一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用与流程

本发明属于电子材料
技术领域：
，具体地说，涉及一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用。
背景技术：
：随着终端应用和网络速度的不断提高，设备间的数据传输速率已从几百mbps提升到20gbps，目前pcb的产业技术不管软板与硬板都是往高频、高速以及高密度构装的方法发展，对应产品轻、薄、可携带、多功能化的发展趋势，对于材料以及制备方法的需求会越来越严苛，在数据接口高速化趋势下，终端天线、高速接口传输线、服务器内部传输线等应用对高频高速软板的替代需求日益增加，构成对传统传输线的替代逻辑，高频高速和小型化需求下，高频传输及低损耗材料将全面替代传输线，其中最重要的材料特性需求就是lowdk/df、剥离强度。在现有技术中，利用市售高频膜(pi与lcp)，利用高温压合法制作成高频覆铜板。但因技术与成本都掌握在供货商手上，因此开发涂布压合法一样可达市售同样的水平，同样可以应用于高速高频的材料中。技术实现要素：本发明的目的是提供一种高频双面覆铜板。本发明的另一个目的是提供一种所述高频双面覆铜板的制备方法。本发明的再一个目的是提供一种由所述高频双面覆铜板制成的电路板。为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：本发明的第一个方面提供了一种高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、聚酰亚胺层、热塑高频胶层、聚酰亚胺层、铜箔，所述聚酰亚胺层是由所述低dk与df的高分子组合物涂布在铜箔表面经过加热高温环化形成，所述热塑高频胶层是由所述热塑低介电高分子复合材料组合物涂布在聚酰亚胺层表面经过加热高温环化形成。所述聚酰亚胺层的厚度为9-50um。所述铜箔的厚度为12-18um。所述热塑高频胶层的厚度为8-21um。所述铜箔型号为bhfx-92f-ha-v2-12μm，rz＝0.45(日矿)。所述低dk与df的高分子组合物(高频pi组合物)，是由以下重量份的组分制成：含有酯类基团的二酸酐20～60份；含有嘧啶基团的二胺单体1～25份；溶剂100～180份。所述含有酯类基团的二酸酐为芳香族四羧酸二酐，优选为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(tahq)、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(bpda)、双酚a型二醚二酐(bpada)，具体结构如下所示：所述含有嘧啶基团的二胺单体为芳香族二胺，优选为3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑(dtz)、1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)(abhq)、对苯二甲酸二对氨基苯酯(bptp)、对氨基苯甲酸对氨基苯酯(apab)、4,4’-二氨基二苯醚(oda)、双(4-氨基苯基)对苯二甲酸酯(bpbt)，具体结构如下所示：所述含有嘧啶基团的二胺单体为3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑(dtz)、对氨基苯甲酸对氨基苯酯(apab)、4,4’-二氨基二苯醚(oda)的混合物。所述溶剂为n-甲基吡咯烷酮(nmp)、n,n-二甲基乙酰胺、丁内酯、n.n-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜。所述低dk与df的高分子组合物的固体含量为30wt％(低dk与df聚酰胺酸溶液)，粘度为30000～60000cps。所述热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)，是由以下重量份的组分制成：所述二酸酐为3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(bpda)、双酚a型二醚二酐(bpada)，具体结构如下所示：所述二胺单体为2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷(bapp)、4,4'-二(4-氨基苯氧基)联苯(bapb)、4,4'-双(3-氨基苯氧基)联苯(43bapob)、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(hfbapp)、1,3-双(4'-氨基苯氧基)苯(tpe-r)，具体结构如下所示：所述溶剂为n-甲基吡咯烷酮(nmp)、n,n-二甲基乙酰胺、丁内酯、n.n-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二甲苯。所述填充物(filler)为硅比科(上海)矿业有限公司的fs06，fs06：fusedsilica(熔融石英)，规格型号：fs06ara；旭化成公司的ea-2000，ea-2000：ptpepower(铁氟龙粉末)，规格型号：ea-2000。本发明的第二个方面提供了一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：将低dk与df的高分子组合物经由涂布工艺涂布于铜箔上，经过高温环化形成低dk与df的聚酰亚胺层，然后在聚酰亚胺层上经由涂布工艺涂布热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)，经过高温环化形成热塑高频胶层，获得单面覆铜板，然后将两个上述单面覆铜板涂覆有涂层的一面相对叠层放置，经过压合获得高频双面覆铜板，具体如图3所示，图3是本发明的高频双面覆铜板的制备方法的流程示意图。所述涂布工艺条件为：温度为140℃保持10min。所述高温环化条件为：室温下，经15min升温至150℃，保温5min，经10min升温至200℃，保温5min，经10min升温至250℃，保温5min，经10min降温至200℃，保温20min，经10min升温至250℃，保温20min，然后经60min降至室温。所述压合的温度为350-400℃。所述低dk与df的高分子组合物的制备方法，包括以下步骤：按所述配比将含有酯类基团的二酸酐、含有嘧啶基团的二胺单体溶于溶剂中，搅拌溶解获得所述低dk与df的高分子组合物。所述热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)的制备方法，包括以下步骤：按所述配比将二酸酐、二胺单体溶于溶剂中，搅拌溶解，加入填充物(filler)搅拌，再加入溶剂加热回流，获得所述热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。本发明的第三个方面提供了一种由所述高频双面覆铜板制成的电路板。本发明的原理部分如下：降低介电常数的方法：claslius-mosotti方程式：其中pm:原子团的穆尔极化率，vm:原子团的穆尔体积。可以通过引进酯类官能基降低pm，也可以引入大基团破坏苯环的共平面增加vm。故降低介电常数的方法主要有引进酯类官能基、结构紧密排列、掺混lowdf材料。一般pi因结构柔软(ch2、-o-等)结构容易旋转，在堆栈容易产生空隙，导致堆栈不紧密使得dk与df上升，因此结构中导入酯类结构(c＝co)与引入大基团使的结构不易旋转，再堆栈后结构紧密导致dk与df下降。现有技术的堆栈空隙如下：dk＝3.2df＝0.008。本申请的堆栈紧密，具体如下：对于导体铜箔而言，导体表面越光滑电流流经时路径越短，导体表面越粗糙电流流经时路径越长，如图1所示，图1是导体铜箔表面电流流经时的示意图。选择具有低粗糙度的铜箔可以有优良的lowdk与df的特性，但当铜箔粗糙度较低时，会造成聚酰亚胺层与铜箔间的黏着性低的缺陷。因此分子结构设计上可提升对铜接着强度的组合物。该组合物中使用含有嘧啶基团的二胺单体，其中嘧啶基团会与铜的配位作用将增强聚酰亚胺与铜箔的黏结强度。如图2所示，图2是现有技术与本申请的材料附着在铜箔上的示意图。现有技术中的剥离强度为0.5kgf/cm，本申请与铜产生配位，剥离强度为0.9kgf/cm。由于采用上述技术方案，本发明具有以下优点和有益效果：为了解决dk&df过高的问题，本发明的方法提供了具有lowdk/df聚酰亚胺层(core)的双面线路板用积层体，所述lowdk/df聚酰亚胺层(高频pi)与热塑性高频胶并搭配低粗糙度的铜箔，具有高传输的特性。本发明提供的方法中采用低dk与df的高分子组合物(高频pi组合物)，具有优异耐热性，使用含有酯类基团的二酸酐/二胺单体，其中低dk与df的高分子组合物与铜的搭配作用可有效制作成高频。该组合物固形份30％，黏度30000～60000cps，可经由涂布工艺，涂布于铜箔上，经由加热处理进行亚酰胺化以形成lowdk&df聚酰亚胺聚合物，所述的lowdk&df聚酰亚胺聚合物会在铜箔表面生成耐热性的lowdk&df聚酰亚胺层，即为高频无胶系柔性电路板基材(2l-fccl)等产品。一般双面覆铜板只能运用在4g以下传输(df＝0.008)，如运用在5g以上传输会产生严重讯号干扰，原料采用一般二胺与二酸酐(芳香族)。本申请的高频双面覆铜板因df0.002适用于5g以上产品，在未来物联网运用大大提升，原料采用二胺与二酸酐(纸类与酯环族)，可有效降低df。附图说明图1是导体铜箔表面电流流经时的示意图。图2是现有技术与本申请的材料附着在铜箔上的示意图。图3是本发明的高频双面覆铜板的制备方法的流程示意图。图4是本发明的高频双面覆铜板的制备方法中高温环化的流程示意图。图5是比较例2和3的流程示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例对本发明做进一步的说明。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。本发明实施例所用试剂如下：二胺：本发明中的二胺单体，可为芳香族二胺，可为下列单体，但不以此为限；中文：3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑，英文：1,2,4-triazole-3,5-diamine，缩写：dtz，cas：1455-77-2。中文：1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)，英文：1,4-phenylenebis(4-aminobenzoate)或1,4-bis(4-aminobenzo-yloxy)benzene，缩写：abhq，cas：22095-98-3。中文：对苯二甲酸二对氨基苯酯，英文：bis(4-aminophenyl)terephthalate，缩写：bptp，cas：16926-73-1。中文：对氨基苯甲酸对氨基苯酯，英文：4-aminophenyl-4-aminobenzoate，缩写：apab，cas：20610-77-9。中文：2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷，英文：2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane，缩写：bapp，cas：13080-86-9。中文：4,4'-二(4-氨基苯氧基)联苯，英文：4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl，缩写：bapb，cas：13080-85-8。中文：4,4'-双(3-氨基苯氧基)联苯，英文：4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl，缩写：43bapob，cas：105112-76-3。中文：2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷，英文：2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane，缩写：hfbapp，cas：69563-88-8。中文：1,3-双(4'-氨基苯氧基)苯，英文：4,4'-(1,3-phenylenedioxy)dianiline，缩写：tpe-r，cas：2479-46-1。中文：4,4’-二氨基二苯醚，英文：4,4'-oxybisbenzenamine，缩写：oda。中文：双(4-氨基苯基)对苯二甲酸酯，英文：bis(4-aminophenyl)terephthalate，缩写：bpbt。二酸酐：在本发明中的二酸酐单体可为芳香族四羧酸二酐，举例如下，但不以此为限；中文：对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐，英文：p-phenylenebis(trimellitateanhydride)，缩写：tahq，cas：2770-49-2。中文：3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐，英文：3,3′,4,4′-biphenyltetracarboxylicdianhydride，缩写：bpda，cas：2420-87-3。中文：双酚a型二醚二酐，英文：4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)bis(phthalicanhydride)，缩写：bpada，cas：38103-06-9。filler特性如表1所示：表1测试项目单位fs06(ara)ea-2000cteppm/℃0.516介电常数dk(10ghz)-3.802.85逸散因子df(10ghz)-0.0030.001高频pi：sr#sw(kaneka)25um；lcp:ct-q(kuraray)25um；铜:cu:bhfx-92f-ha-v2(日矿)12um；filer:fs06(硅比科)；filer:ea-2000(旭化成)。本发明实施例所用低dk与df的高分子组合物的固体含量为30wt％(低dk与df聚酰胺酸溶液)，粘度为30000～60000cps。实施例1-1～1-4按照表2中所述配比，于500ml反应瓶中分别加入nmp、apab、oda、dtz，待高速搅拌至溶解后，再加入bpda搅拌反应12小时，搅拌溶解即配置完成低dk与df的高分子组合物。表2实施例1-5～1-8按照表3中所述配比，于500ml反应瓶中分别加入nmp、apab、oda、dtz，待高速搅拌至溶解后，再加入bpada搅拌反应12小时，搅拌溶解即配置完成低dk与df的高分子组合物。表3实施例1-9～1-12按照表4中所述配比，于500ml反应瓶中分别加入nmp、apab、oda、dtz，待高速搅拌至溶解后，再加入tahq搅拌反应12小时，搅拌溶解即配置完成低dk与df的高分子组合物。表4实施例2-1～2-15按照表5～7中所述配比，于500ml反应瓶中分别加入nmp、二胺单体，待高速搅拌至溶解后，加入bpda搅拌反应4小时，再加入填充物(filler)搅拌2小时，加入二甲苯(20ml)加热至180℃，回流4小时，完成配置热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。表5表6表7实施例2-16～2-20按照表8中所述配比，于500ml反应瓶中分别加入nmp、二胺单体，待高速搅拌至溶解后，再加入bpada搅拌反应4小时，再加入填充物(filler)搅拌2小时，加入二甲苯(20ml)加热至180℃，回流4小时，完成配置热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。表8以上实施例2-1～2-20中，每个实施例均包括两个产品，例如实施例2-1，二酸酐、二胺、溶剂固定，填充物filler为fs06时，制备得到的产品为热塑高频胶(f)，定义为实施例2-1-1；填充物filler为ea-2000时，制备得到的产品为热塑高频胶(e)，定义为实施例2-1-2；再例如实施例2-16，二酸酐、二胺、溶剂固定，填充物filler为fs06时，制备得到的产品为热塑高频胶(f)，定义为实施例2-16-1；填充物filler为ea-2000时，制备得到的产品为热塑高频胶(e)，定义为实施例2-16-2；其他实施例同此处说明一致，不再赘述。比较例1-1按照表8中所述配比，于500ml反应瓶中分别加入nmp、bapp，待高速搅拌至溶解后，加入bpda搅拌反应4小时，加入二甲苯(20ml)加热至180℃，回流4小时，完成配置高分子复合材料组合物。实施例3-1～3-4一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：表9中，实施例3-1采用的是实施例1-1制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-2采用的是实施例1-2制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-3采用的是实施例1-3制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-4采用的是实施例1-4制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。将5g低dk与df的高分子组合物(高频pi组合物)经由涂布工艺(温度为140℃保持10min。140℃10min)涂布于铜箔上，经过高温环化形成低dk与df的聚酰亚胺层，所述高温环化条件为：室温下，经15min升温至150℃，保温5min，经10min升温至200℃，保温5min，经10min升温至250℃，保温5min，经10min降温至200℃，保温20min，经10min升温至250℃，保温20min，然后经60min降至室温；然后在聚酰亚胺层上经由涂布工艺(温度为140℃保持10min。)涂布5g热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)，经过高温环化形成热塑高频胶层，获得单面覆铜板，所述高温环化条件为：室温下，经15min升温至150℃，保温5min，经10min升温至200℃，保温5min，经10min升温至250℃，保温5min，经10min降温至200℃，保温20min，经10min升温至250℃，保温20min，然后经60min降至室温(图4是本发明的高频双面覆铜板的制备方法中高温环化的流程示意图。)；然后将两个上述单面覆铜板涂覆有涂层的一面相对叠层放置，经过压合(温度为350-400℃)获得高频双面覆铜板，具体如图3所示，图3是本发明的高频双面覆铜板的制备方法的流程示意图。制备的高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、聚酰亚胺层、热塑高频胶层、聚酰亚胺层、铜箔，铜箔的厚度为12或18um，铜箔型号为bhfx-92f-ha-v2-12μm，rz＝0.45(日矿)；所述聚酰亚胺层是由所述低dk与df的高分子组合物涂布在铜箔表面经过加热高温环化形成，聚酰亚胺层的厚度为9-50um；所述热塑高频胶层是由所述热塑低介电高分子复合材料组合物涂布在聚酰亚胺层表面经过加热高温环化形成，热塑高频胶层的厚度为8-21um。对制备的高频双面覆铜板测试dk与df，然后测试剥离强度，最后进行漂锡测试，漂锡测试在温度340℃条件持续10sec，表示通过。表9实施例3-5～3-8一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：表10中，实施例3-5采用的是实施例1-1制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-6采用的是实施例1-2制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-7采用的是实施例1-3制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-8采用的是实施例1-4制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。其他同实施例3-1～3-4。表10实施例3-9～3-12一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：表11中，实施例3-9采用的是实施例1-5制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-10采用的是实施例1-6制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-11采用的是实施例1-7制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-12采用的是实施例1-8制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。其他同实施例3-1～3-4。表11实施例3-13～3-16一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：表12中，实施例3-13采用的是实施例1-5制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-14采用的是实施例1-6制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-15采用的是实施例1-7制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-16采用的是实施例1-8制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。其他同实施例3-1～3-4。表12实施例3-17～3-20一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：表13中，实施例3-17采用的是实施例1-9制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-18采用的是实施例1-10制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-19采用的是实施例1-11制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-20采用的是实施例1-12制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-1制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。其他同实施例3-1～3-4。表13实施例3-21～3-24一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：表14中，实施例3-21采用的是实施例1-9制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-22采用的是实施例1-10制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-23采用的是实施例1-11制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)；实施例3-24采用的是实施例1-12制备的低dk与df的高分子组合物，实施例2-16-2制备的热塑低介电高分子复合材料组合物(热塑高频胶)。其他同实施例3-1～3-4。表14比较例1如表14所示，采用的是实施例1-1制备的低dk与df的高分子组合物，比较例1-1制备的高分子复合材料组合物；制备方法同实施例3-1。比较例2与3表15比较例2和比较例3具体如表15所示。型号：sr#sw(kaneka)、型号：ct-q(kuraray)是市售购买的膜。将购买的膜放于铜箔上，经过压合获得单面覆铜板，然后将两个上述单面覆铜板有膜的一面相对叠层放置，经过压合(温度为350-400℃)获得双面覆铜板。如图5所示为比较例2和比较例3的生产流程示意图，在设备的前端，设有原膜输入辊01，其上装载有成卷的原膜21，型号为sr#sw(kaneka)或ct-q(kuraray)；在所述原膜输入辊01的上下分别设有第一保护膜22的第一保护膜输入辊02和第二保护膜23的第二保护膜输入辊03，所述第一保护膜22、第二保护膜23可采用kanaka出品的125npi；还设有第一铜箔层输入辊04和第二铜箔层输入辊05，所述第一铜箔层输入辊04上装载有成卷的第一铜箔层24，其位于原膜21输入通道的上方；所述第二铜箔层输入辊05上装载有成卷的第二铜箔层25，其位于原膜21输入通道的下方；所述第一铜箔层24、第二铜箔层25中铜箔均可以是bhfx-92f-ha-v2；所述第一保护膜22、第一铜箔层24、原膜21、连同第二铜箔层25、第二保护膜23以从上到下的顺序排列，并在各自输入辊的驱动下，以相同的线速度放出，最后汇集在一起，经过高温层压，最后第一铜箔层24、第二铜箔层25分别贴合到所述原膜21的上下两侧，在高温作用下发生融溶反应，形成双面覆铜膜26，最后经收卷辊06收卷，形成双面覆铜膜卷27，交付客户使用；在设备的后端还设有第一保护膜收卷辊07和第二保护膜收卷辊08，其用来对经过高温层压后的第一保护膜22、第二保护膜23进行回收；在生产过程中的一些位置还会设有导向辊09，在薄膜的运行方向上进行导向，确保生产的顺利进行；所述高温层压主要利用2个高温压轮对叠合后的膜层进行高温层压，其沿竖直方向上设有上活动高温压轮10、下活动高温压轮11，所述上活动高温压轮10、下活动高温压轮11可根据生产要求进行高度调节，进而来调节上下高温压轮之间形成的层压压力，确保最终经层压后的产品符合要求；所述活动上活动高温压轮10、下活动高温压轮11内部设有加热装置，以使高温压轮外表面产生符合生产要求的高温，在本实施例中，高温层压时要求的温度为300-380℃，可以通过调节上活动高温压轮10、下活动高温压轮11的设定温度来满足生产设定要求。上述实施例中，第一保护膜22、第二保护膜23主要用来保护铜箔的外表面，防止高温层压过程中，划伤铜箔外表面。以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。当前第1页12