专利名称：一种厚铜多层板层压制作方法
技术领域：
本发明涉及印制电路板制造领域，具体地说，本发明涉及一种厚铜多层板层压制作方法。
背景技术：
内层铜厚在3oz以上的多层板，需要用到较多的树脂去填充厚铜中间的空隙，因此往往在层间会用到3张或3张以上半固化片。图1示出了还未层压的情况下内层基材I之间的半固化片3和内层图形(导体图形2)叠板在一起的图示。图2示出了半固化片3和内层图形层压在一起的图示。如图1、图2所示，半固化片树脂流到铜导体(导体图形2)的边缘的无铜区将其填满(半固化片填充4)。
可以看出，内层导体(铜导体)越厚，则导体周围的无铜区深度就越大，因此需要填充的树脂就越多，而一般半固化片由玻璃布和树脂组成，树脂的含量是一定的，只能用玻璃布上涂覆的这部分树脂的流动去填充，当导体铜很厚时(如超过3oz)，在导体边缘底部位置形成一个树脂填充盲区，出现贫胶空洞现象，影响多层印制板成品的可靠性；如图3所示，其中图3示出了厚铜多层板半固化片局部填充不满(局部填胶不到的区域5)的图示。
此外，这类厚铜多层板用到多张半固化片后，由于半固化片树脂局部大量流胶，层压后印制板板面呈波浪状，平整度差，不利于后续印制板的表面元气件的可靠贴装。
在现有技术 中，一般采用下述两种方法:
I)采用丝印介质层填缝方法，在厚铜板导体上丝印一定厚度的树脂介质层，将无铜空旷区填满；导体和导体之间再用半固化片层压粘接起来。
2)层压时用填充性能很好的缓冲材料(如Pacopad或硅胶垫)辅助层压，在高温高压下将半固化片上更多的树脂挤到无铜空旷区里，从而保证了树脂在不同区域的均匀填充。
在现有技术中，采用丝印介质层填缝的方法虽然可以保证内层导体各处填充均匀，而且对内层铜厚没有要求，可以适用任何铜厚的多层板，但该方法流程长，要经过多次烘烤过程。此外，该方法在两层导体层间有两种不同的介质层，一种是丝印填缝的介质层纯树脂，一种是由树脂和玻璃布组成的半固化片。这两种材料由于组成不同，在耐热性以及CTE (Coefficient of Thermal Expand,热膨胀系数)上差异较大,受到多次热冲击后容易从界面处产生裂缝，裂缝进一步扩展将直接导致印制板的分离爆板，因此该法加工的印制板可靠性较差。
另一方面，在现有技术中，用填充性好的缓冲材料6辅助层压时，由于缓冲材料非常好的填充性，半固化片受到挤压，很均匀地填充到无铜区域(流胶区域7)里，导致板面上有铜区域和无铜区域出现厚度落差，整个板面高低不平，如图4所示。发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术中存在的厚铜多层板(铜厚30Z以上)层压时为保证填胶充分，用到多张半固化片，层压后板面出现高低不平，且层间空旷区大时往往填胶不够导致贫胶空洞等缺陷。
本发明的一个目的是提供一种针对厚铜多层板的层压制作方法，解决厚铜多层板层压过程中填胶不够导致的贫胶空洞以及板面高低不平的问题。
由此，根据本发明，提供了一种厚铜多层板层压制作方法，其包括:
第一步骤:选择一张或多张半固化片作为填缝半固化片，所述一张或多张半固化片的总厚度对应于厚铜多层板的内层铜厚。
第二步骤:将所述填缝半固化片上对应于内层厚铜的铜导体的区域去除以形成开窗区域，保留所述填缝半固化片的其它区域；
第三步骤:将形成开窗区域的所述填缝半固化片布置在内层厚铜层，并且在内层厚铜层之间布置用于粘结的半固化片，从而形成叠层；
第四步骤:对第三步骤形成的叠层进行层压。
优选地，开窗区域的尺寸比内层导体尺寸大。
优选地，开窗区域的单边比内层导体尺寸的单边大0.2-0.4_。
优选地，所述一张或多张半固化片的总厚度与厚铜多层板的内层铜厚相当，差值不超过厚铜多层板的内层铜厚的百分之十。
在本发明的厚铜多层板层压制作方法中，根据厚铜多层板内层铜厚特点，选择填缝半固化片用于填缝，填缝半固化片总体厚度和内层铜厚基本一致，而且将填缝半固化片对应于作为内层导体的厚铜区域的半固化片去掉，保留其它半固化片区域，在层压制作时将高度基本一致的这部分半固化片和内层导体组合在一起进行层压，从而避免了在内层厚铜的导体周围落差区域半固化片填胶不满和板面高低不平的问题，从而确保了整板树脂填充均匀，另外还保证了板面的平整度。
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
图1示出了还未层压的情况下半固化片和内层图形叠板在一起的图示。
图2示出了半固化片和内层图形层压在一起的图示。
图3示出了厚铜多层板半固化片局部填充不满的图示。
图4示出了采用填充性好的缓冲材料压合后板面高低不平的示意图。
图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的半固化片填缝开窗示意图。
图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的厚铜多层板层压制作方法的流程图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了 使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明针对背景技术中提到的两种技术在解决厚铜板层压时的一些局限性，提出一种新型的层压方式，通过对部分半固化片开窗的方式填充内层导体空隙从而确保了整板树脂填充均匀，另外还保证了板面的平整度。
下面将结合附图来具体描述本发明的优选实施例。
图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的厚铜多层板层压制作方法的流程图。
具体地说，如图6所示，根据本发明优选实施例的厚铜多层板层压制作方法包括:
第一步骤S1:选择一张或多张半固化片作为填缝半固化片10，所述一张或多张半固化片的总厚度对应于厚铜多层板的内层铜厚(即，内层导体的厚度);图5示出了针对厚铜多层板的一个内层导体层选择一张填缝半固化片10的情况。
在具体实施例中，所述一张或多张半固化片的总厚度和厚铜多层板的内层铜厚相当，差值不超过厚铜多层板的内层铜厚(即，内层导体20的厚度)的百分之十，此时，可以更好地确保整板树脂填充均匀以及板面的平整度。
例如，在铜厚为40z时用I张2116半固化片(压制厚度0.13mm左右)，铜厚60z时用I张7628半固化片(压制厚度0.2mm左右)即可。
优选地，所用填缝的半固化片是I张或2张半固化片，由此可以实现更好的整板树脂填充均匀以及板面的平整度。
第二步骤S2:将所述填缝半固化片上对应于内层厚铜的铜导体的区域去除(例如掏空)以形成开窗区域11，保留所述填缝半固化片的其它区域(与内层厚铜不对应的区域)。
优选地，开窗区域11的尺寸比内层导体20 (铜导体)尺寸大(略大)，例如开窗区域11的单边比内层导体20尺寸的单边大0.2-0.4mm,易于叠板操作，而且可以形成填缝半固化片流胶区，这样在后续层压时流胶会流到半固化片和导体之间的空隙，即填缝的半固化片流胶区12。
在具体实施时，用于填缝的填缝半固化片10可通过机械铣切方式制作，将板上对应铜导体图形的半固化片区域掏掉，保留其它半固化片区域。
第三步骤S3:将形成开窗区域的所述填缝半固化片布置在内层厚铜层(这样，作为内层导体20的铜导体的周边的空旷区由于与铜厚导体厚度基本相当的填缝半固化片的填充，就不会出现一个大的落差区)，并且在内层厚铜层之间布置用于粘结的半固化片30(可以是一个常规的半固化片)，从而形成叠层。
也就是说，本发明实施例除了采用用于填缝的半固化片10，导体之间再用至少一张半固化片30进行粘接，如图5所示，图5的两层内层导体都为厚铜。
第四步骤S4:对第三步骤S3形成的叠层进行层压。
具体地说，例如，填缝半固化片和内层厚铜所在层次(内层厚铜层)在层压时可通过四槽定位、热熔定位、铆钉定位等方式固定。此外，例如，考虑到层压叠板时半固化片的对位精度，半固化片上的一些工具孔制作和内层图形单元工具孔基本上保持一致。按照半固化片的叠层顺序进行叠板(例如如图5所示，在叠层外加内层基材1)，层压常规制作即可。
在本发明优选实施例的厚铜多层板层压制作方法中，根据厚铜多层板内层铜厚特点，选择填缝半固化片用于填缝，填缝半固化片总体厚度和内层铜厚基本一致，而且将填缝半固化片对应于作为内层导体的厚铜区域的半固化片去掉，保留其它半固化片区域，在层压制作时将高度基本一致的这部分半固化片和内层导体组合在一起进行层压，从而避免了在内层厚铜的导体周围落差区域半固化片填胶不满和板面高低不平的问题，从而确保了整板树脂填充均匀，另外还保证了板面的平整度。
需要说明的是，本发明中的术语“厚铜多层板”指的是内层导体层至少有一层为铜厚3oz以上的多层印制板。
此外，需要说明的是，除非特别指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效 实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种厚铜多层板层压制作方法，其特征在于包括: 第一步骤:选择一张或多张半固化片作为填缝半固化片，所述一张或多张半固化片的总厚度对应于厚铜多层板的内层铜厚。
2.根据权利要求1所述的厚铜多层板层压制作方法，其特征在于还包括: 第二步骤:将所述填缝半固化片上对应于内层厚铜的铜导体的区域去除以形成开窗区域，保留所述填缝半固化片的其它区域； 第三步骤:将形成开窗区域的所述填缝半固化片布置在内层厚铜层，并且在内层厚铜层之间布置用于粘结的半固化片，从而形成叠层； 第四步骤:对第三步骤形成的叠层进行层压。
3.根据权利要求1或2所述的厚铜多层板层压制作方法，其特征在于，开窗区域的尺寸比内层导体尺寸大。
4.根据权利要求1或2所述的厚铜多层板层压制作方法，其特征在于，开窗区域的单边比内层导体尺寸的单边大0.2-0.4mm。
5.根据权利要求1或2所述的厚铜多层板层压制作方法，其特征在于，所述一张或多张半固化片的总厚度与厚铜多层板的内层铜厚相当，差值不超过厚铜多层板的内层铜厚的百分之十。`
全文摘要
本发明提供了一种厚铜多层板层压制作方法。选择一张或多张半固化片作为填缝半固化片，所述一张或多张半固化片的总厚度对应于厚铜多层板的内层铜厚。将所述填缝半固化片上对应于内层厚铜的铜导体的区域去除以形成开窗区域，保留所述填缝半固化片的其它区域。将形成开窗区域的所述填缝半固化片布置在内层厚铜层，并且在内层厚铜层之间布置用于粘结的半固化片，从而形成叠层。对形成的叠层进行层压。
文档编号H05K3/46GK103237422SQ20131014935
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月25日 优先权日2013年4月25日
发明者胡广群, 吴小龙, 吴梅珠, 刘秋华, 徐杰栋, 梁少文, 穆敦发, 徐志 申请人:无锡江南计算技术研究所