本发明属于包装领域，具体涉及一种电子级多晶硅包装袋及其生产方法。
背景技术：
产品国产化不但包含制造设备，也包含各种原材料，辅材料。电子级多晶硅目前使用的包装袋和保护膜，都是日本东和株式会社在提供。电子级多晶硅包装袋，主要解决了半导体原料在运输途中金属污染的问题，主要是面金属和体金属。此产品的技术难点在于对于体金属的以及物理性能管控，物理性能主要是抗穿刺性能和袋子本身的平整度。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种可以满足性能要求的电子级多晶硅包装袋及其生产方法。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种电子级多晶硅包装袋，所述电子级多晶硅包装袋是由总厚度为280～320μm的包装膜组成，所述包装膜包括内层、中间层和外层，其特征在于：所述内层包括重量百分比为100％的lldpe，所述中间层包括重量百分比为68～72％的茂金属pe和32～28％的lldpe，所述外层包括重量百分比为85％的lldpe和15％的辅料，所述辅料中含有导电材料。
优选的，所述内层、中间层和外层之间的厚度比为2:4:4。
优选的，所述辅料为多碳共聚聚乙烯和聚苯胺，其中所述多碳共聚聚乙烯和聚苯胺的重量百分比为50:50，所述聚苯胺通过印刷呈网格形设置在所述多碳共聚聚乙烯外侧。
本发明还提供一种电子级多晶硅包装袋的生产方法，其包括电子级多晶硅包装袋，其包括以下步骤：
1)配料，根据内层、中间层和外层的原料配比，将原料充分混合后放入吹膜机的三个料斗内；
2)加热搅拌，对原料进行加热使其成液态；
3)通过吹膜机牵引、挤出和冷却，形成包括内层、中间层和外层的薄膜；
4)制袋，将薄膜模切、热压后制成所述电子级多晶硅包装袋。
优选的，所述步骤2)中，对放入内层、中间层和外层原料的料斗加热的温度分别为第一温度、第二温度和第三温度，其中所述第二温度比所述第一温度和第三温度高8～12℃。
优选的，所述第一温度和第三温度相同，所述第二温度比所述第一温度和第三温度高10℃。
本发明的有益效果是：本发明的电子级多晶硅包装袋拉伸强度高、抗刺穿性能好，表面平整度高，表金属析出少，符合多晶硅包装的设计要求，适合广泛地应用。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
本发明的一种电子级多晶硅包装袋，包括内层、中间层和外层。其中，内层包括重量百分比为100％的lldpe(线性低密度聚乙烯)，中间层包括重量百分比为68～72％的茂金属pe和32～28％的lldpe，外层包括重量百分比为85％的lldpe和15％的辅料，辅料为多碳共聚聚乙烯。电子级多晶硅包装袋的总厚度为280～320μm，内层、中间层和外层之间的厚度比为2:4:4。此结构的电子级多晶硅包装袋充分利用了lldpe的抗拉伸、抗穿透、抗冲击和抗撕裂性能，以及茂金属pe的抗穿透性能，采用内层纯lldpe的结构，可以有效降低表金属析出率，非常适合用于多晶硅的包装。
本发明还提供一种电子级多晶硅包装袋的生产方法，其包括电子级多晶硅包装袋，其包括以下步骤：
1)配料，根据内层、中间层和外层的原料配比，将原料充分混合后放入吹膜机的三个料斗内；
2)加热搅拌，对原料进行加热使其成液态；
3)通过吹膜机牵引、挤出和冷却，形成包括内层、中间层和外层的薄膜；
4)制袋，将薄膜模切、热压后制成电子级多晶硅包装袋。
步骤2)中，对放入内层、中间层和外层原料的料斗加热的温度分别为第一温度、第二温度和第三温度，其中第一温度和第三温度相同，第二温度比第一温度和第三温度高10℃。采用这种方式，使得在挤出后，冷却的过程中，内层和外层已经开始冷却，而中间层仍有较高的温度，等中间层开始冷却时，内层和外层已固化成型，中间层由于热胀冷缩，中间层对内层和外层产生了一定的拉应力，试验表明，适当的拉应力可以显著提高包装袋的抗拉伸、抗穿透、抗冲击和抗撕裂性能。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
1.一种电子级多晶硅包装袋，所述电子级多晶硅包装袋是由总厚度为280～320μm的包装膜组成，所述包装膜包括内层、中间层和外层，其特征在于：所述内层包括重量百分比为100％的lldpe，所述中间层包括重量百分比为68～72％的茂金属pe和32～28％的lldpe，所述外层包括重量百分比为85％的lldpe和15％的辅料，所述辅料中含有导电材料。
2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅包装袋，其特征在于：所述内层、中间层和外层之间的厚度比为2:4:4。
3.根据权利要求1所述的电子级多晶硅包装袋，其特征在于：所述辅料为多碳共聚聚乙烯和聚苯胺，其中所述多碳共聚聚乙烯和聚苯胺的重量百分比为50:50，所述聚苯胺通过印刷呈网格形设置在所述多碳共聚聚乙烯外侧。
4.一种电子级多晶硅包装袋的生产方法，其包括根据权利要求1至3其中之一所述的电子级多晶硅包装袋，其特征在于，其包括以下步骤：
1)配料，根据内层、中间层和外层的原料配比，将原料充分混合后放入吹膜机的三个料斗内；
2)加热搅拌，对原料进行加热使其成液态；
3)通过吹膜机牵引、挤出和冷却，形成包括内层、中间层和外层的薄膜；
4)制袋，将薄膜模切、热压后制成所述电子级多晶硅包装袋。
5.根据权利要求4所述的一种电子级多晶硅包装袋的生产方法，其特征在于：所述步骤2)中，对放入内层、中间层和外层原料的料斗加热的温度分别为第一温度、第二温度和第三温度，其中所述第二温度比所述第一温度和第三温度高8～12℃。
6.根据权利要求5所述的一种电子级多晶硅包装袋的生产方法，其特征在于：所述第一温度和第三温度相同，所述第二温度比所述第一温度和第三温度高10℃。