一种基于自举电路的栅极驱动器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于自举电路的栅极驱动器，主要由驱动芯片M，以及与驱动芯片M相连接的驱动电路组成，其特征在于，还设有自举电路，且该自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与驱动芯片M的INP管脚相连接的极性电容C6，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻R1后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C1等组成。本发明整体结构非常简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明的启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4，其启动时间极短。
【专利说明】一种基于自举电路的栅极驱动器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种LED驱动电路，具体是指一种基于自举电路的栅极驱动器。
【背景技术】
[0002]目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，因此其需要由专用的驱动电路来进行驱动。然而，当前人们广泛使用的栅极驱动电路由于其设计结构的不合理性，导致了目前栅极驱动电路存在能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长等缺陷。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前栅极驱动电路存在的能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长的缺陷，提供一种结构设计合理，能有效降低能耗和电流噪音，明显缩短启动时间的一种基于自举电路的栅极驱动器。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于自举电路的栅极驱动器，主要由驱动芯片M,以及与驱动芯片M相连接的驱动电路组成。同时，还设有自举电路，且该自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与驱动芯片M的INP管脚相连接的极性电容C6，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容Cl，与极性电容Cl相并联的电阻R2，正极与极性电容Cl的正极相连接、负极与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C5，以及一端与极性电容C5的正极相连接、另一端接地的电阻R4组成；所述场效应管MOS的漏极还与驱动芯片M的VCC管脚相连接。
[0005]所述驱动电路由变压器T，串接于驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间的二极管Dl，串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C2，串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R3，以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C3和电容C4后接地、而发射极接地的晶体管Ql组成；所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C3和电容C4的连接点相连接，其非同名端则与晶体管Ql的发射极相连接后接地；同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2。
[0006]为确保使用效果，所述驱动芯片M优先采用LTC4440A集成芯片来实现。
[0007]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0008](I)本发明整体结构非常简单，其制作和使用非常方便。
[0009](2)本发明的启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4，其启动时间极短。
[0010](3)本发明采用自举电路来为驱动芯片提供控制信号，因此具有很高的输入阻抗，能确保整个电路的性能稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0013]实施例
[0014]如图1所示，本发明所述的基于自举电路的栅极驱动器，主要由驱动芯片M，与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自举电路组成。
[0015]所述自举电路由场效应管MOS、极性电容Cl、极性电容C5、极性电容C6、电阻Rl、电阻R2、电阻R4和电阻R5组成。连接时，电阻R5的一端与场效应管MOS的源极相连接，其另一端接地；极性电容C6的正极与场效应管MOS的源极相连接，其负极与驱动芯片M的INP管脚相连接；极性电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接，其正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接，而电阻R2则与极性电容Cl相并联。
[0016]所述极性电容C5的正极与极性电容Cl的正极相连接，其负极与场效应管MOS的源极相连接。而电阻R4的一端与极性电容C5的正极相连接，其另一端接地。
[0017]为确保场效应管MOS和驱动芯片M的正常工作，因此该场效应管MOS的漏极还与驱动芯片M的VCC管脚相连接，且该驱动芯片M的VCC管脚需要外接+12V的电源。
[0018]为确保使用效果，该驱动芯片M优先采用凌力尔特公司生产的高频率N沟道MOSFET栅极驱动芯片，即LTC4440A集成芯片来实现。该驱动芯片M的特点是能以高达80V的输入电压工作，且能在高达100V瞬态时可连续工作。
[0019]所述的驱动电路则由变压器T、二极管D1、电容C2、电阻R3、电容C3、电容C4及晶体管Ql组成。连接时，二极管Dl的P极与驱动芯片M的VCC管脚相连接，其N极则与驱动芯片M的BOOST管脚相连接。电容C2的正极与驱动芯片M的BOOST管脚相连接，其负极则与驱动芯片M的TG管脚相连接。为确保驱动芯片M的正常运行，其VCC端需要外接+12V的电压。
[0020]电阻R3为分压电阻，其串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间。而晶体管Ql的基极则与驱动芯片M的TG管脚相连接，其集电极顺次经电容C3和电容C4后接地，其发射极接地。同时，该晶体管Ql的集电极还需要外接+6V的直流电压，以确保晶体管Ql拥有足够的偏置电压来驱动其自身导通。
[0021]为确保使用效果，所述电容C2、电容C3和电容C4均采用贴片电容来实现。所述变压器T用于将外部的+6V直流电压进行变压处理后输出给外部的场效应管。
[0022]该变压器T的原边线圈的同名端与电容C3和电容C4的连接点相连接，其非同名端则与晶体管Ql的发射极相连接后接地。同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2。
[0023]变压器T的副边线圈的同名端、抽头Y1、抽头Y2和副边线圈的非同名端一起作为本发明的输出端。根据实际的情况，用户可以只选用这四个输出端的任意一个或几个端口使用即可。
[0024]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【权利要求】
1.一种基于自举电路的栅极驱动器，主要由驱动芯片M，以及与驱动芯片M相连接的驱动电路组成，其特征在于，还设有自举电路，且该自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与驱动芯片M的INP管脚相连接的极性电容C6，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容Cl，与极性电容Cl相并联的电阻R2，正极与极性电容Cl的正极相连接、负极与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C5，以及一端与极性电容C5的正极相连接、另一端接地的电阻R4组成；所述场效应管MOS的漏极还与驱动芯片M的VCC管脚相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于自举电路的栅极驱动器，其特征在于，所述驱动电路由变压器T，串接于驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间的二极管D1，串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C2，串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R3，以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C3和电容C4后接地、而发射极接地的晶体管Ql组成；所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C3和电容C4的连接点相连接，其非同名端则与晶体管Ql的发射极相连接后接地；同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2。
3.根据权利要求2所述的一种基于自举电路的栅极驱动器，其特征在于，所述驱动芯片M为LTC4440A集成芯片。
【文档编号】H05B37/02GK104470077SQ201410674836
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月22日 优先权日:2014年11月22日
【发明者】黄家英, 杜琴 申请人:成都智利达科技有限公司