一种高稳定性纸基覆铜板的制作方法

本实用新型涉及覆铜板技术，特别涉及一种高稳定性纸基覆铜板。

背景技术：

覆铜板又名基材。是将补强材料浸以树脂，一面或两面覆以铜箔，经热压而成的一种板状材料，称为覆铜箔层压板。根据采用原板材种类可分为纸基板、半玻纤板材和全玻纤板材。

传统的纸基覆铜板中浸渍绝缘纸表面层的克重一般为130-140克/m²，浸渍绝缘纸增强半固化片树脂含量一般为47％以下，覆铜板外层浸渍绝缘纸增强半固化片树脂含量低易造成覆铜板吸水率增高，及覆铜板随外界温湿度变化产生翘曲或扭曲现象，从而影响覆铜板加工性能，甚至报废，因此现有的纸基覆铜板有待进一步改进。

技术实现要素：

为克服现有技术中的不足，本实用新型提供一种高稳定性纸基覆铜板。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：一种高稳定性纸基覆铜板，其特征在于：包括内层浸渍绝缘纸增强半固化片、外层浸渍绝缘纸增强半固化片及涂胶铜箔，所述涂胶铜箔覆合于外层浸渍绝缘纸增强半固化片上、且涂胶铜箔与外层浸渍绝缘纸增强半固化片的应力对称，所述内层浸渍绝缘纸增强半固化片的应力小于外层浸渍绝缘纸增强半固化片的应力。

进一步的，内层、外层浸渍绝缘纸增强半固化片包括浸渍绝缘纸、及通过上胶干燥后附着其上的树脂。

进一步的，内层的浸渍绝缘纸增强半固化片浸渍绝缘纸的克重大于外层的浸渍绝缘纸增强半固化片浸渍绝缘纸的克重。

进一步的，内层浸渍绝缘纸增强半固化片由于多片叠加构成。

进一步的，内层浸渍绝缘纸增强半固化片设有四片。

由上述对本实用新型的描述可知，与现有技术相比，本实用新型提供的高稳定性纸基覆铜板，内层浸渍绝缘纸增强半固化片与外层浸渍绝缘纸增强半固化片结构不对称，压合成型后表面树脂分子链更致密，可增强抵御外界温湿度变化的能力，使外层浸渍绝缘纸增强半固化片压合成型后的应力与涂胶铜箔压合成型后的应力一致，从而形成所述覆铜板表面应力对称，内层浸渍绝缘纸增强半固化片压合成型后树脂固化程度浅，能更易释放内应力，不易翘曲及扭曲，提高了覆铜板的加工性及可靠性，更加适应现代电子技术的发展需要。

附图说明

图1为高稳定性纸基覆铜板的结构示意图。

图2为高稳定性纸基覆铜板的压合工艺示意图。

具体实施方式

以下通过具体实施方式对本实用新型作进一步的描述。

参照图1所示，一种高稳定性纸基覆铜板，包括内层浸渍绝缘纸增强半固化片1、外层浸渍绝缘纸增强半固化片2及涂胶铜箔3；

内层浸渍绝缘纸增强半固化片1包括浸渍绝缘纸11、及通过上胶干燥后附着其上的树脂12，浸渍绝缘纸增强半固化片1包括四层相互叠加，内层浸渍绝缘纸增强半固化片1的应力小于外层浸渍绝缘纸增强半固化片2的应力；

外层浸渍绝缘纸增强半固化片2包括浸渍绝缘纸21、及通过上胶干燥后附着其上的树脂22,外层浸渍绝缘纸11小于内层浸渍绝缘纸11的克重；

涂胶铜箔3覆合于外层浸渍绝缘纸增强半固化片上2，包括铜箔31和树脂32，涂胶铜箔3与外层浸渍绝缘纸增强半固化片的应力对称。

参照图1、图2所示，制备上述的高稳定性纸基覆铜板，具体步骤如下：

步骤1，制备外层浸渍绝缘纸增强半固化片2，外层浸渍绝缘纸增强半固化片浸渍绝缘纸的克重为120-126克/m2、树脂含量为49-51％、树脂流动度为5-7％；

步骤2，制备内层浸渍绝缘纸增强半固化片1，内层浸渍绝缘纸增强半固化片浸渍绝缘纸的克重为130-140克/m2、树脂含量为43.5-46.5％、树脂流动度为9-11％；

步骤3，制备涂胶铜箔3，采用铜箔31、及树脂32经涂布干燥机单面涂胶后加工制得；

步骤4，将步骤1、步骤2、步骤3制备的外层浸渍绝缘纸增强半固化片2、内层浸渍绝缘纸增强半固化片1依次整齐叠合，在外层浸渍绝缘纸增强半固化片上覆以步骤3涂胶铜箔2，再将其放入真空热压成型机中热压成型得到高稳定性纸基覆铜板，该真空热压成型机的高温恒温温度为150-165℃、高压压力控制在6.5-7.5MPa，且高温高压保持时间为80-100分钟，优化的，本实施例中温度由155℃经20分钟升温至160℃，并保持160℃高温恒温90分钟、高压压力由2Mpa经20分钟提升至为5.5Mpa，此时温度升至160℃，继续提升压力至7MPa并保持7Mpa高压至高温恒温结束。

使用上述方法所制得的高稳定性纸基覆铜板，经检测翘曲度≤14mm，为正翘，扭曲度≤5mm；

内层浸渍绝缘纸增强半固化片1与外层浸渍绝缘纸增强半固化片2压合成型后表面树脂分子链更致密，可增强抵御外界温湿度变化的能力，使覆铜板不易吸湿而翘曲、扭曲，同时该种绝缘纸及树脂含量设计并经过特定的压合工艺，使外层浸渍绝缘纸增强半固化片2压合成型后的应力与涂胶铜箔3压合成型后的应力一致，从而形成所述覆铜板表面应力对称，内层浸渍绝缘纸增强半固化片1压合成型后树脂固化程度浅，能更易释放内应力，不易翘曲及扭曲，提高了覆铜板的加工性及可靠性，更加适应现代电子技术的发展需要。

上述仅为本实用新型的若干具体实施方式，但本实用新型的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。