一种电磁屏蔽膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其由硅胶片和低熔点金属组成。所述硅胶片两两接触面处具有大小不等且能使硅胶片之间相互紧密结合的小突起。所述低熔点金属为镓基二元合金、镓基多元合金、铟基合金或铋基合金。使用前，将适量低熔点金属涂覆于两硅胶片之间，并适当用力挤压，保证低熔点金属不会溢流且硅胶片紧密贴合后再使用。本实用新型的一种电磁屏蔽膜结构简单，使用方便，且能使多片硅胶片重叠使用，效果更佳，适用于电磁泄露区域的修补等场合。
【专利说明】_种电磁屏蔽膜
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电磁屏蔽膜，此种材料结构简单，使用方便，效果显著。适用于电磁泄露区域的修补等场合。
【背景技术】
[0002]电磁波是电磁能量传播的主要方式，高频电路工作时，会向外辐射电磁波，对邻近的其它设备产生干扰。另一方面，空间的各种电磁波也会感应到电路中，对电路造成干扰。电磁屏蔽的作用是切断电磁波的传播途径，从而消除干扰。在解决电磁干扰问题的诸多手段中，电磁屏蔽是最基本和有效的。用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作，因此不需要对电路做任何修改。
[0003]电磁屏蔽的机理是:a、当电磁波到达屏蔽体表面时，由于空气与金属的交界面上阻抗的不连续，对入射波产生的反射。这种反射不要求屏蔽材料必须有一定的厚度，只要求交界面上的不连续；b、未被表面反射掉而进入屏蔽体的能量，在体内向前传播的过程中，被屏蔽材料所衰减。也就是所谓的吸收；c、在屏蔽体内尚未衰减掉的剩余能量，传到材料的另一表面时，遇到金属一空气阻抗不连续的交界面，会形成再次反射，并重新返回屏蔽体内。这种反射在两个金属的交界面上可能有多次的反射。总之，电磁屏蔽体对电磁的衰减主要是基于电磁波的反射和电磁波的吸收。
[0004]目前，市场上广泛使用的电磁屏蔽材料有TF-828银导电漆、TF-801银铜导电漆、TF-609铜导电漆和TF-606镍导电漆，其中TF-801银铜导电漆使用最为广泛，因为相比TF-828银导电漆价格便宜很多。但是，这些导电漆仍然存在以下不足:(1)导电漆是将金属粉末添加于特定的树脂原料中以制成能够喷涂的的油漆涂料，其热导率和电导率均较低，既影响电器的散热效果，也影响电磁屏蔽的效率；(2)导电漆需采用喷涂工艺涂覆于塑胶外壳上，其要求的喷涂工艺严格，操作稍有不当，便有可能导致屏蔽失败，且塑胶外壳也不能再重复使用，造成白色浪费。
[0005]为解决上述问题，本实用新型提供一种电磁屏蔽膜，其使用方便、电磁屏蔽效率高且热导率和电导率均佳。
【发明内容】
[0006]本实用新型涉及一种电磁屏蔽膜，此种材料结构简单，使用方便，效果显著。适用于电磁泄露区域的修补等场合。
[0007]本实用新型的技术方案如下:
[0008]一种电磁屏蔽膜，其特征在于，如图1所示，其由硅胶片1和低熔点金属3组成；
[0009]所述硅胶片1两两接触面处具有大小不等且能使硅胶片之间相互紧密结合的小突起2 ;
[0010]所述低恪点金属3为镓基二元合金、镓基多元合金、铟基合金或秘基合金。
[0011]所述低熔点金属3可直接涂覆在塑料外壳上单独使用。
[0012]所述硅胶片1数量可根据实际需要决定，可多片硅胶1重叠使用。
[0013]所述镓基二元合金为镓铟合金、镓铅合金或镓未合金。
[0014]所述镓基多元合金为镓铟锡合金或镓铟锡锌合金。
[0015]所述铟基合金为铟铋锡合金。
[0016]所述低熔点金属3中可添加低熔点金属氧化物以增加其粘性。
[0017]所述低熔点金属氧化物为氧化镓、氧化铟、氧化锡或氧化锌。
[0018]所述低熔点金属氧化物的质量分数范围为3%~20%。
[0019]所述电磁屏蔽膜可在平面或任意曲面上使用，应用范围广泛。
[0020]所述硅胶片的尺寸可根据电磁泄露区域的大小进行自由裁剪。
[0021]使用时，可直接将低熔点金属3均匀地涂刷在塑料或其他绝缘材质的外壳上即可使用。或将低熔点金属3均匀地涂刷在一表面有小突起2的硅胶片1上后，再用与已涂刷了低熔点金属3的硅胶片1成对的另一硅胶片1将低熔点金属3覆盖起来并适当用力挤压，以达到两片硅胶1紧密贴合的效果(如图1)。多层低熔点金属3和硅胶片1叠合使用(如图2)，电磁屏蔽的效果更佳。
[0022]本实用新型所述的一种电磁屏蔽膜具有如下优点:
[0023](1)低熔点金属作为电磁屏蔽材料，其导热率和导电率均较高，解决了传统导电漆的导热率和导电率较低，从而屏蔽效果较差的问题。
[0024](2)低熔点金属为膏状金属材料，方便涂抹，可实现柔性电磁屏蔽功能。
[0025](3)低熔点金属安全、无毒，可保证使用者的人身安全。
[0026](4)本实用新型的电磁屏蔽膜既能在规整的平面上使用，又可任意弯曲使用，应用范围广泛。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]图1为实施例中一种电磁屏蔽膜两片硅胶使用的结构示意图。
[0028]附图标记说明:1-硅胶，2-硅胶面上的小突起，3-低熔点金属。
[0029]图2为实施例中一种电磁屏蔽膜三片娃胶使用的结构不意图。
[0030]附图标记说明:1-硅胶，2-硅胶面上的小突起，3-低熔点金属。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图及具体实施例进一步描述本实用新型。
[0032]实施例1
[0033]实施例1展示了本实用新型中的电磁屏蔽膜的一种典型应用。图1为实施例中一种电磁屏蔽膜两片硅胶使用的结构示意图，图2为实施例中一种电磁屏蔽膜三片硅胶使用的结构示意图，其中:1为硅胶，2为硅胶面上的突起，3为低熔点金属。
[0034]本实施例中的低恪点金属为镓铟锡锌合金，合金恪点为8° C，合金中添加氧化镓调节其粘度，使镓铟锡锌合金在常温下成膏状。
[0035]使用时，将低熔点金属3均匀地涂刷在一表面有小突起2的硅胶片1上后，再用与涂刷低熔点金属3的硅胶片1成对的另一硅胶片1将低熔点金属3覆盖起来并适当用力挤压，以达到两片硅胶1紧密贴合的效果(如图1)。多层低熔点金属3和硅胶片1叠合使用(如图2)，电磁屏蔽的效果更佳。
[0036]最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【权利要求】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其由硅胶片和低熔点金属组成； 所述硅胶片两两接触面处具有大小不等且能使硅胶片之间相互紧密结合的小突起； 所述低熔点金属可直接涂覆在塑料外壳上单独使用。
2.按权利要求1所述的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述低熔点金属为镓基二元合金、镓基多元合金、铟基合金或铋基合金中的一种。
3.按权利要求1所述的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜可由多层硅胶片和低熔点金属相互重叠而成，多层电磁屏蔽膜具有更优的屏蔽能力。
4.按权利要求2所述的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述镓基二元合金为镓铟合金、镓铅合金或镓未合金中的一种。
5.按权利要求2所述的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述镓基多元合金为镓铟锡合金或镓铟锡锌合金。
6.按权利要求2所述的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述铟基合金为铟铋锡合金。
7.按权利要求1所述的一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述硅胶片的尺寸可根据电磁泄露区域的大小进行自由裁剪。
【文档编号】H05K9/00GK204231864SQ201420714191
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月25日 优先权日:2014年11月25日
【发明者】郭瑞 申请人:北京依米康科技发展有限公司