一种散裂中子源快中子滤除装置的制作方法

文档序号:11561627阅读:474来源:国知局
一种散裂中子源快中子滤除装置的制造方法

本实用新型涉及一种滤除装置,尤其涉及一种散裂中子源快中子滤除装置。



背景技术:

散裂中子源是通过加速器驱动高能质子轰击重金属靶体,从而得到高中子通量的中子束流。先进的中子源是中子科学研究的基础,能够为物质微观结构和运动状态的研究提供必要的工具。质子加速轰击钨靶产生出脉冲中子束流,同时也产生了快中子束。快中子束在每个中子束流脉冲周期的零时刻发出,随中子束流传输,如果全部到达样品,会对测试结果造成很大的背底,在不同研究和实验需要的中子束流波段不尽相同,因此,在快中子束流传输过程中,需要设计一种装置对快中子进行滤除,而又能放行需要的脉冲中子流束,目前尚无真正意义上能够用于散裂中子源的中子束流滤除装置。



技术实现要素:

本实用新型正是针对现有技术存在的不足,提供了一种散裂中子源快中子滤除装置。

为解决上述问题,本实用新型所采取的技术方案如下:

一种散裂中子源快中子滤除装置,包括壳体、离子源、转盘和电机,所述壳体为矩形密闭壳体,离子源安装在壳体内一侧上部,离子源对应侧壳体壁上设有中子束窗,转盘竖直位于壳体内中部,转盘的轴心位于离子源水平轴线下部,且离子源对应转盘盘面位置,电机水平安装在壳体内部另一侧,电机与转盘中心轴连接,转盘盘面的上下两侧对称布置有扇形槽口,扇形槽口的竖直位置对应离子源水平位置,转盘盘面上涂有阻挡吸附层。

进一步的,所述壳体的上部设有抽真空管。

进一步的,所述壳体的内腔壁上设有碳化硼吸附层。

进一步的,所述壳体两侧壁底部对称布置有对射式光电传感器,光电传感器的水平轴线位于转盘竖直方向盘面的扇形槽口位置。

本实用新型与现有技术相比较,本实用新型的实施效果如下:

本实用新型所述的一种散裂中子源快中子滤除装置,电机驱动转盘转动,通过电机的角速度调节,精确控制转盘的转动,从而保证当快中子束通过时,快中子束刚好对着转盘,被转盘阻挡或吸收,而其他的中子束流能通过转盘的扇形槽口,满足实验或者研究的需求,实现快中子的滤除。

附图说明

图1为本实用新型所述的一种散裂中子源快中子滤除装置的结构示意图;

图2为图1中的转盘结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。

如图1和图2所示,所述的一种散裂中子源快中子滤除装置,包括壳体1、离子源2、转盘3和电机4,所述壳体1为矩形密闭壳体1,离子源2安装在壳体1内一侧上部,离子源2对应侧壳体1壁上设有中子束窗5,转盘3竖直位于壳体1内中部,转盘3的轴心位于离子源2水平轴线下部,且离子源2对应转盘3盘面位置,电机4水平安装在壳体1内部另一侧,电机4与转盘3中心轴连接,转盘3盘面的上下两侧对称布置有扇形槽口6,扇形槽口6的竖直位置对应离子源2水平位置,转盘3盘面上涂有阻挡吸附层7。

所述的一种散裂中子源快中子滤除装置,电机4驱动转盘3转动,通过电机4的角速度调节,精确控制转盘3的转动,从而保证当快中子束通过时,快中子束刚好对着转盘3,被转盘3阻挡或吸收,而其他的中子束流能通过转盘3的扇形槽口6,满足实验或者研究的需求,实现快中子的滤除。

所述壳体1的上部设有抽真空管8,可将壳体1内部抽成真空环境,减少中子束通过时在空气中的散射。

所述壳体1的内腔壁上设有碳化硼吸附层9,阻挡并吸收散射的中子束流,同时隔离外部中子,避免干扰。

所述壳体1两侧壁底部对称布置有对射式光电传感器10,光电传感器10的水平轴线位于转盘3竖直方向盘面的扇形槽口6位置,通过对射式光电传感器10检测转盘3的转动情况,精确控制转盘3的转速以及离子源2的脉冲频率,保证对快中子的滤除效果。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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