一种新型半导体材料的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型半导体材料的制作方法，包括以下步骤：步骤1)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到1毫升的反应溶剂中，得到反应混合物；步骤2)将反应混合物放入反应容器中并置入烘箱内加温反应，烘箱温度范围为170-190度，反应时间范围为80-100小时；步骤3)加温反应结束后将反应容器取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶。本发明步骤简单，可高效、快捷、方便地制作材料，并能达到产量化。
【专利说明】一种新型半导体材料的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，具体涉及一种新型半导体材料的制作方法。
【背景技术】
[0002]由于敞开框架多孔材料的结构特点及独特性能，如催化、分离、气体存储、离子交换、微电子学、传感器等，因而在许多方面有着不可估量的应用前景。自从1948年Barrer等首次合成出人工沸石分子筛以来，人们不断努力发展新的多孔材料，得到了许多新型氧化物微孔材料。
[0003]金属硫属化合物既具备类似氧化物的催化、交换、吸附等性质，又具有硫化物和砸化物的半导体性能，这类化合物在催化、离子交换、半导体、光电导体、光致发光、非线性光学等方面具有广泛的应用前景，因而有望作为新型的多功能材料以及下一代分子筛而受到人们的广泛关注。
[0004]铟硫属化合物的结构不仅仅局限于单簇，由于簇中硫属原子的配位方式的多样化，簇与簇之间通过硫属原子的链接而形成敞开框架的硫属化合物。硫原子可以通过二齿桥联、三齿桥联以及硫桥键等连接方式，形成不同维数的结构。因此硫属化合物的结构越来越丰富，性质也越来越独特，开拓了硫属化合物在更多方面的应用。
[0005]现有融合的方法无法达到良好的产能，并且步骤复杂，容易出现误差，导致产能更低。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种新型半导体材料的制作方法，本发明步骤简单，可高效、快捷、方便地制作材料，并能达到产量化。
[0007]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现:
[0008]一种新型半导体材料的制作方法，包括以下步骤:
[0009]步骤I)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到I毫升的反应溶剂中，得到反应混合物，所述反应溶剂为二甲基甲酰胺和水的混合溶液；
[0010]步骤2)将反应混合物放入反应容器中并置入烘箱内加温反应，烘箱温度范围为170-190度，反应时间范围为80-100小时；
[0011]步骤3)加温反应结束后将反应容器取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶；
[0012]进一步的，所述二甲基甲酰胺和水均为分析纯试剂。
[0013]进一步的，所述步骤2中置入烘箱的温度为180度。
[0014]进一步的，所述步骤2中置入烘箱的时间为96小时。
[0015]进一步的，所述反应容器为硬质玻璃管。
[0016]进一步的，所述烘箱为恒温恒湿箱。
[0017]进一步的，所述二甲基甲酰胺和水按照体积比为1:2。
[0018]本发明的有益效果是:
[0019]本发明使用材料少，节约制作成本，并且方法简单，能高效快捷的制作半导体材料，产能达到30%以上，实现量产化。
[0020]反应用容器和设备均为常用装置，操作简单易于购买或者更换，方便操作。
[0021]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本发明实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本发明无色四面体结构的半导体单晶的三维结构图。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]实施例一
[0026]一种新型半导体材料的制作方法，包括以下步骤:
[0027]步骤I)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到I毫升的反应溶剂中，得到反应混合物，所述反应溶剂为二甲基甲酰胺(即DMF)和水的混合溶液，所述二甲基甲酰胺和水均为分析纯试剂，所述二甲基甲酰胺和水按照体积比为1:2 ;
[0028]步骤2)将反应混合物放入硬质玻璃管中并置入恒温恒湿箱内加温反应，箱内温度为180度，反应时间为96小时；
[0029]步骤3)加温反应结束后将玻璃管取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶，如图1所示；
[0030]本实施例的方法制作出的半导体材料能达到30%的产量，操作便捷，改善了产能不足的现状。
[0031]实施例二
[0032]一种新型半导体材料的制作方法，包括以下步骤:
[0033]步骤I)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到I毫升的反应溶剂中，得到反应混合物，所述反应溶剂为二甲基甲酰胺和水的混合溶液，所述二甲基甲酰胺和水均为分析纯试剂，所述二甲基甲酰胺和水按照体积比为1:2 ;
[0034]步骤2)将反应混合物放入硬质玻璃管中并置入恒温恒湿箱内加温反应，箱内温度为170度，反应时间为80小时；
[0035]步骤3)加温反应结束后将玻璃管取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶；
[0036]本实施例的方法制作出的半导体材料能达到28%的产量，节约时间，加快制作的速度。
[0037]实施例三
[0038]一种新型半导体材料的制作方法，包括以下步骤:
[0039]步骤I)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到I毫升的反应溶剂中，得到反应混合物，所述反应溶剂为二甲基甲酰胺和水的混合溶液，所述二甲基甲酰胺和水均为分析纯试剂，所述二甲基甲酰胺和水按照体积比为1:2 ;
[0040]步骤2)将反应混合物放入反应釜中加温反应，温度设置为190度，反应时间为100小时；
[0041]步骤3)加温反应结束后将玻璃管取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶；
[0042]本实施例的方法制作出的半导体材料能达到28 %的产量，稳定性强，使用反应釜操作更加简单。
[0043]本发明所述的制作方法提高了此种新型半导体材料的产能，使得此种材料能够顺利的运用到实际中，起到优异的效果。
[0044]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【权利要求】
1.一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:包括以下步骤: 步骤1)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到1毫升的反应溶剂中，得到反应混合物，所述反应溶剂为二甲基甲酰胺和水的混合溶液； 步骤2)将反应混合物放入反应容器中并置入烘箱内加温反应，烘箱温度范围为170-190度，反应时间范围为80-100小时； 步骤3)加温反应结束后将反应容器取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶。
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:所述二甲基甲酰胺和水均为分析纯试剂。
3.根据权利要求1所述的一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:所述步骤2中置入烘箱的温度为180度。
4.根据权利要求1所述的一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:所述步骤2中置入烘箱的时间为96小时。
5.根据权利要求1所述的一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:所述反应容器为硬质玻璃管。
6.根据权利要求1所述的一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:所述烘箱为恒温恒湿箱。
7.根据权利要求1所述的一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于:所述二甲基甲酰胺和水按照体积比为1:2。
【文档编号】C30B29/46GK104480524SQ201410720007
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月2日 优先权日:2014年12月2日
【发明者】张旭 申请人:苏州华碧微科检测技术有限公司