坩埚高度的2倍。本实用新型进一步改进方案是，所述坩埚的内表面涂有氮化硅涂料。本实用新型更进一步改进方案是，所述坩埚边口向下31厘米范围内的内表面涂有单层氮化娃涂料，其余内表面涂有多层氮化娃涂料。本实用新型的有益效果在于:用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭时，先将盛有硅原料的坩埚放置在石墨台上，闭合炉体，将炉体内抽为真空，加入保护气，加热熔化硅原料，凝固长晶，最后进行冷却。从上述工作过程可知，用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭，不仅能够降低生产成本，单炉产量提高了百分之三十五，而且大大提高了多晶硅锭的质量，使多晶硅的利用率达到百分之七十。
图1为本实用新型结构主视剖视示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型包括炉体I，所述炉体I设有进气口 4和出气口 5，炉体I内设有石墨台3，所述石墨台3上放置有坩埚7 (本实施案例中，坩埚7选用的型号为540型)，还包括罩盖于坩埚7的加热器8，罩盖于加热器8的隔热笼2，其特征在于:所述隔热笼2内顶部与石墨台3上表面之间的距离略小于坩埚7高度的2倍；所述坩埚7的内表面涂有氮化硅涂料9 ;所述坩埚7边口向下:Γ8厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料9 (本实施案例中，坩埚7边口向下5厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料)，其余内表面涂有多层氮化硅涂料9。
权利要求1.杂料硅铸多晶硅锭专用炉，包括炉体(1)，所述炉体(I)设有进气口(4)和出气口(5),炉体(I)内设有石墨台(3),所述石墨台(3)上放置有i甘埚(7),还包括罩盖于 甘埚(7)的加热器(8)，罩盖于加热器(8)的隔热笼(2)，其特征在于:所述隔热笼(2)内顶部与石墨台(3)上表面之间的距离略小于坩埚(7)高度的2倍。
2.如权利要求1所述的一种杂料硅铸多晶硅锭专用炉，其特征在于:所述坩埚(7)的内表面涂有氣化娃涂料(9)。
3.如权利要求2所述的一种杂料硅铸多晶硅锭专用炉，其特征在于:所述坩埚(7)边口向下3、厘米范围内的 内表面涂有单层氮化娃涂料(9),其余内表面涂有多层氮化娃涂料(9)。
专利摘要本实用新型公开了杂料硅铸多晶硅锭专用炉，杂料硅铸多晶硅锭专用炉，包括炉体，所述炉体设有进气口和出气口，炉体内设有石墨台，所述石墨台上放置有坩埚，还包括罩盖于坩埚的加热器，罩盖于加热器的隔热笼，所述隔热笼内顶部与石墨台上表面之间的距离略小于坩埚高度的2倍。用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭时，先将盛有硅原料的坩埚放置在石墨台上，闭合炉体，将炉体内抽为真空，加入保护气，加热熔化硅原料，凝固长晶，最后进行冷却。从上述工作过程可知，用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭，不仅能够降低生产成本，单炉产量得到了很大的提高，而且大大提高了多晶硅锭的质量。
文档编号C30B28/06GK202989353SQ20122056603
公开日2013年6月12日 申请日期2012年10月31日 优先权日2012年10月31日
发明者吕文 申请人:宿迁宇龙光电科技有限公司