专利名称：抗干扰、可集控的可控硅调光器的制作方法
技术领域：
抗干扰、可集控的可控硅调光器属调光技术领域。
调光技术是指对电光源器件(如白炽灯、荧光灯、金属卤化物灯、钠灯、……等)用电子技术进行单灯控制或多灯集中控制以达到调节照度为目的的技术。
自六十年代发明可控硅(SCR)器件后，立即就应用到调光技术领域。制成可控硅调光器，但这种用调相方式使用可控硅对电网有“污染”。因为电网波形不呈正弦波形而且三相均使用时，若A相中调光设备在“变光”则另两相中调光设备的“光”将因其“干扰”也“变”一点光，严重时能把“灭”的灯变“亮”，把“亮”的灯变“灭”。这样在大型设备中可专为调光设备配备一电力变压器，让其和负荷自成一独立系统来解决干扰。在小型设备中则采用双向触发二极管“DIAC”和可控硅器件“SCR”做成调光器对几十瓦灯进行调光，这种调光器线路的移相均采取改变电位器阻值的办法即改变RC常数的办法来移相。这种调光器线路简单，它的“同步”方式是天然同步，因而抗“污染”能力特别强，但是它不能多路同时集中控制即不可能用改变电压信号的大小来调光(移相)。
本实用新型发明的目的在于使调光器既能天然同步抗干扰又能进行多路集中控制，改进现有调光器的不足。
本实用新型的目的可以通过以下措施来达到抗干扰可集控的可控硅调光器(
图1)有电阻R1R2R3R4，电容C1C2、双向可控硅BG1双向触发二极管BG2、晶体管BG3、整流桥BG4－7、直流电压源＋E及控制变压器B1、控制变压器B1初级和R3C2串接后并联于可控硅两端，B1的付边的负载是先经BG4－7组成的整流桥再经BG3R4和直流电压源＋E构成的回路。
本实用新型将结合附图与实施例做进一步细述。C1R1为过压吸取回路，可以降低对BG1(du)/(dt) 的要求。D为负荷灯，一般为阻性，BG3为保险丝，防负荷的短路和过流使用。BG1为双向可控硅，其 (dI)/(dt) 要足够大。否则会自行触发导通，不受控。BG2为双向触发二极管(DIAC)，只要其两端电压达到其额定值(一般在15V～30V之间)其两端电阻立即由∞变为很小，一般可输出几十毫安。所以只要控制C2上的电压大小就可控制BG2的导通，也就是可以控制BG1的导通由于BG2是双向的，故C2的电压不问正负均可工作。和C2并联的R3为调节其时间常数，根据控制变压器B1在电网电压240V时的激磁电流(付边开路时)来调节其“暗点”。
本实用新型发明关键是控制变压器B1，它是做为“直流变换器”使用的。要能集中控制多路调光，必然是用直流控制信号“U信”去控制交流功率电路。控制变压器B1付边的负载是先经BG4－7组成的整流桥再经BG3、R4和直流电压源E＋构成的回路。如果BG3是反压很高的三极管，则流经R4的电流只随U信而变化，与＋E和B1的初级交流电压大小均无关。故可认为是“直流”。这个“直流电流”通过N2(B1次级的匝数)产生不变的磁通(磁通量大小只与U信成正比)。这当然要在初级产生一个感应的磁通——也是不变的磁通——由于N1(B1的初级匝数)是不变的，所以初级的“直流”电流I1也是不变的，这个电流将对R8C2充电。改变U信当然就改变了电容C2上的电压(Uc2增长到BG2导通的阀值电压——也就是改变了BG1导通的相位，实现了调光的目的。另外，对R8C2充电的电流除上述的I1以外，还有一个随电网波动的B1的激磁电流I0，这个I0通过调整R3，恰恰在I0为零时，BG2BG1均不导通。由于I0是个正弦波形，所以它独立产生的Uc2波形是余弦波形(略有移相)。因此，按叠加原理，Uc2的波形是I0和I1分别对其充电的波形的叠加。其结果，调光移相和U信的关系大致是个S形曲线——两头慢，中间快——基本理想的调光刻度曲线。这样多路使用时能集中用直流信号去控制，产生理想的调光刻度曲线。
由于控制变压器B1初级和R8C2串接后再并联于可控硅两端，因此电网过零时，触发单元也必然过零。不存在由“亮”突然变“暗”的可能性。即使电网因异相干扰而“多次”过零。由于B1的L0和C的惯性，不可能让Uc能“多次达到DIAC的触发电压，所以也不存在由“暗”突然变“亮”的可能性。在中间状态时(即半亮不暗的情况)外界干扰(异相或同相引起的电网波形畸变)都需通过一个大时间常数的低通滤波器(B1和R8C2共同组成)才能送到DIAC的输入端，所以它的“天然同步”和抗“污染”的能力极强。
本实用新型的优点在于(1)天然和电网电源的频率同步，不怕电网上叠加有高频成分即不怕“同相干扰”和“异相干扰”。
(2)多路使用时能“集中”用直流信号去控制。
(3)具有S形调光刻度曲线，调光范围广阔，接近180°。
附图1为本实用新型线路图。BG1为双向可控硅，BG2为双向触发二极管，BG3为高反压三极管，BG4－7为整流桥，D为负荷灯，BJ为保险丝，＋E为直流电压源，B1为控制变压器，B1为线圈匝数为31。
附图2为本实用新型结构外型图。
权利要求1.一种抗干扰、可集控的可控硅调光器，有电阻R1R2R3R4电容C1C2，双向可控硅BG1双向触发二极管BG2，其特征在于它还有晶体管BG3，整流桥BG4-7，直流电压源+E及控制变压器B1。
2.根据权利要求1所述的调光器，其特征在于控制变压器B1的初级和R8C2串接后并联于可控硅两端，B1的付边负载是先经BG4－7组成的整流桥再经BG8、R4和直流电压源＋E构成的回路。
专利摘要抗干扰、可集控的可控硅调光器属调光技术领域，它有电阻R
文档编号H05B39/04GK2038306SQ88215750
公开日1989年5月24日 申请日期1988年11月9日 优先权日1988年11月9日
发明者曾秋高, 石跃龙, 徐延迅 申请人:北京电视技术研究所