布线基板、使用了该布线基板的安装结构体以及布线基板的制造方法
【专利摘要】本发明的一实施方式中的布线基板(3)具有：无机绝缘层(11A)；第1树脂层(12A)，其形成在无机绝缘层(11A)的一主面；第2树脂层(13A)，其形成在无机绝缘层(11A)的另一主面；和导电层(8)，其部分地形成在第2树脂层(13A)的与无机绝缘层(11A)相反侧的一主面。无机绝缘层(11A)包含彼此在一部分上相连接的多个第1无机绝缘粒子(14)，并且形成有由多个第1无机绝缘粒子(14)包围而成的间隙(G)。第1树脂层(12A)的一部分以及第2树脂层(13A)的一部分进入到间隙(G)中。
【专利说明】布线基板、使用了该布线基板的安装结构体以及布线基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及被用于电子设备(例如各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机设备及其周边设备)的布线基板、使用了该布线基板的安装结构体以及布线基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]一直以来，作为被用于电子设备的安装结构体，已知有在布线基板安装了电子部件的安装结构体。
[0003]作为该布线基板，例如，如特开平8-118194号公报中所公开的那样，使用了具有由树脂材料形成的绝缘层的布线基板。对于该布线基板，由于在绝缘层中，使用了与电子部件相比热膨胀率更大的树脂材料，因此布线基板的热膨胀率比电子部件的热膨胀率容易变大。
[0004]结果，若在电子部件的安装时、工作时热施加到安装结构体，则以布线基板与电子部件的热膨胀率的差为起因，从而热应力容易施加到布线基板与电子部件的连接部。因此，布线基板与电子部件的连接可靠性容易下降，安装结构体的电可靠性容易下降。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，提供一种能响应提高安装结构体的电可靠性的要求的布线基板、使用了该布线基板的安装结构体以及布线基板的制造方法。
[0006]本发明的一实施方式中的布线基板具有:无机绝缘层；第I树脂层，其形成在该无机绝缘层的一主面；第2树脂层，其形成在所述无机绝缘层的另一主面；和导电层，其部分地形成在该第2树脂层的与所述无机绝缘层相反侧的一主面。所述无机绝缘层，包含彼此在一部分相连接的多个第I无机绝缘粒子，并且形成有由该多个第I无机绝缘粒子包围而成的间隙。所述第I树脂层的一部分以及所述第2树脂层的一部分进入到所述间隙中。
[0007]此外，本发明的一实施方式中的安装结构体具备:上述的布线基板；和电子部件，其被安装在该布线基板的所述第2树脂层侧的一主面。
[0008]本发明的一实施方式中的布线基板的制造方法具备准备无机绝缘层的工序，该无机绝缘层包含彼此在一部分相连接的多个第I无机绝缘粒子，并且形成有由该多个第I无机绝缘粒子包围而成的间隙。另外，上述的制造方法具备在所述无机绝缘层的一主面将由未硬化的第I树脂材料构成的第I树脂前体配置成层状的工序。另外，上述的制造方法具备在所述无机绝缘层的另一主面将由未硬化的第2树脂材料构成的所述第2树脂前体配置成层状的工序。另外，上述的制造方法具备对配置了所述第I树脂前体的所述无机绝缘层在小于所述第I树脂材料的硬化开始温度的温度下进行加热并且加压，使所述第I树脂前体的一部分进入到所述无机绝缘层的所述间隙的一部分中的工序。另外，上述的制造方法具备对所述无机绝缘层以及所述第I树脂前体在所述第I树脂材料的硬化开始温度以上的温度下进行加热，使所述第I树脂前体成为第I树脂层的工序。另外，上述的制造方法具备对配置了所述第2树脂前体的所述无机绝缘层在小于所述第2树脂材料的硬化开始温度的温度下进行加热并且加压，使所述第2树脂前体的一部分进入到所述无机绝缘层的所述间隙的一部分中的工序。另外，上述的制造方法具备对所述无机绝缘层以及所述第2树脂前体在所述第2树脂材料的硬化开始温度以上的温度下进行加热，使所述第2树脂前体成为第2树脂层的工序。另外，上述的制造方法具备在所述第2树脂层的与所述无机绝缘层相反侧的一主面形成导电层的工序。
[0009]根据本发明的一实施方式中的布线基板，由于包含了绝缘层被配置在第I树脂层以及第2树脂层之间的无机绝缘层，因而能够降低绝缘层的热膨胀率。因此，由于能够提高布线基板与电子部件的连接可靠性，因而能够提高安装结构体的电可靠性。
[0010]此外，根据本发明的一实施方式中的安装结构体，由于具备上述的布线基板，因此能够提高安装结构体的电可靠性。
[0011]根据本发明的一实施方式中的布线基板的制造方法，由于能够制作与电子部件的连接可靠性优异的布线基板，因此能够提高安装结构体的电可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是将本发明的一实施方式中的安装结构体沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0013]图2是将图1的Rl部分放大来表示的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0014]图3将图2的R2部分放大来表示的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0015]图4是将图2的R3部分放大来表示的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0016]图5的(a)至(C)是说明图1所示的安装结构体的制造工序的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0017]图6是将图5(c)的R4部分放大来表示的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0018]图7的(a)以及(b)是说明图1所示的安装结构体的制造工序的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0019]图8是将图7(b)的R5部分放大来表示的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0020]图9是说明图1所示的安装结构体的制造工序的剖面图。
[0021]图10(a)以及(b)是说明图1所示的安装结构体的制造工序的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0022]图11是将图10(b)的R6部分放大来表示的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
[0023]图12(a)以及(b)是说明图1所示的安装结构体的制造工序的、沿厚度方向进行了切断的剖面图。
【具体实施方式】
[0024]<安装结构体>
[0025]以下，参照附图对包含本发明的一实施方式中的布线基板的安装结构体进行详细说明。
[0026]图1所示的安装结构体1，例如用于各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机装置或其周边设备等的电子设备。该安装结构体I包含:电子部件2 ;和布线基板3，在其一主面安装该电子部件2。
[0027]电子部件2经由包含焊料等导电材料的凸起(bump) 4,倒装式安装于布线基板3。电子部件2可以使用例如IC或LSI等的半导体元件。该电子部件2，例如由硅、锗、砷化镓、磷砷化镓、氮化镓或碳化娃等半导体材料形成。
[0028]电子部件2的厚度例如是0.05mm以上且Imm以下。电子部件2的平面方向(XY平面方向)的热膨胀率例如是3ppm/°C以上5ppm/°C以下。另外，电子部件2的厚度通过如下方式来测量:通过扫描型电子显微镜或透过型电子显微镜来观察电子部件2的剖面，测量10个位置的沿厚度方向(Z方向)的长度，并算出其平均值。此外，电子部件2的热膨胀率利用市场上销售的TMA装置，通过以JISK7197-1991为标准的测量方法来测量。以下，各构件的厚度以及热膨胀率与电子部件2同样地测量。
[0029]布线基板3包含:芯基板5;和一对布线层6,其形成在芯基板5的两主面。布线基板3的厚度，例如是0.05mm以上且1.5mm以下。布线基板3的杨氏模量，例如是5GPa以上且30GPa以下。布线基板3的平面方向的热膨胀率，例如是4ppm/°C以上且20ppm/°C以下。另外，布线基板3的杨氏模量可以通过如下方式来测量:从布线基板3截取矩形状的试验片，通过拉伸试验机对该试验片进行测量而得到平均每单位剖面积的拉伸应力，再将拉伸应力除以树脂的伸展量。以下，各构件的杨氏模量除了特别记载的情况以外，都与布线基板3同样地测量。
[0030]芯基板5用于提高布线基板3的杨氏模量。该芯基板5包含:基体7;—对导电层8A，其形成在基体7的两主面；圆筒状的通孔导体9，其将一对导电层8A彼此电连接；和绝缘体10，其被填充到圆筒状的通孔导体9的内部。
[0031]基体7用于提高芯基板5的杨氏模量。该基体7包含:一对无机绝缘层IlA ;第I树脂层12A，其位于一对无机绝缘层IlA彼此之间；和第2树脂层13A，其位于无机绝缘层IlA的与第I树脂层12A相反侧的主面。
[0032]无机绝缘层IlA用于提高基体7的杨氏模量，并且降低基体7的热膨胀率。该无机绝缘层IlA由以无机绝缘材料为主要成分的无机绝缘部构成，在该无机绝缘部形成有间隙G。然后，如图2所示，后述的第I树脂层12A的一部分与第2树脂层13A的一部分进入到该间隙G中。
[0033]无机绝缘层IlA的厚度，例如是3μπι以上且100 μ m以下，这相当于第I树脂层12A的厚度的例如5%以上且50%以下。此外，无机绝缘层IlA的杨氏模量，例如是20GPa以上且50GPa以下。此外，无机绝缘层IlA的向平面方向的热膨胀率，例如是Oppm/°C以上且1ppm/°C以下。另外，无机绝缘层IlA的杨氏模量利用纳米压痕仪(nanoindenter),通过以IS0527-1:1993为标准的测量方法来测量。
[0034]该无机绝缘层IlA中的无机绝缘部的含有比例，例如是62体积％以上且75体积％以下。无机绝缘层IlA中的间隙G的含有比例，例如是25体积％以上且38体积％以下。此外，间隙G中的第I树脂层12A的一部分以及第2树脂层13A的一部分的含有比例，例如是99.5体积％以上且100体积％以下。此外，间隙G的宽度，例如是1nm以上300nm以下。另外，间隙G的宽度通过以下方式来求取:通过扫描型电子显微镜或透过型电子显微镜来观察无机绝缘层IlA的剖面，并拍摄放大成包含20以上50以下的间隙G的剖面，将该放大后的剖面中各间隙G的最大径的平均值视为间隙G的宽度。
[0035]无机绝缘部包含由无机绝缘材料构成的多个第I无机绝缘粒子14。结果，因为无机绝缘材料与树脂材料相比热膨胀率小，所以无机绝缘部的热膨胀率小。因此，当在无机绝缘层IlA的两主面形成的第I树脂层12A以及第2树脂层13A发生热膨胀时，由于无机绝缘层IlA对第I树脂层12A以及第2树脂层13A进行约束，因此能够降低基体7的热膨胀率。
[0036]而且，无机绝缘部所包含的多个第I无机绝缘粒子14，彼此的一部分相连接以使得形成颈(neck)N，并形成有由相互连接的第I无机绝缘粒子14彼此包围而成的间隙G。然后，第I树脂层12A的一部分以及第2树脂层13A的一部分进入到了该间隙G中。结果，能够提高第I树脂层12A的一部分以及第2树脂层13A与无机绝缘层IlA的粘接强度。因此，能够减少第I树脂层12A以及第2树脂层13A从无机绝缘层IlA剥离的情形。
[0037]而且，如图2所示，因为多个第I无机绝缘粒子14彼此之间相互连接，所以多个第I无机绝缘粒子14彼此之间互相约束。结果，能够提高无机绝缘层IlA的杨氏模量。因此，当第I树脂层12A以及第2树脂层13A发生热膨胀时，无机绝缘层IlA能够良好地约束第I树脂层12A以及第2树脂层13A，从而能够进一步降低基体7的热膨胀率。
[0038]第I无机绝缘粒子14，例如由氧化硅、氧化铝、氧化镁或氧化钙等的无机绝缘材料构成。其中尤以使用氧化硅最为理想。氧化硅由于与其他的无机绝缘材料相比较介质损耗角正切较低，因此能够提高导电层8A的信号传输特性。此外，较为理想的是，第I无机绝缘粒子14使用非晶质体。结果，能够降低第I无机绝缘粒子14的晶体结构所引起的热膨胀率的各向异性，并能够减少无机绝缘层IlA中的裂纹的产生。
[0039]第I无机绝缘粒子14的平均粒径，例如是3nm以上且IlOnm以下。第I无机绝缘粒子14的杨氏模量，例如是1GPa以上且10GPa以下。第I无机绝缘粒子14的热膨胀率，例如是0.5ppm/°C以上且15ppm/°C以下。另外，第I无机绝缘粒子14的平均粒径通过以下方式来测量:通过电场发射型电子显微镜来观察无机绝缘层IlA的研磨面或者断裂面，并拍摄放大成包含20粒子数以上50粒子数以下的粒子的剖面，在该放大后的剖面中测量各粒子的最大径，对其计算平均值。以下，各构件的平均粒径除了特别记载的情况以外，都与第I无机绝缘粒子14同样地测量。
[0040]较为理想的是，无机绝缘部包含与第I无机绝缘粒子14相比平均粒径较大的第2无机绝缘粒子15。在该情况下，无机绝缘部通过多个第I无机绝缘粒子14彼此以及第I无机绝缘粒子14与第2无机绝缘粒子15彼此在一部分连接而形成。结果，因为第2无机绝缘粒子15的平均粒径比第I无机绝缘粒子14的平均粒径大，所以在无机绝缘部产生有裂纹的情况下，由于裂纹为了绕过第2无机绝缘粒子15而需要大量的能量，因此能够抑制该裂纹的伸长。
[0041]第2无机绝缘粒子15，例如由与第I无机绝缘粒子14同样的材料构成，并具有同样的特性。其中，较为理想的是，第2无机绝缘粒子15与第I无机绝缘粒子14使用相同材料。第2无机绝缘粒子15的平均粒径，例如是0.5 μ m以上且5 μ m以下。另外，第2无机绝缘粒子15的平均粒径通过如下处理来求取:首先，通过扫描型电子显微镜或透过型电子显微镜来观察无机绝缘层IlA的剖面，并关注于该剖面中的至少30个粒子，将每一个粒子的剖面每次研磨0.2 μ m，并在各研磨剖面上测量这些粒子的粒径，将所关注的粒子的直径示出了最大的值视为各粒子的直径，算出它们的平均值。接着，在至少任意选择的30个剖面中测量该平均值，并对在各剖面中算出的平均值再进行平均来计算出平均值。
[0042]无机绝缘部中的第I无机绝缘粒子14的含有比例，例如是20体积％以上且90体积％以下。无机绝缘部中的第2无机绝缘粒子15的含有比例，例如是10体积％以上且80体积％以下。
[0043]另一方面，第I树脂层12A形成基体7的主要部分。该第I树脂层12A例如包含:第I树脂部16A ;基材17，其被第I树脂部16A覆盖；和填料粒子19，其被第I树脂部16A覆盖。通过第I树脂部16A的一部分进入到间隙G中，由此第I树脂层12A的一部分进入到了间隙G中。
[0044]第I树脂层12A的厚度，例如是0.0lmm以上且0.3mm以下。第I树脂层12A的杨氏模量，例如是0.2GPa以上且20GPa以下。第I树脂层12A的平面方向的热膨胀率，例如是3ppm以上且20ppm以下。第I树脂层12A中的基材17的含有比例，例如是20体积％以上且50体积％以下。第I树脂层12A中的填料粒子19的含有比例，例如是10体积％以上且40体积％以下。
[0045]第I树脂部16A形成第I树脂层12A的主要部分，例如由环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂等树脂材料构成。第I树脂部16A的杨氏模量，例如是0.1GPa以上且5GPa以下。第I树脂部16A的热膨胀率，例如是20ppm/°C以上且50ppm/°C以下。
[0046]在此，第I树脂部16A进入到了无机绝缘层IlA的间隙G中。结果，因为第I树脂部16A的杨氏模量比第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子15都小，所以第I树脂部16A能够缓和施加到无机绝缘层IlA的应力，进而减少无机绝缘层IlA的裂纹的产生或伸长。
[0047]基材17用于提高第I树脂层12A的杨氏模量，并且降低第I树脂层12A的平面方向的热膨胀率。该基材17可以使用例如由纤维构成的织布或者无纺布或将纤维排列在一个方向上的材料，该纤维例如由玻璃纤维、树脂纤维、碳纤维或金属纤维等构成。基材17的杨氏模量，例如是1GPa以上且25GPa以下。基材17的平面方向的热膨胀率例如是2ppm/°C以上且25ppm/°C以下。
[0048]填料粒子19分散在第I树脂层12A中，用于提高第I树脂层12A的杨氏模量，并且降低第I树脂层12A的热膨胀率。填料粒子19，例如由氧化硅、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝或碳酸钙等的无机绝缘材料构成。填料粒子19的平均粒径，例如是0.3 μ m以上且5 μ m以下。填料粒子19的杨氏模量，例如是40GPa以上且90GPa以下。填料粒子19的热膨胀率，例如是Oppm/°C以上且15ppm/°C以下。
[0049]第2树脂层13A用于支撑上述的导电层SA0该第2树脂层13A例如包含:第2树脂部18A ;和填料粒子19，其被第2树脂部18A覆盖，并分散在第2树脂层13A中。通过第2树脂部18A的一部分进入到间隙G中，第I树脂层12A的一部分进入到了间隙G中。第2树脂层13A的厚度，例如是3μπι以上20 μ m以下。第2树脂层13A的杨氏模量，例如是
0.2GPa以上且20GPa以下。第2树脂层13A的平面方向的热膨胀率，例如是20ppm/°C以上且70ppm/°C以下。第2树脂层13A中的填料粒子19的含有比例，例如是10体积％以上且70体积％以下。
[0050]第2树脂部18A，例如由与第I树脂部16A同样的材料构成，并具有同样的特性。此外，第2树脂部18A进入到了无机绝缘层IlA的间隙G中。结果，能够与第I树脂部16A同样地缓和施加到无机绝缘层IlA的应力。
[0051]在上述的基体7的两主面配置的导电层8A，例如由铜、银、金或铝等的导电性材料构成。导电层8A的厚度，例如是3μπι以上且20μπι以下。导电层8Α的杨氏模量，例如是80GPa以上且200GPa以下。导电层8A的平面方向的热膨胀率，例如是16ppm/°C以上且18ppm/°C 以下。
[0052]通孔导体9在厚度方向上贯通基体7，从而实现将在基体7的两主面形成的一对导电层8A彼此之间的电连接。该通孔导体9，例如由与导电层8A同样的材料构成，并具有同样的特性。通孔导体9沿着将基体7在厚度方向上贯通的圆柱状的通孔T的内壁而形成为圆筒状。通孔T的直径，例如是0.1mm以上且Imm以下。在圆筒状的通孔导体9的内部，例如配置有由环氧树脂等的树脂材料构成的绝缘体10。另外，通孔导体9也可以填充到通孔T中。
[0053]在上述的芯基板5的两主面配置的布线层6包含:无机绝缘层IlB ;第I树脂层12B，其形成在无机绝缘层IlB的一主面；第2树脂层13B，其形成在无机绝缘层IlB的另一主面；导电层8B，其形成在第2树脂层13B的与无机绝缘层IlB相反侧的主面;第3树脂层20，其覆盖导电层SB ;和导通导体21，其在厚度方向上将导电层SB彼此电连接。
[0054]无机绝缘层IlB用于提高布线层6的杨氏模量，并且降低布线层6的热膨胀率。该无机绝缘层11B，例如由与无机绝缘层IlA同样的材料构成，并具有同样的结构以及特性。第I树脂层12B的一部分以及第2树脂层13B的一部分进入到了无机绝缘层IlB的间隙G中。
[0055]第I树脂层12B作为无机绝缘层IlB与其他构件的粘接层而发挥作用。该第I树脂层12B，例如包含第I树脂部16B和被第I树脂部16B覆盖的填料粒子19，例如由与第2树脂层13A同样的材料构成，并具有同样的结构以及特性。通过第I树脂部16B的一部分进入到间隙G中，第I树脂层12B的一部分进入到了间隙G中。
[0056]第2树脂层13B用于支撑导电层8B。该第2树脂层13B包含第2树脂部18B和被第2树脂部18B覆盖且位置分散的填料粒子19，例如由与第2树脂层13A同样的材料构成，并具有同样的结构以及特性。通过第2树脂部18B的一部分进入到间隙G中，从而第2树脂层12B的一部分进入到了间隙G中。
[0057]导电层SB部分地形成在第2树脂层13B的与无机绝缘层IlB相反的主面上，作为接地用布线、电力供给用布线或信号用布线而发挥作用。导电层8B，例如由与导电层8A同样的材料构成，并具有同样的结构以及特性。
[0058]第3树脂层20用于覆盖部分地形成在第2树脂层上的导电层SB，从而减少平面方向上的导电层8B彼此之间的短路，并与第I树脂层12B为相同的构成。另外，如图1所示，虽然第I树脂层12B与第3树脂层20是相同的绝缘层，但是在着眼于某一层的无机绝缘层11时，与该无机绝缘层11直接相接的为第I树脂层12B，没有与该无机绝缘层11直接相接的为第3树脂层20。
[0059]导通导体21在厚度方向上将多个导电层SB彼此电连接，第I树脂层12B贯通了无机绝缘层IlB以及第2树脂层13B。导通导体21，例如由与导电层8A同样的材料构成，并具有同样的结构以及特性。
[0060]另外，如上所述，第2树脂层13介于无机绝缘层11与导电层8之间。结果，与在无机绝缘层11上直接形成了导电层8的情况相比较，第2树脂层13与无机绝缘层11以及导电层8相比杨氏模量小，所以能够缓和因无机绝缘层11与导电层8的热膨胀率差而引起的热应力，从而减少导电层8从无机绝缘层11剥离的情形。
[0061]而且，通过该第2树脂部18进入到无机绝缘层11的间隙G中，从而锚定效应发生，并且第2树脂层13与无机绝缘层11所包含的多个第I无机绝缘粒子14以及多个第2无机绝缘粒子15的接触面积增大。结果，第2树脂层13与无机绝缘层11的粘接强度得到提高，所以能够良好地减少导电层8从无机绝缘层11剥离的情形。
[0062]此外，在无机绝缘层11的两主面，形成有与无机绝缘层11相比杨氏模量更小的第I树脂层12以及第2树脂层13。结果，当应力被施加到布线基板3时，因为第I树脂层12以及第2树脂层13发生变形，能够缓和施加到无机绝缘层11的应力，所以能够减少在无机绝缘层11产生裂纹的情形，并良好地减少起因于该裂纹而导致导电层8断线的情形。
[0063]此外，第I树脂层12的一部分以及第2树脂层13的一部分进入到了无机绝缘层11的间隙G中。结果，由于能够良好地减少第I树脂层12以及第2树脂层13从无机绝缘层11剥离的情形，因此能够良好地减少在平面方向上相邻的、导电层8彼此或通孔导体9彼此或者导通导体21彼此之间的迁移(migrat1n)的发生。
[0064]此外，如图4所示，较为理想的是，进入到间隙G中的第I树脂层12与第2树脂层13在间隙G中相连接。结果，间隙G由第I树脂层12的一部分以及第2树脂层13的一部分填充，因而能够良好地减少在平面方向上相邻的通孔导体9彼此以及导通导体21彼此之间的迁移的发生。
[0065]此外，如图4所示，较为理想的是，进入到间隙G中的第I树脂层12与第2树脂层13在间隙G中以曲面相连接。结果，第I树脂层12与第2树脂层13的连接面积增大，所以能够提高粘接强度。因此，由于能够良好地减少进入到间隙G中的第I树脂层12与第2树脂层13的剥离，因而能够良好地减少在平面方向上相邻的通孔导体9彼此以及导通导体21彼此之间的迁移的发生。此外，在布线基板3受到加热的情况下，能够减少进入到剥离开的部位的水分所引起的膨胀。
[0066]此外，如图2所示，较为理想的是，在第2树脂层13中，导电层8侧的区域中的填料粒子19的含有比例小于无机绝缘层11侧的区域中的填料粒子19的含有比例。结果，能够降低第2树脂层13的无机绝缘层11侧的区域与无机绝缘层11的热膨胀率的差的同时，降低第2树脂层13的导电层8侧的区域与导电层8的热膨胀率。因此，能够减少第2树脂层13与无机绝缘层11的剥离的同时，良好地减少第2树脂层13与导电层8的剥离。
[0067]另外，在将位于无机绝缘层11的一主面上的第2树脂层13按照厚度均等的方式沿平面方向分成两部分，并将接近于无机绝缘层11的一方设为第I区域，而将接近于导电层8的一方设为第2区域的情况下，第2树脂层13中的填料粒子19中，位于第I区域的填料粒子19的个数的比例，例如是55%以上且70%以下，位于第2区域的填料粒子19的个数的比例，例如是30%以上且45%以下。
[0068]此外，较为理想的是，第3树脂层20由与第2树脂层13相同的树脂材料构成。结果，由于能够提高第2树脂层13与第3树脂层20的粘接强度，因此能够减少第2树脂层13与第3树脂层20的剥离。
[0069]此外，如图2所示，较为理想的是，在第3树脂层20中，导电层8侧的区域中的填料粒子19的含有比例小于与导电层8相反侧的区域中的填料粒子19的含有比例。结果，由于能够减小第3树脂层20的导电层8侧的区域与第2树脂层13的导电层8侧的区域的热膨胀率的差，因而能够减少第2树脂层13与第3树脂层20的剥离。
[0070]另外，在将位于无机绝缘层11的一主面上的第3树脂层20按照厚度均等的方式沿平面方向分成两部分，并将距导电层8较远的一方设为第I区域，而将接近于导电层8的一方设为了第2区域的情况下，第3树脂层20中的填料粒子19中，位于第I区域的填料粒子19的个数的比例，例如是55%以上且70%以下，位于第2区域的填料粒子19的个数的比例，例如是30%以上且45%以下。
[0071]此外，如图2所示，在无机绝缘层11中，第2树脂层13侧的区域中的第2无机绝缘粒子15的含有比例也可以大于第I树脂层12侧的区域中的第2无机绝缘粒子15的含有比例。结果，因为与布线基板3的内侧相比布线基板3的表面侧更能够提高硬度，所以能够抑制在布线基板3产生裂纹。
[0072]<安装结构体的制造方法>
[0073]接着，参照图5至图12对上述的安装结构体I的制造方法进行说明。
[0074](I)准备具有包含第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子15的固形物、和分散有该固形物的溶剂的无机绝缘溶胶llx。
[0075]无机绝缘溶胶I Ix中的固形物的含有比例，例如是10体积％以上且50体积％以下。通过设为10体积％以上，能够降低无机绝缘溶胶IlX的粘度，并且通过设为50体积％以下，能够提高由无机绝缘溶胶Ilx形成的无机绝缘层11的生产率。此外，无机绝缘溶胶Ilx中的溶剂的含有比例,例如是50%体积以上且90体积％以下。
[0076]无机绝缘溶胶Ilx的固形物中的第I无机绝缘粒子14的含有比例，例如是20体积％以上且90体积％以下，而无机绝缘溶胶Ilx的固形物中的第2无机绝缘粒子15的含有比例，例如是10体积％以上且80体积％以下。由此，在后述的(3)的工序中，能够有效地减少无机绝缘层11的裂纹的产生。
[0077]无机绝缘溶胶Ilx所包含的溶剂例如可以使用有机溶剂，该有机溶剂包括甲醇、异丙醇、正丁醇、乙二醇、乙二醇单丙醚、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、二甲苯、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、二甲基乙酰胺以及/或者选自这些当中的2种以上的混合物。
[0078](2)如图5(a)所示，准备由PET树脂等的树脂材料或铜等的金属材料等形成的支撑片22，在支撑片22的一主面涂敷无机绝缘溶胶llx。
[0079]无机绝缘溶胶Ilx的涂敷例如可以利用分配器、棒式涂布机(bar coater)、挤压式涂布机或丝网印刷来进行。
[0080](3)使无机绝缘溶胶Ilx干燥来使溶剂蒸发。
[0081]在此，虽然无机绝缘溶胶Ilx伴随溶剂的蒸发而收缩，但是溶剂被包含在由第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子18包围而成的间隙G中，没有被包含在第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子18自身中。因此，若无机绝缘溶胶Ilx包含有平均粒径大的第2无机绝缘粒子15，则相应地间隙G减小，填充溶剂的区域减少，在无机绝缘溶胶Ilx的溶剂蒸发时无机绝缘溶胶Ilx的固形物的收缩量减小。结果，能够减少无机绝缘溶胶Ilx的固形物的收缩所引起的裂纹的产生。此外，即使裂纹产生，也能够通过平均粒径大的第2无机绝缘粒子15来抑制该裂纹的伸长。
[0082]无机绝缘溶胶Ilx的干燥例如通过加热以及风干来进行。干燥温度例如是20°C以上且小于溶剂的沸点(在混合了 2种类以上的溶剂的情况下为沸点最低的溶剂的沸点)，干燥时间例如是20秒以上且30分以下。
[0083](4)对残余的无机绝缘溶胶Ilx的固形物进行加热，制作使第I无机绝缘粒子14彼此以及使第I无机绝缘粒子14与第2无机绝缘粒子15彼此在一部分相连接的无机绝缘层11。
[0084]在此，本实施方式中的无机绝缘溶胶Ilx具有平均粒径微小的第I无机绝缘粒子14。结果，即便无机绝缘溶胶Ilx的加热温度是较低的温度，例如是小于第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子15的结晶化开始温度的低温，也能够使第I无机绝缘粒子14彼此牢固地连接。
[0085]较为理想的是，无机绝缘溶胶Ilx的加热温度小于第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子15的结晶化开始温度。结果，能够减少结晶化后的粒子由于相变而收缩的情形，并减少无机绝缘层11的裂纹的产生。
[0086]而且，通过像这样在低温下进行加热，可以一面使第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子15保持粒子的形状，一面使第I无机绝缘粒子14彼此以及第I无机绝缘粒子14与第2无机绝缘粒子15彼此仅在接近区域相连接。结果，能够使第I无机绝缘粒子14彼此相连接以及第I无机绝缘粒子14与第2无机绝缘粒子15相连接，进而能够在第I无机绝缘粒子14彼此之间容易形成开孔的间隙G。
[0087]另外，可以使第I无机绝缘粒子14彼此牢固地连接的温度，例如在第I无机绝缘粒子14的平均粒径为IlOnm以下的情况下是250°C程度，在所述平均粒径为15nm以下的情况下是150°C程度。此外，第I无机绝缘粒子14以及第2无机绝缘粒子18所包含的氧化硅的结晶化开始温度是1300°C程度。
[0088]无机绝缘溶胶Ilx的加热温度例如是100°C以上且小于700°C，加热时间例如是
0.5小时以上且24小时以下。
[0089]如上述那样来制作出层叠片23，该层叠片23包含:支撑片22 ;和无机绝缘层11，其形成在支撑片22的一主面上。
[0090](5)如图5 (b)所示，准备第I树脂前体12Ax，并将层叠片23的无机绝缘层IlA层叠到第I树脂前体12Ax的两主面，其中该第I树脂前体12Ax包含:未硬化的第I树脂材料16Ax ;基材17，其被未硬化的第I树脂材料16Ax覆盖；和填料粒子19，其被未硬化的第I树脂材料16Ax覆盖。
[0091]接着，如图5(c)所示，通过对无机绝缘层IlA以及第I树脂前体12Ax进行加热加压而使未硬化的第I树脂材料16Ax硬化，从而形成第I树脂层12A。此时，图6所示，在无机绝缘层IlA的一部分间隙G中进入未硬化的第I树脂材料16Ax，第I树脂材料16Ax硬化而成为第I树脂部16A，第I树脂层12A的一部分进入到无机绝缘层IlA内。然后，将支撑片22从无机绝缘层IlA剥离，使无机绝缘层IlA的一主面露出。另外，所谓未硬化的树脂指的是处于以IS0472:1999为标准的A-阶段或B-阶段的状态的树脂。
[0092]无机绝缘层IlA以及第I树脂前体12Ax的加热加压，直到未硬化的第I树脂材料16Ax进入到无机绝缘层IlA的间隙G中为止在小于未硬化的第I树脂材料16Ax的硬化开始温度的温度下进行。结果，未硬化的第I树脂材料16Ax流动化，良好地进入到无机绝缘层IlA的间隙G中。之后，在未硬化的第I树脂材料16Ax的硬化开始温度以上且小于热分解温度的温度下进行加热加压。结果，进入到无机绝缘层IlA的间隙G中的第I树脂材料16Ax硬化而成为第I树脂部16A。
[0093]在小于第I树脂材料16Ax的硬化开始温度的温度下进行的加热加压中，加热温度例如是110°C以上且180°C以下，加压压力例如是2MPa以上且3MPa以下，加热时间例如是0.5小时以上且2小时以下。在之后进行的加热加压中，加热温度例如是190°C以上且230°C以下，加压压力例如是2MPa以上且3MPa以下，加热时间例如是0.5小时以上且2小时以下。另外，硬化开始温度为树脂成为以IS0472:1999为标准的C-阶段的状态的温度。此外，热分解温度是在以IS011358:1997为标准的热重测定中树脂的质量减少5%的温度。
[0094](6)如图7(a)所示，准备第2树脂前体13Ax，在无机绝缘层IlA的与第I树脂层12A相反侧的主面层叠第2树脂前体13Ax，其中该第2树脂前体13Ax包含:未硬化的第2树脂材料18Ax ;和填料粒子19，其被未硬化的第2树脂材料18Ax覆盖。
[0095]接着，如图7(b)所示，通过对第I树脂层12A、无机绝缘层IlA以及第2树脂前体13Ax进行加热加压而使未硬化的第2树脂材料18Ax硬化，来形成第2树脂层13A。此时，如图8所示，在无机绝缘层IlA的一部分间隙G中进入未硬化的第2树脂材料18Ax，第2树脂材料18Ax硬化而成为第2树脂部18A，第2树脂层13A的一部分进入到无机绝缘层IlA内。
[0096]第I树脂层12A、无机绝缘层IlA以及第2树脂前体13Ax加热加压，首先，直到未硬化的第2树脂材料ISAx进入到无机绝缘层IlA的间隙G中为止，在小于未硬化的第2树脂材料ISAx的硬化开始温度的温度下进行。此时，未硬化的第2树脂材料ISAx流动化，良好地进入到无机绝缘层IlA的间隙G中。然后，在未硬化的第2树脂材料ISAx的硬化开始温度以上且小于第I树脂材料16A以及第2树脂材料18A的热分解温度的温度下进行加热。结果，进入到无机绝缘层IlA的间隙G中的第2树脂材料ISAx硬化而成为第2树脂部18A。
[0097]在第I树脂层12A、无机绝缘层IlA以及第2树脂前体13Ax的加热加压中，加热温度例如是90°C以上且160°C以下，加压压力例如是0.1MPa以上且2MPa以下。此外，之后的加热在大气气氛中进行，加热温度例如是190°C以上且230°C以下，加热时间例如是0.5小时以上且2小时以下。
[0098](7)如图9所示，形成在厚度方向上贯通基体7的通孔导体9，并在基体7上形成导电层8A。具体来说，按照以下的方式来进行。
[0099]首先，例如通过钻孔加工或激光加工等，形成多个通孔T，该通孔T在厚度方向上贯通基体7。接着，例如无电解镀覆、蒸镀法、CVD法或溅射法等，使导电材料附着于通孔T的内壁，从而形成圆筒状的通孔导体9。接着，在圆筒状的通孔导体9的内部，填充树脂材料等，形成绝缘体10。接着，例如通过无电解镀覆法、蒸镀法、CVD法或溅射法等，使导电材料附于绝缘体9的露出部。接着，通过利用光刻技术以及蚀刻等对所附着的导电材料进行图案形成，来形成导电层8A。
[0100]如上述那样来制作芯基板5。
[0101](8)如图10(a)所示，在导电层8A，层叠第I树脂前体12Bx，该第I树脂前体12Bx包含:未硬化的第I树脂材料16Bx ;和填料粒子19，其被未硬化的第I树脂材料16Bx覆盖。接着，在第I树脂前体12Bx的与导电层8A相反侧的主面层叠无机绝缘层11B。接着，在无机绝缘层IlB的与第I树脂前体12Bx相反侧的主面层叠第2树脂前体13Bx，该第2树脂前体13Bx包含:未硬化的第2树脂材料18Bx ;和填料粒子19，其被未硬化的第2树脂材料18Bx覆盖。
[0102]接着，如图10(b)所示，对第I树脂前体12Bx、无机绝缘层IlB以及第2树脂前体13Bx同时进行加热加压，使未硬化的第2树脂材料16Bx以及未硬化的第2树脂材料ISBx硬化，由此形成第I树脂层12B以及第2树脂层13B。此时，如图11所示，在无机绝缘层IlB的间隙G内进入未硬化的第I树脂材料16Bx以及未硬化的第2树脂材料18Bx，第I树脂材料16Bx以及第2树脂材料18Bx硬化而成为第I树脂部16B以及第2树脂部18B，第I树脂层12B以及第2树脂层13B的一部分会进入到无机绝缘层IlB内。
[0103]第I树脂前体12Bx、无机绝缘层IlB以及第2树脂前体13Bx的加热加压，首先，直到未硬化的第I树脂材料16Bx以及未硬化的第2树脂材料ISBx进入到无机绝缘层IlB的间隙G中为止，在小于未硬化的第I树脂材料16Bx以及未硬化的第2树脂材料18Bx的硬化开始温度的温度下进行。此时，未硬化的第I树脂材料16Bx以及未硬化的第2树脂材料ISBx流动化，良好地进入到无机绝缘层IlA的间隙G中。然后，在未硬化第I树脂材料16Bx以及未硬化的第2树脂材料ISBx的硬化开始温度以上且小于热分解温度的温度下进行加热。
[0104]第I树脂前体12Bx、无机绝缘层IlB以及第2树脂前体13Bx的加热加压的各条件例如与工序￠)的加热加压的条件相同。另外，第I树脂层12B以及第2树脂层13B的形成也可以不同时进行。
[0105](9)如图12(a)所示，形成在厚度方向上贯通第I树脂层12B、无机绝缘层IlB以及第2树脂层13B的导通导体(via conductor) 21,并在第2树脂层13B上形成导电层8B。具体来说，按照以下的方式来进行。
[0106]首先，例如通过YAG激光装置或碳酸气体激光装置，在第I树脂层12B、无机绝缘层IlB以及第2树脂层13B形成导通孔V，使导电层8 (在此为导电层8A)的至少一部分露出在导通孔V的底部。接着，例如通过半加成法或减成法等，在导通孔V形成导通导体21并且在第2树脂层13B上形成导电层SB。
[0107](10)如图12(b)所示，通过反复⑶至(9)的工序，在芯基板5的两主面形成一对布线层6。然后，通过反复本工序，能够将布线层6进一步多层化。
[0108]如上述那样，能够制作布线基板6。
[0109](11)在上述的布线基板3的一主面的第2树脂层13B露出的面，经由凸起4将电子部件2倒装式安装于布线基板3，由此能够制作出图1所示的安装结构体I。
[0110]如上所述，在本实施方式的制造方法中，使第I树脂材料16以及第2树脂材料18从无机绝缘层11的两主面进入到间隙G中。结果，与使树脂材料仅从无机绝缘层11的一主面进入到间隙G中的情况相比较，因为能够高效地使树脂材料进入到间隙G中，所以能够减少没有分配树脂材料的空隙的产生。
[0111]此外，即使增大无机绝缘层11的厚度，也能够有效地使树脂材料浸透到无机绝缘层11的内部。结果，增厚无机绝缘层11能够提高布线基板3的杨氏模量。因此，因为能够减少布线基板3的翘曲、变形，所以能够提高将电子部件2安装到布线基板3时的成品率。
[0112]此外，较为理想的是，第I树脂前体12x以及第2树脂前体13x包含比间隙G的宽度大的、分散开的多个填料粒子19。结果，第I树脂前体12Bx以及第2树脂前体13x的未硬化的第I树脂材料16x以及第2树脂材料18x进入到无机绝缘层11中，由此多个填料粒子19像被无机绝缘层11的表层过滤那样地聚集，能够形成接近无机绝缘层11的区域与距无机绝缘层11较远的区域相比填料粒子19的含有比例大的第I树脂层12B以及第2树脂层13。因此，能够容易地制作在第I树脂层12B以及第2树脂层13的两端部热膨胀率不同的倾斜构件，进而能够提闻成品率。
[0113]第I树脂前体12x中的填料粒子19的含有比例，例如是10体积％以上且55体积％以下。第2树脂前体13x中的填料粒子19的含有比例与第I树脂前体12x相同。此夕卜，在第I树脂层12的形成后，第I树脂层12中的填料粒子19的含有比例例如是10体积％以上且70体积％以下。第2树脂层13中的填料粒子19的含有比例与第I树脂层12相同。
[0114]此外，较为理想的是，未硬化的第I树脂材料16x以及未硬化的第2树脂材料18x在进入到无机绝缘层11的间隙G之前的阶段，仅由单体以及低聚物构成。结果，因为单体以及低聚物与聚合物相比分子量小，所以能够良好地进入到间隙G中。
[0115]此外，较为理想的是，未硬化的第I树脂材料16x以及未硬化的第2树脂材料18x在进入到无机绝缘层11的间隙G之前的阶段，单体的比例大于低聚物的比例。结果，因为单体与低聚物相比分子量小，所以能够良好地进入到间隙G中。
[0116]另外，在树脂材料中，单体是单量体。低聚物是10个以上且300个以下的单体结合而成的分子量较低的聚合体。聚合物是300个以上的单体结合而成的聚合体。
[0117]此外，通过使第I树脂材料16以及第2树脂材料18从无机绝缘层11的两主面进入到间隙G中，能够减少树脂材料从一方的树脂层过多地进入的情形。结果，例如在工序
(5)中，在第I树脂层12A的两主面形成的无机绝缘层IlA的厚度大于第I树脂层12A的厚度的情况下，能够减少第I树脂材料16A过多地进入到无机绝缘层IlA的间隙G中的情形，并减少第I树脂材料16A所覆盖的基材17内的气泡的产生。
[0118]此外，在工序(2)中，也可以将已涂敷在支撑片22的一主面的无机绝缘溶胶Ilx放置一定时间，使与第I无机绝缘粒子14相比平均粒径更大且质量更大的第2无机绝缘粒子15在无机绝缘溶胶Ilx中沉降到支撑片侧，更多的第2无机绝缘粒子15集中在支撑片侧。
[0119]结果，例如在工序(5)中，能够减小第I树脂层12A侧的无机绝缘层11的间隙G的宽度，并能够减少第I树脂材料16A过多地进入到间隙G中的情形，进而良好地减少第I树脂层12A中的气泡的产生。
[0120]本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能进行各种变更、改良、组合等。
[0121]例如，上述的本发明的实施方式以使用了在芯基板的两主面形成有布线层的布线基板的结构为例进行了说明，但也可以使用只有芯基板的布线基板、或者只有布线层的布线基板(无芯基板)。
[0122]此外，上述的本发明的实施方式省略了对阻焊层的说明，但布线基板也可以在上下表面具有包含树脂材料的阻焊层。
[0123]此外，上述的本发明的实施方式省略了对底层填料(underfill)的说明，但安装结构体也可以在布线基板与电子部件之间具有底层填料。
[0124]此外，上述的本发明的实施方式以芯基板以及布线层包含无机绝缘层的结构为例进行了说明，但也可以仅芯基板包含无机绝缘层或者仅布线层包含无机绝缘层。
[0125]此外，上述的本发明的实施方式以第I树脂层包含基材的结构为例进行了说明，但第I树脂层也可以不包含基材。
[0126]此外，上述的本发明的实施方式以第I树脂层以及第2树脂层包含填料粒子的结构为例进行了说明，但第I树脂层以及第2树脂层也可以不包含填料粒子。
[0127]符号说明
[0128]I安装结构体
[0129]2电子部件
[0130]3布线基板
[0131]4 凸起
[0132]5芯基板
[0133]6布线层
[0134]7 基体
[0135]8、8A、8B 导电层
[0136]9通孔导体
[0137]10绝缘体
[0138]11、IlAUlB无机绝缘层
[0139]Ilx无机绝缘溶胶
[0140]12、12A、12B 第 I 树脂层
[0141]12x、12Ax、12Bx 第 I 树脂前体
[0142]13、13A、13B 第 2 树脂层
[0143]13x、13Ax、13Bx 第 2 树脂前体
[0144]14第I无机绝缘粒子
[0145]15第2无机绝缘粒子
[0146]16、16A、16B 第 I 树脂部
[0147]16x、16Ax、16Bx未硬化的第I树脂材料
[0148]17 基材
[0149]18、18A、18B 第 2 树脂部
[0150]18x、18Ax、18Bx未硬化的第2树脂材料
[0151]19填料粒子
[0152]20第3树脂层
[0153]21导通导体
[0154]22支撑片
[0155]23层叠片
[0156]B连接面
[0157]G 间隙
[0158]N 颈
[0159]T 通孔(through hole)
[0160]V 导通孔(via hole)
【权利要求】
1.一种布线基板，其特征在于，具有: 无机绝缘层；第I树脂层，其形成在该无机绝缘层的一主面;第2树脂层，其形成在所述无机绝缘层的另一主面；和导电层，其部分地形成在该第2树脂层的与所述无机绝缘层相反侧的一主面， 所述无机绝缘层包含彼此在一部分相连接的多个第I无机绝缘粒子，并且形成有由该多个第I无机绝缘粒子包围而成的间隙， 所述第I树脂层的一部分以及所述第2树脂层的一部分进入到所述间隙中。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 所述第I树脂层的一部分在所述间隙中，与所述第2树脂层的一部分相接。
3.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 所述第2树脂层包含多个填料粒子，其中该填料粒子由无机绝缘材料构成，并且平均粒径比所述间隙的宽度大， 该多个填料粒子分散在所述第2树脂层中， 在该第2树脂层中，所述无机绝缘层侧的区域中的所述填料粒子的含有比例小于所述导电层侧的区域中的所述填料粒子的含有比例。
4.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 在所述第2树脂层的一主面，还具有覆盖所述导电层而形成的第3树脂层， 该第3树脂层由与所述第2树脂层相同的树脂材料构成。
5.根据权利要求4所述的布线基板，其特征在于， 所述第3树脂层包含所述多个填料粒子， 该多个填料粒子分散在所述第3树脂层中， 在该第3树脂层中，与所述导电层相反侧的区域中的所述填料粒子的含有比例小于所述导电层侧的区域中的所述填料粒子的含有比例。
6.一种安装结构体，其具备: 权利要求1所述的布线基板；和电子部件，其被安装在该布线基板的所述第2树脂层侧的一主面。
7.—种布线基板的制造方法，其特征在于，具备: 准备无机绝缘层的工序，该无机绝缘层包含彼此在一部分相连接的多个第I无机绝缘粒子，并且形成有由该多个第I无机绝缘粒子包围而成的间隙； 在所述无机绝缘层的一主面，将由未硬化的第I树脂材料构成的第I树脂前体配置成层状的工序； 在所述无机绝缘层的另一主面，将由未硬化的第2树脂材料构成的所述第2树脂前体配置成层状的工序； 对配置了所述第I树脂前体的所述无机绝缘层在小于所述第I树脂材料的硬化开始温度的温度下进行加热并且加压，使所述第I树脂前体的一部分进入到所述无机绝缘层的所述间隙的一部分中的工序； 对所述无机绝缘层以及所述第I树脂前体在所述第I树脂材料的硬化开始温度以上的温度下进行加热，使所述第I树脂前体成为第I树脂层的工序； 对配置了所述第2树脂前体的所述无机绝缘层在小于所述第2树脂材料的硬化开始温度的温度下进行加热并且加压，使所述第2树脂前体的一部分进入到所述无机绝缘层的所述间隙的一部分中的工序； 对所述无机绝缘层以及所述第2树脂前体在所述第2树脂材料的硬化开始温度以上的温度下进行加热，使所述第2树脂前体成为第2树脂层的工序；和 在所述第2树脂层的与所述无机绝缘层相反侧的一主面形成导电层的工序。
8.根据权利要求7所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 在使所述第2树脂材料的一部分进入到所述无机绝缘层的所述间隙的一部分中的工序之前，进行使所述第I树脂前体成为第I树脂层的工序。
9.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 在将所述第2树脂前体配置成层状的工序中，在所述无机绝缘层的另一主面，将分散了多个填料粒子的所述第2树脂前体配置成层状，其中该填料粒子由无机绝缘材料构成，并且平均粒径大于所述间隙的宽度。
【文档编号】H05K3/46GK104137658SQ201380010603
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2013年2月20日 优先权日:2012年2月23日
【发明者】长泽忠, 林桂 申请人:京瓷株式会社