铝基线路板及其制备方法、电子元件全封装的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于制备电子元件全封的铝基线路板及其制备方法、电子元件全封装。该铝基线路板包括依次层叠结合的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘层和线路层，其中，所述第一阳极氧化铝层具有利用激光刻蚀形成的粗糙度为0.5～9.5μm的外表面，用于增强其与电子元件全封装的封装层之间的结合力。该电子元件全封装包括该铝基线路板和对该铝基线路板进行全包封的封装层。上述用于制备电子元件全封装的铝基线路板与电子元件全封装的封装层之间的结合力，从而使得上述含有该铝基线路板的电子元件全封装结构稳定，并且该高的结合力还显著提高了电子元件全封装的散热性能，使电子元件全封装的综合可靠性提升。
【专利说明】铝基线路板及其制备方法、电子元件全封装
【技术领域】
[0001] 本发明属于电子器件【技术领域】，具体涉及一种铝基线路板及其制备方法和一种电 子元件全封装。
【背景技术】
[0002] 智能功率模块发热较大，因此需要良好的散热设计以解决可靠性问题，行业上常 见的做法是在封装体上设置散热片并将散热片外露，属于半包封结构。目前，金属基线路板 作为功率器件绝缘散热组件而广为应用，这些线路板板一般由金属基板、绝缘层、铜箔三层 结构组成，其中以价廉、质轻的铝基板居多。
[0003] 现有的半包封功率模块集成度不高，因此需要增加外围电路元件，导致产品体积 较大，不利于产品的小型化；将外围电路集成在器件内部，而使器件小型化是一种趋势，然 而高集成后的半包封产品更容易发生可靠性问题，因此有将器件做成全包封结构（即电子 元件全封装)，但封装在模块内部的铝基线路板容易在潮湿的环境下受到来自塑封料中离 子的腐蚀，使线路板和塑封料间分层，导致可靠性问题。
[0004] 对于解决铝基板腐蚀问题，线路板行业通常将铝基板氧化处理后使用，但氧化后 的铝基板与塑封料间仍存在结合力差的问题。目前，行业上有对纯铝基板粗化的做法，如拉 丝、喷砂。但对于带氧化铝层的铝基板，这些方法并不适用。拉丝破坏了氧化层结构，影响 了防腐蚀效果；喷砂不易粗化硬度较高的氧化铝层。
【发明内容】
[0005] 本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种用于制备电子元件 全封装的铝基线路板及其制备方法，旨在克服现有铝基板的氧化铝层粗化困难，铝基板与 塑封料间结合力差的技术问题。
[0006] 本发明实施例的另一目的在于提供一种可靠性高的电子元件全封装。
[0007] 为了实现上述发明目的，本发明实施例的技术方案如下：
[0008] -种铝基线路板，其用于制备电子元件全封装，所述铝基线路板包括依次层叠结 合的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘层和线路层，其中，所述第一 阳极氧化铝层具有利用激光刻蚀形成的粗糙度为〇. 5?9. 5 μ m的外表面，用于增强其与电 子元件全封装的封装层之间的结合力。
[0009] 以及，一种制备用于电子元件全封装的铝基线路板的方法，包括如下步骤：
[0010] 制备包括有依次层叠结合的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热 绝缘层和线路层的铝基线路板半成品；
[0011] 将所述铝基线路板半成品的第一阳极氧化铝层外表面采用电流强度为8. 5? 9. 5A的激光刻蚀，使得第一阳极氧化铝层外表面的粗糙度为0. 5?9. 5 μ m。
[0012] 以及，一种电子元件全封装，包括铝基线路板和对铝基线路板进行全包封的封装 层，所述错基线路板为上述的错基线路板或者由上述的错基线路板的方法制备获得的错基 线路板。
[0013] 上述用于制备电子元件全封装的铝基线路板的第一阳极氧化铝层外表面采用激 光刻蚀，使得第一阳极氧化铝层外表面具有特定的粗糙度，从而显著提高了该铝基线路板 与电子元件全封装的封装层之间的结合力，从而使得上述含有该铝基线路板的电子元件全 封装结构稳定，不分层，不开裂，并且该高的结合力还显著提高了电子元件全封装的散热性 能，使电子元件全封装的综合可靠性提升。
[0014] 上述铝基线路板的制备方法采用特定电流强度的激光对第一阳极氧化铝层进行 刻蚀，能有效保证第一阳极氧化铝层不被击穿，且能使得其表面具有特定的粗糙度，有效克 服现有氧化铝层刻蚀方法中存在的粗化困难或易被破坏的技术问题。另外，采用激光刻蚀， 其条件易控制，生产效率高。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
[0016] 附图1为本发明实施例铝基线路板的结构示意图；
[0017] 附图2为本发明实施例电子元件全封装的剖面结构示意图；
[0018] 附图3为本发明实施例用于电子元件全封装的铝基线路板制备方法的工艺示意 图；
[0019] 附图4为本发明实施例电子元件全封装制备方法的工艺示意图；
[0020] 附图5未经激光刻蚀的基板落锤冲击的超声扫描图片；
[0021] 附图6激光刻蚀后的基板落锤冲击的超声扫描图片。
【具体实施方式】
[0022] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并 不用于限定本发明。
[0023] 本发明实例提供了一种用于制备电子元件全封装的，且与塑封料间结合力高，能 有效解决腐蚀问题的铝基线路板。该铝基线路板结构如图1、2所示，该铝基线路板1包括 依次层叠结合的第一阳极氧化铝层11、纯铝层12、第二阳极氧化铝层13、导热绝缘层14和 线路层15。
[0024] 其中，图1、2中的第一阳极氧化铝层11具有利用激光刻蚀形成的粗糙度为0. 5? 9. 5 μ m的外表面110。采用激光刻蚀并使得外表面110的粗糙度为0. 5?9. 5 μ m能显著 提高了该第一阳极氧化铝层11与图2中的封装层2之间的结合力，从而保证了第一阳极氧 化铝层11与图2中的封装层2之间不分层，不开裂，也即是提高了铝基线路板1与图2中 的封装层2之间的结合力；同时，由于该第一阳极氧化铝层11的存在，还起到了防止铝基线 路板腐蚀的作用，使得图2所述的电子元件全封装的可靠性高。
[0025] 在优选实施例中，第一阳极氧化铝层1外表面的粗糙度为4?9. 5 μ m。该优选的 粗糙度既能保证激光刻蚀时第一阳极氧化铝层1不被破坏，又能使得其与图2中的封装层 2之间的结合力更强，结合后不分层，不开裂，使得图2所述的电子元件全封装的可靠性更 商。
[0026] 或在进一步优选实施例中，图1、图2中的第一阳极氧化铝层11外表面110的粗 糙度（即0. 5?9. 5 μ m或4?9. 5 μ m的粗糙度）是由密集的点状坑、点状凸起或/和沟槽 (点状坑、点状凸起、沟槽均无图示）形成。
[0027] 如在具体实施例中，该粗糙度是由密集的点状坑形成。在另一具体实施例中，该 粗糙度是由密集的点状凸起形成。在又一具体实施例中，该粗糙度是由密集的粗糙的沟槽 形成。或在再一具体实施例中，该粗糙度是由密集的状坑、点状凸起、粗糙沟槽中的两种或 三种随机的组合形成。在各具体实施例中，第一阳极氧化铝层11外表面110的形貌没有特 别的规律分布，如当外表面110由密集的点状坑、点状凸起或沟槽构成的形貌时，点状坑、 点状凸起或沟槽的分布是随机分布的；当外表面110由密集的点状坑、点状凸起、沟槽中的 两种或三种组合构成的形貌时，点状坑、点状凸起、沟槽中的两种或三种的分布也是随机分 布，也就是说，只要能利用激光刻蚀控制外表面110的粗糙度为0. 5?9. 5 μ m、优选为4? 9. 5 μ m 艮P可。
[0028] 在具体实施例中，构成外表面110形貌的点状坑的尺寸为1?3 μ m，如点状坑的 尺寸为1 μ m、2 μ m、3 μ m。在另一具体实施例中，构成外表面110形貌的点状凸起的尺寸为 1?3μ--，如点状凸起的尺寸为1μπ?、2μπ?、3μπ?。在又一具体实施例中，构成外表面110 形貌的密集的粗糙的沟槽尺寸为1?10 μ m，如沟槽的尺寸为1 μ m、2 μ m、3 μ m、4 μ m、5 μ m、 6um、7um、8um、9um、10um。
[0029] 上述关于外表面110形貌的各优选的具体实施例均是为了提高第一阳极氧化铝 层11外表面110与图2中的封装层2之间的结合力强度，而且能使得两者间的结合力强度 更高。
[0030] 经激光刻蚀并使得上述第一阳极氧化铝层11外表面110具有上述各优选实施例 的形貌后，该第一阳极氧化铝层11厚度优选为0. 5?9. 5 μ m。该厚度的第一阳极氧化铝层 11能有效保护铝基线路板1如纯铝层12不被腐蚀。因此，在优选实施例中，第一阳极氧化 铝层11外表面110的0.5?9. 5μπι的粗糙度是由密集的点状凸起或/和沟槽形成，此时， 第一阳极氧化铝层11外表面110的厚度为〇. 5?6 μ m。
[0031] 在另一优选实施例中，第一阳极氧化错层11外表面110的0. 5?9. 5 μ m的粗糙 度是由密集的点状坑形成，此时，第一阳极氧化铝层11外表面110的厚度为1?10 μ m。
[0032] 图1、2中的第二阳极氧化铝层13能使得纯铝层12与线路层15之间绝缘，特别是 焊接在线路层15上的电子元件16与纯铝层12之间的绝缘。为了使得纯铝层12与线路层 15之间绝缘特别是电子元件16与纯铝层12之间的绝缘效果更好，在优选实施例中，该第二 阳极氧化铝层13的厚度为1?10 μ m，更优选为10 μ m。该优选厚度的第二阳极氧化铝层 13能够使得电子元件16与纯铝层12绝缘耐电压高达300伏。
[0033] 图1、2中的纯铝层12、导热绝缘层14、线路层15均可以是本领域常规的结构，在 本发明实施例中没有特别的要求。焊接在线路层15上的电子元件16可以根据实际的应用 或者根据图2中的电子元件全封装类型进行选用。
[0034] 由上述可知，上述用于制备电子元件全封装的铝基线路板1的第一阳极氧化铝层 11外表面110采用激光刻蚀，使得第一阳极氧化铝层11外表面110具有特定的粗糙度又能 保证第一阳极氧化铝层11不被破坏，从而显著提高了该铝基线路板1与电子元件全封装的 封装层之间的结合力，结合后两者不分层，不开裂，保证铝基线路板1不被腐蚀，使得电子 元件全封装的可靠性更高。
[0035] 相应地。本发明还提供了一种条件易控、精确度高的用于制备电子元件全封装的 铝基线路板制备方法。该方法可以用来制备上文如图1所示的铝基线路板1，该方法的工艺 如图3所示，同时请参照图2,其包括如下步骤：
[0036] 步骤S01.制备用于电子元件全封装的铝基线路板半成品：制备包括有依次层叠 结合的第一阳极氧化铝层、纯铝层12、第二阳极氧化铝层13、导热绝缘层14和线路层15的 铝基线路板半成品；其中，线路层15上焊接有相应的电子元件16 ;
[0037] 步骤S02.采用激光将第一阳极氧化铝层11的外表面110进行刻蚀：将步骤S01 制备的铝基线路板半成品的第一阳极氧化铝层外表面110采用电流强度为8. 5?9. 5A的 激光刻蚀，形成第一阳极氧化铝层11，且其外表面110的粗糙度为〇. 5?9. 5 μ m，得到铝基 线路板1 ;
[0038] 具体地，上述步骤S01中的纯铝层12、第二阳极氧化铝层13、导热绝缘层14和线 路层15、电子元件16等各部件均如上文所述，为了节约篇幅，在此不再赘述。其中，第一阳 极氧化铝层应满足经步骤S02中的激光刻蚀后形成上文所述的第一阳极氧化铝层11的要 求。各部件均可以按照本领域常规方法制备。
[0039] 上述步骤S02中，采用上述电流强度的激光对步骤S01中的第一阳极氧化铝层刻 蚀后，使得第一阳极氧化铝层成为上文所述的第一阳极氧化铝层11。具体的，刻蚀形成的第 一阳极氧化铝层11的形貌以及粗糙度如上文所述，为了节约篇幅，在此不再赘述。
[0040] 在优选实施例中，当经本步骤刻蚀形成的第一阳极氧化铝层11的形貌为密集的 点状坑形貌时，该激光刻蚀是8. 5?9. 0安培电流强度。
[0041] 在另一优选实施例中，当经本步骤刻蚀形成的第一阳极氧化铝层11的形貌为密 集的点状凸起形貌时，该激光刻蚀是9. 0?9. 5安培电流强度。
[0042] 在又一优选实施例中，当经本步骤刻蚀形成的第一阳极氧化铝层11的形貌为密 集的沟槽形貌时，该激光刻蚀是9. 0?9. 5安培电流强度。
[0043] 在再一优选实施例中，当经本步骤刻蚀形成的第一阳极氧化铝层11的形貌为上 文所述的密集的点状坑、点状凸起、沟槽中的两种或三种随意组分形貌时，该激光刻蚀的工 艺条件可以按照刻蚀点状坑、点状凸起、沟槽形貌各自的刻蚀的工艺条件随机组合设置使 用。
[0044] 上述铝基线路板的制备方法采用特定电流强度的激光对第一阳极氧化铝层进行 刻蚀，能有效保证第一阳极氧化铝层不被击穿，且能使得其表面具有特定的粗糙度，有效克 服现有氧化铝层刻蚀方法中存在的粗化困难或易被破坏的技术问题。另外，采用激光刻蚀， 其条件易控制，生产效率高。
[0045] 进一步地，本发明还提供了一种可靠性高的电子元件全封装实施例，该电子元件 全封装的结构如图2所示。在图2中，该电子元件全封装包括铝基线路板1和对铝基线路 板1进行全包封的封装层2。
[0046] 具体地，该图2所示的电子元件全封装中的铝基线路板1为如上文所述和图1所 示的铝基线路板1或者如上文所述和图3所示用于电子元件全封装的铝基线路板的制备方 法制备而成的铝基线路板。因此，为了节约篇幅，在此不再对铝基线路板1的具体结构进行 赘述，可以直接参见上文。
[0047] 该图2所示的电子元件全封装中的封装层2材料优选为环氧塑封料。当然，也可 以根据实际生产的需要，选用本领域其他塑封料对铝基线路板1进行全包封。另外，封装层 2的厚度也可以根据实际生产的需要进行灵活调整与设置。
[0048] 图2所示的电子元件全封装可以按照如下方法制备，同时请参见图5所示的电子 元件全封装制备方法的工艺示意图：
[0049] S03.制备错基线路板1 ;
[0050] S04.采用包封料封装铝基线路板：采用包封料对步骤S03制备的铝基线路板1进 行封装。
[0051] 具体地，上述步骤S03中铝基线路板1的制备方法如上文铝基线路板制备方法和 图3所示工艺制备获得即可。
[0052] 上述步骤S04的包封料如上文所述，优选为环氧塑封料。当然，也可以根据实际生 产的需要，选用本领域其他塑封料。
[0053] 该步骤S04中对铝基线路板1进行全包封的方法可以按照本领域常规的包封或封 装方法进行即可。
[0054] 该电子元件全封装由于选用上文所述的铝基线路板1作为铝基线路板，因此，该 铝基线路板1与封装层2之间的结合力强，结合后两者不分层，不开裂，正是两者优异的结 合力使电子元件全封装的散热性能更优，另外，铝基线路板1的第一阳极氧化铝层11完整 没有被破坏，因此，铝基线路板1耐腐蚀性强。正是具有铝基线路板1与封装层2之间的结 合力强，散热性能优，铝基线路板1耐腐蚀性强，使得电子元件全封装的综合可靠性相对现 有的得以显著提升。
[0055] 以下通过多个实施例来举例进一步说明上述铝基线路板及其制备方法、电子元件 全封装的相关性能等方面。
[0056] 实施例1
[0057] -种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0058] 该铝基线路板的结构如图1所示，其包括依次层叠结合的第一阳极氧化铝层、纯 铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘层和线路层以及焊接在线路层上的电子元件。其中，第 一阳极氧化铝层的厚度为9. 9 μ m，其外表粗糙度为0. 1 μ m，其表面形态为随意分布的密集 的圆点状深坑，见下文表1中实施例1。
[0059] 该电子元件全封装如图2所示，其结构为包括铝基线路板和对铝基线路板进行全 包封的封装层。
[0060] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0061] (1)制备包括有依次层叠结合的第一阳极氧化铝原始层、纯铝层、第二阳极氧化铝 层、导热绝缘层和线路层的铝基线路板半成品；其中，线路层上焊接有相应的电子元件；
[0062] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在8安培，激光器参数设置：打标速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操作 台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一阳 极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0063] 实施例2
[0064] -种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0065] 该铝基线路板和电子元件全封装结构如同实施例1中的铝基线路板和电子元件 全封装。不同在于第一阳极氧化铝层的厚度为9. 5 μ m，其外表粗糙度为0. 5 μ m，其表面形 态也为随意分布的密集的圆点状深坑，见下文表1中实施例2。
[0066] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0067] ( 1)参照实施例1中步骤（1);
[0068] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在8. 5安培，激光器参数设置：打标速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操作 台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一阳 极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0069] 实施例3
[0070] -种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0071] 该铝基线路板和电子元件全封装结构如同实施例1中的铝基线路板和电子元件 全封装。不同在于第一阳极氧化铝层的厚度为6 μ m，其外表粗糙度为4 μ m，其表面形态为 随意分布的密集的粗糙的沟槽和点状凸起，见下文表1中实施例3。
[0072] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0073] ( 1)参照实施例1中步骤（1);
[0074] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在9安培，激光器参数设置：打标速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操作 台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一阳 极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0075] 实施例4
[0076] -种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0077] 该铝基线路板和电子元件全封装结构如同实施例1中的铝基线路板和电子元件 全封装。不同在于第一阳极氧化铝层的厚度为〇. 5 μ m，其外表粗糙度为9. 5 μ m，其表面形 态为随意分布的密集的粗糙的沟槽和点状凸起，见下文表1中实施例4。
[0078] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0079] ( 1)参照实施例1中步骤（1);
[0080] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在9. 5安培，激光器参数设置：打标速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操作 台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一阳 极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0081] 实施例5
[0082] 一种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0083] 该铝基线路板和电子元件全封装结构如同实施例1中的铝基线路板和电子元件 全封装。不同在于其表面形态为随意分布的密集的粗糙的沟槽和点状凸起，且第一阳极氧 化错层被破坏，见下文表1中实施例5。
[0084] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0085] ( 1)参照实施例1中步骤（1);
[0086] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在10安培，激光器参数设置：打标速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操作 台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一阳 极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0087] 实施例6
[0088] 一种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0089] 该铝基线路板和电子元件全封装结构如同实施例1中的铝基线路板和电子元件 全封装。不同在于其表面形态为随意分布的密集的粗糙的沟槽和点状凸起，且第一阳极氧 化错层被破坏，见下文表1中实施例6。
[0090] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0091] (1)参照实施例1中步骤（1);
[0092] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在10. 5安培，激光器参数设置：打标速 度3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操 作台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一 阳极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0093] 实施例7
[0094] 一种用于电子元件全封装的铝基线路板、用于电子元件全封装和用于电子元件全 封装的制备方法。
[0095] 该铝基线路板和电子元件全封装结构如同实施例1中的铝基线路板和电子元件 全封装。不同在于其表面形态为随意分布的密集的粗糙的沟槽，且第一阳极氧化铝层被破 坏，见下文表1中实施例6。
[0096] 上述铝基线路板和电子元件全封装制备方法如下：
[0097] ( 1)参照实施例1中步骤（1);
[0098] (2)将激光打标机的激光器电流强度选择在11安培，激光器参数设置：打标速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q频20KHz，将铝基线路板半成品放置在激光打标机的操作 台面上，并使得第一阳极氧化铝层与光源相对，聚焦激光，选择激光扫描面积略大于第一阳 极氧化铝层的面积，进行激光刻蚀，然后用塑封料进行封装。
[0099] 对比例1 :
[0100] 按照实施例1的铝基线路板和电子元件全封装制备方法的步骤（1)制备铝基线路 板半成品，然后直接铝基线路板半成品不经过任何处理直接用塑封料进行封装。
[0101] 对比例2:
[0102] 按照实施例1的铝基线路板和电子元件全封装制备方法的步骤（1)制备铝基线路 板半成品，然后对铝基线路板半成品的第一阳极氧化铝层做拉丝处理，然后用塑封料进行 封装。
[0103] 对比例3 :
[0104] 按照实施例1的铝基线路板和电子元件全封装制备方法的步骤（1)制备铝基线路 板半成品，然后对铝基线路板半成品的第一阳极氧化铝层做喷砂处理，然后用塑封料进行 封装。
[0105] 性能测试：
[0106] 将上述实施例1-7和对比例1-3制备的铝基线路板的第一阳极氧化铝层外观、厚 度、粗糙度、形貌进行观察和测定，同时对上述实施例1-7和对比例1-3制备电子元件全封 装进行落锤测试，各项性能测试结果见表1 :
[0107] 表 1
[0108]
【权利要求】
1. 一种铝基线路板，其用于制备电子元件全封装，所述铝基线路板包括依次层叠结合 的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘层和线路层，其特征在于：所述 第一阳极氧化铝层具有利用激光刻蚀形成的粗糙度为0. 5?9. 5 μ m的外表面，用于增强其 与电子元件全封装的封装层之间的结合力。
2. 如权利要求1所述的铝基线路板，其特征在于：所述第一阳极氧化铝层外表面的粗 糙度为4?9. 5 μ m。
3. 如权利要求1或2所述的铝基线路板，其特征在于：所述第一阳极氧化铝层外表面 的粗糙度是由密集的点状坑、点状凸起或/和沟槽形成。
4. 如权利要求3所述的铝基线路板，其特征在于：所述点状坑的尺寸为1?3 μ m，和/ 或点状凸起的尺寸为1?3μπ?，和/或沟槽的尺寸为1?ΙΟμπ?。
5. 如权利要求1或2或4所述的铝基线路板，其特征在于：所述第一阳极氧化铝层的 厚度为〇· 5?9. 5 μ m。
6. 如权利要求1或2或4所述的铝基线路板，其特征在于：所述第一阳极氧化铝层外 表面的0. 5?9. 5 μ m的粗糙度是由密集的点状凸起或/和沟槽形成，且所述第一阳极氧化 铝层外表面的厚度为0. 5?6 μ m。
7. 如权利要求1或2或4所述的铝基线路板，其特征在于：所述第一阳极氧化铝层外 表面的0. 5?9. 5 μ m的粗糙度是由密集的点状坑形成，且所述第一阳极氧化铝层外表面的 厚度为1?10 μ m。
8. 如权利要求1或2或4所述的铝基线路板，其特征在于：所述第二阳极氧化铝层的 厚度为1?10 μ m。
9. 如权利要求8所述的铝基线路板，其特征在于：所述第二阳极氧化铝层的厚度为 10 μ m〇
10. -种制备用于电子元件全封装的铝基线路板的方法，包括如下步骤： 制备包括有依次层叠结合的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘 层和线路层的铝基线路板半成品； 将所述铝基线路板半成品的第一阳极氧化铝层外表面采用电流强度为8. 5?9. 5A的 激光刻蚀，使得第一阳极氧化铝层外表面的粗糙度为〇. 5?9. 5 μ m。
11. 如权利要求10所述的铝基线路板的方法，其特征在于：所述激光刻蚀是8. 5?9. 0 安培电流强度条件在第一阳极氧化铝层外表面上形成密集的点状坑形貌，使得所述第一阳 极氧化铝层外表面的粗糙度为〇. 5?9. 5 μ m。
12. 如权利要求10所述的铝基线路板的方法，其特征在于：所述激光刻蚀是9. 0?9. 5 安培电流强度条件在第一阳极氧化铝层外表面上形成密集的点状凸起或/和沟槽形貌，使 得所述第一阳极氧化铝层外表面的粗糙度为〇. 5?9. 5 μ m。
13. -种电子元件全封装，包括铝基线路板和对铝基线路板进行全包封的封装层，其特 征在于：所述铝基线路板为如权利要求1?9任一项所述的铝基线路板或者由如权利要求 10?12任一项所述的铝基线路板的方法制备获得的铝基线路板。
【文档编号】H05K1/02GK104113978SQ201310377533
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】王新雷, 程德凯, 陶良毅, 陈玲娟 申请人:广东美的制冷设备有限公司