一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路，其特征在于，主要由场效应管MOS，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，与非门IC4的输出端相连接的异或门电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3等组成。本发明的整体结构简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。
【专利说明】一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种逻辑控制电路，具体是指一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路。
【背景技术】
[0002]目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，其需要由专用的驱动电路来进行驱动，因此市面上便出现了各式各样的用于防止驱动系统免受内部或外部不利因素干扰的保护系统。
[0003]逻辑控制电路是LED灯保护系统中的一个重要控制部分，其运行速度的快慢和性能稳定与否直接决定了 LED灯保护系统的使用范围和性能好坏。但是，目前这些逻辑控制电路的结构都较为复杂，不仅其能耗较高，而且其运行速度较慢，不能很好的体现出逻辑控制的快速、低能耗的优势。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服目前LED灯保护系统用的逻辑控制电路结构复杂、能耗较高、运行速度较慢的缺陷，提供一种全新的基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路，主要由场效应管MOS，异或门电路，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门ICl的输出端相连接的非门IC2，与非门ICl的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门ICl的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成。同时，所述非门IC2的输出端顺次经电阻R7和二极管D3后与开关功率放大电路相连接，所述非门IC4和异或门电路的输出端均与该开关功率放大电路相连接。
[0006]进一步地，所述开关功率放大电路主要由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器Pl的输出端与负极输入端之间的电阻R8和电容C8，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻RlO和电容C9，基极与功率放大器Pl的输出端相连接、集电极经电阻Rll后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q2，基极与三极管Q2的发射极相连接、集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q3，基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接的三极管Q1，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q3的发射极相连接并接地的电容C10，与电阻R13相并联的电容Cl I，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R14，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C12，以及N极与三极管Q2的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管D5组成；所述功率放大器Pl的正极输入端与二极管D3的N极相连接，非门IC4的输出端则分别与功率放大器Pl的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接，所述异或门电路的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。
[0007]所述一级滤波电路由P极与非门ICl的输入端相连接、N极经电阻R2和电容Cl后与非门ICl的输入端相连接的二极管D1，以及与二极管Dl相并联的电阻Rl组成；所述电容Cl的负极接地。
[0008]所述异或门电路由异或门IC5，N极与异或门IC5的第一输入端相连接、P极与二级滤波电路相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端外接+12V电压的电阻R6，以及正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的电容C4组成；所述异或门IC5的第二输入端与功率放大器Pl的正极输入端相连接，而异或门IC5的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。
[0009]所述二级滤波电路由N极与非门IC3的输入端相连接、P极与二极管D4的P极相连接的二极管D2，与二极管D2相并联的电阻R4，以及正极与非门IC3的输入端相连接、负极接地的电容C2组成。
[0010]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0011](I)本发明的整体结构简单，其制作和使用非常方便。
[0012](2)本发明完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。
[0013](3)本发明采用源极跟随器来作为控制开关，因此其性能更加稳定，其动态范围更好。
[0014](4)本发明采用了开关功率放大电路来作为功率放大部件，因此性能更加稳定，灵敏度更高。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0017]实施例
[0018]如图1所示，本发明主要由场效应管MOS、非门IC1、非门IC3、非门IC4、一级滤波电路、二级滤波电路、异或门电路、电阻R3、电阻R5、电阻R7、电阻R9、电容C3、二极管D3及开关功率放大电路组成。连接时，非门IC2的输入端与非门ICl的输出端相连接，即非门ICl和非门IC2相串接。同时，该一级滤波电路要与非门ICl的输入端相连接，二级滤波电路则与非门IC3的输入端相连接。
[0019]其中，所述的开关功率放大电路主要由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，串接在功率放大器Pl的输出端与负极输入端之间的一级RC滤波电路，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的二级RC滤波电路，以及电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C10、电容C11、电容C12及二极管D5组成。
[0020]所述的一级RC滤波电路由电阻R8和电容C8并联而成，即电阻R8和电容C8均串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间；所述的二级RC滤波电路则由电阻RlO和电容C9并联而成，即电阻RlO和电容C9均串接在功率放大器P2的正极输入端与输出端之间。同时，功率放大器Pl的负极输入端还与功率放大器P2的正极输入端相连接。
[0021]三极管Q2的基极与功率放大器Pl的输出端相连接，其集电极经电阻Rll后与功率放大器P3的正极输入端相连接，其发射极则与三极管Q3的基极相连接；三极管Q3的集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接，同时，该三极管Q3的集电极还外接+1V电压。
[0022]三极管Ql的基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接，其集电极则经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接。电容Cll则与电阻R13相并联，为确保效果，该电容Cll优先采用电解电容来实现。连接时，电容Cll的负极与三极管Ql的基极相连接，其正极则与功率放大器P2的输出端相连接。电容ClO的正极与功率放大器P3的负极输入端相连接，其负极则与三极管Q3的发射极相连接。同时，该电容ClO的负极和三极管Q3的发射极均接地。
[0023]电阻R14的一端与三极管Ql的基极相连接，其另一端外接_4V的电压；而电阻R15的一端与三极管Ql的发射极相连接，其另一端则同样外接-4V的电压。电容C12则与电阻R15相并联。同样，所述电容ClO和电容C12也均采用电解电容来实现。
[0024]所述二极管D5的N极与三极管Q2的集电极相连接，其P极在外接-4V的电压。同时，该功率放大器P3的输出端要与驱动芯片M的TD管脚相连接。
[0025]为确保功率放大器Pl和功率放大器P2的正常运行，该电容C8和电容C9均优先采用贴片电容来实现。而电阻R8、电阻RlO的阻值均为101(0，电阻1?11、电阻1?12、电阻1?13、电阻R14、电阻R15和电阻R16的阻值均为20ΚΩ。
[0026]所述电阻R3的一端与场效应管MOS的栅极相连接，其另一端与非门ICl的输出端相连接；电阻R5的一端与场效应管MOS的栅极相连接，其另一端与异或门电路相连接；电容C3的正极与场效应管MOS的栅极相连接，其负极与非门IC3的输出端相连接；电阻R9的一端与场效应管MOS的漏极相连接，另一端接地。同时，该场效应管MOS的源极需要则外接+12V电压，以确保场效应管MOS能正常工作。所述场效应管MOS的漏极要与非门IC4的输入端相连接，而非门IC4的输出端则分别与功率放大器Pl的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接。
[0027]所述一级滤波电路由二极管D1、电阻R1、电阻R2及电容Cl组成，其中，二极管Dl的P极与非门ICl的输入端相连接，其N极经电阻R2和电容Cl后与非门ICl的输入端相连接。电阻Rl则与二极管Dl相并联，而电容Cl的负极接地。
[0028]所述异或门电路由异或门IC5，二极管D4、电阻R6和电容C4组成，连接时，二极管D4的N极与异或门IC5的第一输入端相连接，其P极与二级滤波电路相连接；电阻R6为分压电阻，其一端与二极管D4的P极相连接，其另一端外接+12V电压；电容C4的正极与二极管D4的P极相连接，其负极接地。
[0029]同时，异或门IC5的第二输入端分别与二极管D3的N极和功率放大器Pl的正极输入端相连接，而异或门IC5的输出端则要与功率放大器P2的负极输入端相连接。
[0030]所述二级滤波电路由二极管D2、电阻R4及电容C2组成，其中，二极管D2的N极与非门IC3的输入端相连接，其P极与二极管D4的P极相连接；电阻R4与二极管D2相并联，电容C2的正极与非门IC3的输入端相连接，其负极接地。
[0031]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【权利要求】
1.一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路，主要由场效应管MOS，异或门电路，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门ICl的输出端相连接的非门IC2，与非门ICl的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门ICl的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成，其特征在于，所述非门IC2的输出端顺次经电阻R7和二极管D3后与开关功率放大电路相连接，所述非门IC4和异或门电路的输出端均与该开关功率放大电路相连接； 所述开关功率放大电路主要由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器Pl的输出端与负极输入端之间的电阻R8和电容C8，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻RlO和电容C9，基极与功率放大器Pl的输出端相连接、集电极经电阻Rll后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q2，基极与三极管Q2的发射极相连接、集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q3，基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接的三极管Q1，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q3的发射极相连接并接地的电容C10，与电阻R13相并联的电容Cl I，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R14，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C12，以及N极与三极管Q2的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管D5组成；所述功率放大器Pl的正极输入端与二极管D3的N极相连接，非门IC4的输出端则分别与功率放大器Pl的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接，所述异或门电路的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路，其特征在于，所述一级滤波电路由P极与非门ICl的输入端相连接、N极经电阻R2和电容Cl后与非门ICl的输入端相连接的二极管D1，以及与二极管Dl相并联的电阻Rl组成；所述电容Cl的负极接地。
3.根据权利要求2所述的一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路，其特征在于，所述异或门电路由异或门IC5，N极与异或门IC5的第一输入端相连接、P极与二级滤波电路相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端外接+12V电压的电阻R6，以及正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的电容C4组成；所述异或门IC5的第二输入端与功率放大器Pl的正极输入端相连接，而异或门IC5的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于源极跟随器的功率放大式逻辑控制电路，其特征在于，所述二级滤波电路由N极与非门IC3的输入端相连接、P极与二极管D4的P极相连接的二极管D2，与二极管D2相并联的电阻R4，以及正极与非门IC3的输入端相连接、负极接地的电容C2组成。
【文档编号】H05B37/02GK104470090SQ201410676067
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月22日 优先权日:2014年11月22日
【发明者】肖尤花, 杜琴 申请人:成都智利达科技有限公司