多晶铸锭晶体冷却工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种多晶铸锭晶体冷却工艺，晶锭出炉体后的炉体外冷却中，采用保温笼罩罩住晶锭，从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。本发明能够降低晶锭在炉体外的冷却速度，随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷现象的几率，最终降低切片环节中隐裂片的比例。
【专利说明】多晶铸锭晶体冷却工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种多晶铸锭晶体冷却工艺，多晶铸锭【技术领域】。
【背景技术】
[0002]目前，晶锭出炉后，在车间环境中自然冷却，不做任何保温措施，晶锭在炉体外的冷却速度过快，经常出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷的现象。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种多晶铸锭晶体冷却工艺，它能够降低晶锭在炉体外的冷却速度，随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷现象的几率，最终降低切片环节中隐裂片的比例。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是:一种多晶铸锭晶体冷却工艺，晶锭出炉体后的炉体外冷却中，采用保温笼罩罩住晶锭，从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。
[0005]进一步为了降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭的产出，在晶锭出炉体前，提高晶锭的出炉温度，从而降低晶锭在炉体中的冷却时间。
[0006]进一步限定了最优的出炉温度使得晶锭的产出最多，所述的晶锭的出炉温度为400。C。
[0007]更进一步提供了一种保温笼罩的结构，所述的保温笼罩由框架和石墨保温层组成，石墨保温层设置在框架的内侧壁上。
[0008]采用了上述技术方案后，晶锭出炉体后的炉体外冷却中，使用设计的保温笼罩住晶锭，显著地降低晶锭在炉体外的冷却速度，随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂的现象的几率，最终降低切片环节中隐裂片的比例，可以使得硅片隐裂片比例下降0.2~0.3%;同时可以提高晶锭出炉温度，降低晶锭在炉体中的冷却时间，进而降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭产出，当晶锭的出炉温度为400°C的时候，可以使得在炉体中的周期降低
1.2小时，最终晶锭的产出提升1.5%。
【具体实施方式】
[0009]为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例，对本发明作进一步详细的说明。
[0010]一种多晶铸锭晶体冷却工艺，晶锭出炉体后的炉体外冷却中，采用保温笼罩罩住晶锭，从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。
[0011]为了降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭的产出，在晶锭出炉体前，提高晶锭的出炉温度，从而降低晶锭在炉体中的冷却时间。
[0012]为了使得晶锭的产出最多，所述的晶锭的出炉温度优选为400°C，从原来的350°C提高到400°C。
[0013]所述的保温笼罩由框架和石墨保温层组成，石墨保温层设置在框架的内侧壁上。[0014]本发明的工作原理如下:
晶锭出炉体后的炉体外冷却中，使用设计的保温笼罩住晶锭，显著地降低晶锭在炉体外的冷却速度，随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂的现象的几率，最终降低切片环节中隐裂片的比例，可以使得硅片隐裂片比例下降0.2~0.3% ;同时可以提高晶锭出炉温度，降低晶锭在炉体中的冷却时间，进而降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭产出，当晶锭的出炉温度为400°C的时候，可以使得在炉体中的周期降低1.2小时，最终晶锭的产出提升1.5%。
[0015]以上所述的具体实施例，对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理 解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种多晶铸锭晶体冷却工艺，其特征在于:晶锭出炉体后的炉体外冷却中，采用保温笼罩罩住晶锭，从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。
2.根据权利要求1所述的多晶铸锭晶体冷却工艺，其特征在于:在晶锭出炉体前，提高晶锭的出炉温度，从而降低晶锭在炉体中的冷却时间。
3.根据权利要求2所述的多晶铸锭晶体冷却工艺，其特征在于:所述的晶锭的出炉温度为400°C。
4.根据权利要求1或2或3所述的多晶铸锭晶体冷却工艺，其特征在于:所述的保温笼罩由框架和石墨保温层组成，石墨保温层设置在框架的内侧壁上。
【文档编号】C30B29/06GK103924296SQ201410175059
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月29日 优先权日:2014年4月29日
【发明者】周基江 申请人:常州天合光能有限公司